東京電子的刻蝕機主要采用電容耦合等離子(CCP),并主要針對各種介質(zhì)的刻蝕e⒛06年沒計的Tclius廴)(lM Ji-()x,其目標(biāo)是用于45nm及其以下I藝節(jié)點的邏輯電路工藝。如圖8。H"所示,與Flex系列所有的頻率功率都加在底部電極不同,傳統(tǒng)的SCCM SEplus采用兩個分離的RF發(fā)生器。位HAT2198WP-EL-E于頂部的高頻是功率源,用來調(diào)整等離子密度,而底部的低頻是用來控制離子的轟擊。另外,可調(diào)的間隙是控制等離子分布的關(guān)鍵。從而實現(xiàn)r所需刻蝕速率的均勻性。為了進一步增強刻蝕速率分布控制的靈活性,將邊緣氣流調(diào)節(jié)和在頂部電極上疊加直流等技術(shù)也整合到了SCCM Ji―()x中。這一功能被證明能夠緩解在低功率區(qū)出現(xiàn)的甜麥圈型的刻蝕速率分布,而且,單片總成本降低的需求更注重于一體化刻蝕工藝的能力。在一體化I藝各步驟中,可以自由地優(yōu)化直流疊加技術(shù),以避免可能出現(xiàn)的同定間隙調(diào)整T藝步驟的限制。

   在2009年,應(yīng)用材料公司(AMAT)發(fā)布了用于32nm及其以下工藝節(jié)點的AdvantEdgc Mesa硅刻蝕機。Mesa利用了應(yīng)用材料公司多代成熟的產(chǎn)品技術(shù)和豐富的經(jīng)驗,突破性的ICP設(shè)計去除F ICP功率耦合的固有特征,從而改進了M形刻蝕速率均勻性。eMax CT^是應(yīng)用材料公司第一個以兩個不同偏置功率、雙氣區(qū)和SiC涂層表面為特征的介質(zhì)刻蝕機。兩種機型的目標(biāo)都是要改進CD的均勻性。2O09年推出的Enabler E5具有一個專利技術(shù)的超高頻(VHF)[㈠1源,采用磁場和多個獨立的氣體注人控制離子流量。所有這些特征,導(dǎo)致其在一體化的后端工藝集成和高深寬比(HAR)接觸刻蝕中具有特殊的能力。超高頻混合是動態(tài)等離子均勻性控制的一個有效的技術(shù),它能夠使腔室運行在保持超薄光刻膠完整性的低分解高選擇性模式,也可以運行在有效地去除光刻膠和刻蝕后殘余物的高分解模式。有效的腔室清洗能力,高純的抗等離子刻蝕的腔室材料,二者協(xié)同效應(yīng)的結(jié)果提供了一個穩(wěn)定、清潔的腔室條件。