增強(qiáng)型NMOS管的結(jié)構(gòu)與等效符號如圖11-19所示。

   增強(qiáng)型NMOS管是以P型硅片作為基片(又稱襯底),在基片上制作兩個(gè)含很多雜質(zhì)的N型材料,MC56F8256VLF 再在上面制作一層很薄的二氧化硅(so2)絕緣層,在兩個(gè)N型材料上引出兩個(gè)鋁電極,分別稱為漏極(D)和源極(S),在兩極中間的二氧化硅絕緣層上制作一層鋁制導(dǎo)電層,從該導(dǎo)電層上引出電極稱為G極。P型襯底與D極連接的N型半導(dǎo)體會形成二極管結(jié)構(gòu)(稱之為寄生二極管),由于P型襯底通常與S極連接在一起,所以增強(qiáng)型NMOs管又可用圖11△9(b)所示的符號表示。