FDS4435【用途 應(yīng)用】 場效應(yīng)管

【性能 參數(shù)】

P溝 30V 8.8A 2.5W 0.02歐 帶阻尼

引腳排列圖：

主要參數(shù)

編輯FDS4435，

采用SOIC封裝方式。

晶體管極性:P溝道漏極電流, 

Id 最大值:-8.8A電壓, 

Vds 最大:30V

開態(tài)電阻, Rds(on):0.02ohm

電壓 @ Rds測量:-10V、

電壓, Vgs 最高:-25V

功耗:2.5W其

他參數(shù)編輯工作

溫度范圍:-55oC to +175oC

封裝類型:SOIC

針腳數(shù):8SMD

標號:FDS4435

功率, Pd:2.5W

封裝類型:SOIC

晶體管數(shù):1

晶體管類型:MOSFET

滿功率溫度:25°C

電壓 Vgs @ Rds on 

測量:-10V電壓, 

Vds:30V電壓, Vds 

典型值:-30V電流, 

Id 連續(xù):8.8A

電流, Idm 

脈沖:50A

表面安裝器件:表面安

裝閾值電壓, Vgs th 

典型值:-1.7V

閾值電壓, Vgs th 

最高:-3V