JANTXV2N4449UB的功能、參數(shù)、電路圖、封裝、引腳圖、PDF資料JANTXV2N4449UB中文資料

功能介紹 中文 :

功能介紹 英文 : TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | LLCC

品牌 :

封裝 :

引腳 :

規(guī)格信息

系列         軍用，MIL-PRF-19500/556

FET類型    N 溝道

技術(shù)         MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）100V

電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）3.5A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）10V

不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）4V @ 250μA

不同Vgs時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值）8.1nC @ 10V

Vgs（最大值）±20V

功率耗散（最大值）800mW（Ta），15W（Tc）

不同 Id，Vgs時(shí)的 RdsOn（最大值）610 毫歐 @ 3.5A，10V

工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型通孔

封裝/外殼TO-205AF