JANTXV2N4449UB的功能、參數(shù)
發(fā)布時間:2019/3/5 10:38:55 訪問次數(shù):3779
JANTXV2N4449UB的功能、參數(shù)、電路圖、封裝、引腳圖、PDF資料JANTXV2N4449UB中文資料
功能介紹 中文 :
功能介紹 英文 : TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | LLCC
品牌 :
封裝 :
引腳 :
規(guī)格信息
系列 軍用，MIL-PRF-19500/556
FET類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）100V
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）3.5A（Tc）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值）4V @ 250μA
不同Vgs時的柵極電荷 （Qg）（最大值）8.1nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
功率耗散（最大值）800mW（Ta），15W（Tc）
不同 Id，Vgs時的 RdsOn（最大值）610 毫歐 @ 3.5A，10V
工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型通孔
封裝/外殼TO-205AF
JANTXV2N4449UB的功能、參數(shù)、電路圖、封裝、引腳圖、PDF資料JANTXV2N4449UB中文資料
功能介紹 中文 :
功能介紹 英文 : TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | LLCC
品牌 :
封裝 :
引腳 :
規(guī)格信息
系列 軍用，MIL-PRF-19500/556
FET類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）100V
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）3.5A（Tc）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值）4V @ 250μA
不同Vgs時的柵極電荷 （Qg）（最大值）8.1nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
功率耗散（最大值）800mW（Ta），15W（Tc）
不同 Id，Vgs時的 RdsOn（最大值）610 毫歐 @ 3.5A，10V
工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型通孔
封裝/外殼TO-205AF
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公網(wǎng)安備44030402000607
