在一塊完整的硅片上,用不同的摻雜工藝使其一邊形成N型半導(dǎo)體,另一邊形成P型半導(dǎo)體,JM38510/01203BCA 兩種半導(dǎo)體的交界面附近的區(qū)域稱為PN結(jié)。

    在P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體結(jié)合后,由于N區(qū)內(nèi)自由電子為多數(shù)載流子(多子),空穴幾乎為零,稱之為少數(shù)載流子(少子),而P區(qū)內(nèi)空穴為多子,自由電子為少子,在它們的交界處就出現(xiàn)了電子和空穴的濃度梯度。由于存在自由電子和空穴濃度梯度的原因,有一些電子從N區(qū)向P區(qū)擴(kuò)散,也有一些空穴從P區(qū)向N區(qū)擴(kuò)散。它們擴(kuò)散的結(jié)果就使P區(qū)一邊失去空穴,留下了帶負(fù)電的雜質(zhì)離子,N區(qū)一邊失去電子,留下了帶正電的雜質(zhì)離子。開路中半導(dǎo)體中的離子不能任意移動,因此不參與導(dǎo)電。這些不能移動的帶電離子在P區(qū)和N區(qū)交界面附近,形成了一個空間電荷區(qū)�？臻g電荷區(qū)的薄厚與摻雜濃度有關(guān)。

   在空間電荷區(qū)形成后,由于正負(fù)電荷之間的相互作用,在空間電荷區(qū)形成了內(nèi)建電場,\其方向是從帶正電的N區(qū)指向帶負(fù)電的P區(qū)。顯然,這個電場的方向與載流子擴(kuò)散運動的方向相反,將阻止載流子的進(jìn)一步擴(kuò)散。另一方面,這個電場將使N區(qū)的少數(shù)載流子空穴向P區(qū)漂移,使P區(qū)的少數(shù)載流子電子向N區(qū)漂移,漂移運動的方向正好與擴(kuò)散運動的方向相反。從N區(qū)漂移到P區(qū)的空穴補(bǔ)充了原來交界面上P區(qū)所失去的空穴,從P區(qū)漂移到N區(qū)的電子補(bǔ)充了原來交界面上N區(qū)所失去的電子,這就使空間電荷減少,內(nèi)建電場減弱。