依照可靠性的浴缸曲線,芯片在使用早期會有較高的失效比率,即早夭期。老化用KA337TU來篩選出使用壽命短的芯片,使失效率降低。老化在高溫125℃,1.2~1.4倍⒕u高電壓下進行,依照產(chǎn)品的可靠性水平,老化的時間在數(shù)小時到數(shù)十小時。老化的操作模式有靜態(tài)老化(StaticBurn in,sBI),動態(tài)老化(Dynamic Burl△in,DBI),老化加測試(飛st DuⅡlag Burn in,TDBI),圓片老化(Wafer1'evd Burll in,WI'B1)。其中,靜態(tài)老化只加人V汨電源和高溫,不輸入信號驅(qū)動芯片。動態(tài)老化加人V汨電源和高溫,并輸人信號驅(qū)動丿S片做讀和寫動作。但不控制輸入的地址,讀出的數(shù)據(jù)并不做好壞判斷。老化加測試(TI,BI),由于老化的操作時間長,所以TDBI將部分長時序的測試圖形轉(zhuǎn)移到老化的環(huán)節(jié)執(zhí)行.可以降低貴的測試機臺時間,

TDBI是一種動態(tài)老化的操作模式,1′I9BI的機臺需要加人圖形產(chǎn)生器和數(shù)據(jù)比較器,機臺岜較為復雜,昂貴,但是省下的測試機臺時間還是有較好的經(jīng)濟效益的。

   CMOS電路的特性在靜態(tài)時的電流消耗非常低,但是如果電路存在缺陷,那就可能引起異常的漏電流.這就是J丨ΙQ測試(quie`ccnt I丨I)的基本原理:對于一組電路正常的芯片來說.它們的靜態(tài)電流全呈現(xiàn)止態(tài)分布∷吧圖ls`).岡此.從這組分布.可以定下靜態(tài)電源電流的測試標準。對于超出電流柝準昀芯葉.即使芯片的功能測試是正常的.也判定為失效。相對于其他的測試項日.JI”Q測試的優(yōu)點有測試時問短、可以提升町靠度、提高可測試度、降低功耗等。

   mn測試可以偵測到的缺陷有開/短路、橋接、柵氧層擊穿等物理缺陷,這些缺陷都會引發(fā)明顯的Jm舊電流增大。內(nèi)部連接線的短路與橋接如果存在電位差,即引起升高的電源電流。開路造成下級電路浮接,CMOs間門無法完全緊閉,也形成漏電。

   測試的概念比較直觀,容易了解,也容易實現(xiàn)。但要達到高覆蓋率的r1m測試,關鍵是如何在缺陷處形成電位差,引發(fā)異常漏電流。這就需要引進測試矢量來配合。許多設計模擬工具可以提供rm)Q測試矢量生成。此外,rI l lQ測試標準也必須跟著定期檢查,以避免不正確的rm汨測試標準(specification)設定造成的誤殺(over kill)或誤放(under kill)。(WI'BI),一般的老化操作是在封裝好的芯片L進行,現(xiàn)在先進的老化可以在圓片時執(zhí)行,儲存器在圓片時執(zhí)行老化需要有特別的可測性設計,稱為老化模式(burll in Mode),啟動儲存器的老化模式之后,全部的儲存單元都會同時被拉高電壓,圓片老化只需要在進入老化模式的時候輸入信號,基本上這是一種靜態(tài)老化操作。圓片老化是在圓片測試之前或內(nèi)建在測試程序之中。假若圓片老化產(chǎn)生的失效單元是在冗余修復范圍內(nèi),那么良率就可提升,這是它的優(yōu)點之一。但是圓片老化并不能取代封裝后老化。