片的冗余設(shè)計(jì)由冗余單元行/列和地址解碼器組成
發(fā)布時(shí)間:2019/2/1 10:47:15 訪問(wèn)次數(shù):961
片的冗余設(shè)計(jì)由冗余單元行/列和地址解碼器組成。激光修復(fù)(laser repair,I'/R)機(jī)臺(tái)會(huì)把需要修復(fù)的解碼器設(shè)定為被測(cè)試到的缺陷地址。 KA334_Q例如,假設(shè)缺陷地址是X=511行,就將冗余行地址解碼器設(shè)定成X=511。所以,當(dāng)外部讀寫(xiě)輸人地址勹冗余解碼器相同時(shí),芯片就會(huì)瀆寫(xiě)冗余單元的數(shù)據(jù)・而不是主儲(chǔ)存陣列的數(shù)據(jù)。冗余解碼器是由多晶硅或鋁線構(gòu)成的保險(xiǎn)絲陣列(poly/al fuse array)組成的.由激光熔斷相對(duì)應(yīng)地址的保險(xiǎn)絲組合・完哎解碼設(shè)定:新的保險(xiǎn)絲設(shè)計(jì)已采用電流保險(xiǎn)絲(cfusc),熔斷的方法是利用電遷移效.
隨著單一芯片儲(chǔ)存器容量成長(zhǎng)到GB卜:te.測(cè)試時(shí)間也隨著增加:如暫時(shí)不考慮芯片操作頻率的變化,當(dāng)容量增加4倍,理論測(cè)試時(shí)間也增加為4倍;產(chǎn)能也就降為11。若號(hào)慮操作頻率加快,則測(cè)試時(shí)間可能只增加2~3倍。但相對(duì)的測(cè)試設(shè)備也需要較高頻率,較昂貴的機(jī)臺(tái)。采取地址/數(shù)據(jù)壓縮的可測(cè)性設(shè)計(jì)可以部分地解決容量增加帶來(lái)的測(cè)試成本增加的問(wèn)題。假設(shè)將儲(chǔ)存器陣列看成鏡像的兩個(gè)小陣列組合,一個(gè)地址可以讀寫(xiě)兩個(gè)小數(shù)據(jù)陣列各相同地址的一筆數(shù)據(jù),這樣一來(lái)儲(chǔ)存器需要測(cè)試的容童就變?yōu)樵瓉?lái)的1∷2,這就是地址壓縮。例如,一個(gè)8乘8的陣列,經(jīng)由地址壓縮設(shè)計(jì),就成了兩個(gè)8乘4的小陣列。原先8×8=61的測(cè)試深度就壓縮為8×4=32。
此外,隨著I藝線改良,芯片的操作頻率已經(jīng)達(dá)到GHz,如何活化低頻率的舊測(cè)試設(shè)備一莨是節(jié)約測(cè)試成本需考慮的一個(gè)問(wèn)題。在JS片加入可測(cè)性設(shè)計(jì).減低測(cè)試操作頻率,可以將部分測(cè)試項(xiàng)日,如基本功能測(cè)試、漏電測(cè)試、串?dāng)_測(cè)試、保持測(cè)試.用低頻率的機(jī)臺(tái)來(lái)測(cè)試。
片的冗余設(shè)計(jì)由冗余單元行/列和地址解碼器組成。激光修復(fù)(laser repair,I'/R)機(jī)臺(tái)會(huì)把需要修復(fù)的解碼器設(shè)定為被測(cè)試到的缺陷地址。 KA334_Q例如,假設(shè)缺陷地址是X=511行,就將冗余行地址解碼器設(shè)定成X=511。所以,當(dāng)外部讀寫(xiě)輸人地址勹冗余解碼器相同時(shí),芯片就會(huì)瀆寫(xiě)冗余單元的數(shù)據(jù)・而不是主儲(chǔ)存陣列的數(shù)據(jù)。冗余解碼器是由多晶硅或鋁線構(gòu)成的保險(xiǎn)絲陣列(poly/al fuse array)組成的.由激光熔斷相對(duì)應(yīng)地址的保險(xiǎn)絲組合・完哎解碼設(shè)定:新的保險(xiǎn)絲設(shè)計(jì)已采用電流保險(xiǎn)絲(cfusc),熔斷的方法是利用電遷移效.
隨著單一芯片儲(chǔ)存器容量成長(zhǎng)到GB卜:te.測(cè)試時(shí)間也隨著增加:如暫時(shí)不考慮芯片操作頻率的變化,當(dāng)容量增加4倍,理論測(cè)試時(shí)間也增加為4倍;產(chǎn)能也就降為11。若號(hào)慮操作頻率加快,則測(cè)試時(shí)間可能只增加2~3倍。但相對(duì)的測(cè)試設(shè)備也需要較高頻率,較昂貴的機(jī)臺(tái)。采取地址/數(shù)據(jù)壓縮的可測(cè)性設(shè)計(jì)可以部分地解決容量增加帶來(lái)的測(cè)試成本增加的問(wèn)題。假設(shè)將儲(chǔ)存器陣列看成鏡像的兩個(gè)小陣列組合,一個(gè)地址可以讀寫(xiě)兩個(gè)小數(shù)據(jù)陣列各相同地址的一筆數(shù)據(jù),這樣一來(lái)儲(chǔ)存器需要測(cè)試的容童就變?yōu)樵瓉?lái)的1∷2,這就是地址壓縮。例如,一個(gè)8乘8的陣列,經(jīng)由地址壓縮設(shè)計(jì),就成了兩個(gè)8乘4的小陣列。原先8×8=61的測(cè)試深度就壓縮為8×4=32。
此外,隨著I藝線改良,芯片的操作頻率已經(jīng)達(dá)到GHz,如何活化低頻率的舊測(cè)試設(shè)備一莨是節(jié)約測(cè)試成本需考慮的一個(gè)問(wèn)題。在JS片加入可測(cè)性設(shè)計(jì).減低測(cè)試操作頻率,可以將部分測(cè)試項(xiàng)日,如基本功能測(cè)試、漏電測(cè)試、串?dāng)_測(cè)試、保持測(cè)試.用低頻率的機(jī)臺(tái)來(lái)測(cè)試。
熱門(mén)點(diǎn)擊
- 關(guān)電源初級(jí)地與次級(jí)地之間的隔離電容也須使用Y
- 當(dāng)半導(dǎo)體工藝發(fā)展到45nm節(jié)點(diǎn)以下
- 接觸模式是AM最直接的成像模式
- 探針的定位與掃描需要非常高的尺寸精度
- 全屬外殼屏蔽反而導(dǎo)致EMI測(cè)試失敗
- 碰撞電離產(chǎn)生的電子空穴對(duì)會(huì)產(chǎn)生更多的電子空穴
- 掩膜版的制作使用電子束和激光曝光的方式
- 淺槽隔離巾溝槽頂部圓弧結(jié)構(gòu)對(duì)減少器件漏電是有
- 氧化物的刻蝕速率隨著氧氣的百分比的提高而下降
- 核心區(qū)域和I/O區(qū)域都已經(jīng)生長(zhǎng)了晶體管以后
推薦技術(shù)資料
- AMOLED顯示驅(qū)動(dòng)芯片關(guān)鍵技
- CMOS圖像傳感器技術(shù)參數(shù)設(shè)計(jì)
- GB300 超級(jí)芯片應(yīng)用需求分
- 4NP 工藝NVIDIA Bl
- GB300 芯片、NVL72
- 首個(gè)最新高端芯片人工智能服務(wù)器
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究