查看El接口芯片的技術(shù)資料,接口芯片Dm154抗靜電能力為±1kⅤ,而Dm1554抗靜電能力為±2kⅤ⊙將產(chǎn)品接口芯片Dm154更換成Dm15~szI,再進(jìn)行±6kⅤ ESD測(cè)試,不再出現(xiàn)通信斷鏈和死機(jī)現(xiàn)象。 HCF40106M013TR

   接口芯片更換DS21554后進(jìn)行EFVB測(cè)試,測(cè)試電壓為+1kⅤ時(shí),也不再出現(xiàn)通信斷鏈和死機(jī)現(xiàn)象、但在-lk、時(shí)仍會(huì)斷鏈。對(duì)E1通信接口板的CPU軟件進(jìn)行吏改,增加El口的容鋯能力,即將El信號(hào)誤碼率閾值加大1佶,軟件更改聽進(jìn)行電壓為±1.5k、ˉ的E冂/B測(cè)試,此時(shí)E信號(hào)不會(huì)出現(xiàn)斷鏈現(xiàn)象:

   【思考與啟示】

   (1)器件本身的EMC性能對(duì)系統(tǒng)的EMC性能有很大影響,進(jìn)行前期EMC設(shè)計(jì)時(shí)要注意選擇抗干擾能力強(qiáng)的器件;器件選擇時(shí)一定要考慮器件本身的EMC特性,特別是抗ESD性能(ESD性能在器件手冊(cè)中也較容易查到)。

   (2)軟件與產(chǎn)品的EMC性能也有密切關(guān)系,產(chǎn)品軟件要設(shè)置一定的容錯(cuò)能力。