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IR2130在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的應(yīng)用

發(fā)布時(shí)間:2019/3/5 9:56:31 訪問次數(shù):4453

IR2130在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的應(yīng)用  本文將IR2130作為信號(hào)的前級驅(qū)動(dòng),將其應(yīng)用在三相混合式步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中做驅(qū)動(dòng)信號(hào)的轉(zhuǎn)換。三相逆變橋中的一個(gè)橋的典型連接如圖2所示,系統(tǒng)主供電電壓為220VAC,經(jīng)整流濾波得到的近310V的直流母線電壓,圖中C1是自舉電容,為上橋臂功率管驅(qū)動(dòng)的懸浮電源存儲(chǔ)能量,當(dāng)開關(guān)頻率大于5kHz 時(shí), 該電容值應(yīng)不小于0.1UF, 且選低漏電流的瓷片電容為好;D1為自舉二極管,其作用是防止上橋臂導(dǎo)通時(shí)的直流電壓母線電壓加到IR2130的電源上而使器件損壞,因此D1應(yīng)有足夠的反向耐壓,為了滿足主電路功率管開關(guān)頻率的要求,D1還應(yīng)選超快速恢復(fù)型二極管。R1和R2是IGBT的柵極限流電阻, 一般可采用十幾到幾十歐。不同電阻值對IGBT的動(dòng)態(tài)特性將產(chǎn)生極大的影響,數(shù)值較小的柵極電阻使柵極電容充放電較快,但同時(shí)它只能承受較小的柵極噪聲,并導(dǎo)致柵極-發(fā)射極之間電容同驅(qū)動(dòng)電路引線的寄生電感產(chǎn)生振蕩問題。不同電流容量的IGBT器件的柵極限流電阻有不同的取值 ,功率越大的管子?xùn)艠O電阻應(yīng)越小。

IR2130引腳功能



IR2130驅(qū)動(dòng)芯片的特點(diǎn)

IR2130可用來驅(qū)動(dòng)工作在母電壓不高于600V的電路中的功率MOS門器件,其可輸出的最大正向峰值驅(qū)動(dòng)電流為250mA,而反向峰值驅(qū)動(dòng)電流為500mA。它內(nèi)部設(shè)計(jì)有過流、過壓及欠壓保護(hù)、封鎖和指示網(wǎng)絡(luò),使用戶可方便的用來保護(hù)被驅(qū)動(dòng)的MOS門功率管,加之內(nèi)部自舉技術(shù)的巧妙運(yùn)用使其可用于高壓系統(tǒng),它還可對同一橋臂上下2個(gè)功率器件的門極驅(qū)動(dòng)信導(dǎo)產(chǎn)生2μs互鎖延時(shí)時(shí)間。它自身工作和電源電壓的范圍較寬(3~20V),在它的內(nèi)部還設(shè)計(jì)有與被驅(qū)動(dòng)的功率器件所通過的電流成線性關(guān)系的電流放大器,電路設(shè)計(jì)還保證了內(nèi)部的3個(gè)通道的高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器和低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器可單獨(dú)使用,亦可只用其內(nèi)部的3個(gè)低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器,并且輸入信號(hào)與TTL及COMS電平兼容。IR2130管腳如圖1所示。

VB1~VB3:是懸浮電源連接端,通過自舉電容為3個(gè)上橋臂功率管的驅(qū)動(dòng)器提供內(nèi)部懸浮電源,VS1~VC3是其對應(yīng)的懸浮電源地端。 HIN1~HIN3、LIN1~LIN3:逆變器上橋臂和下橋臂功率管的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸入端,低電平有效。

ITRIP:過流信號(hào)檢測輸入端,可通過輸入電流信號(hào)來完成過流或直通保護(hù)

CA-、CAO、Vso:內(nèi)部放大器的反相端、輸出端和同相端,可用來完成電流信號(hào)檢測。

HO1~HO3、LO1~L03:逆變器上下橋臂功率開關(guān)器件驅(qū)動(dòng)器信號(hào)輸出端。

FAULT:過流、直通短路、過壓、欠壓保護(hù)輸出端,該端提供一個(gè)故障保護(hù)的指示信號(hào)。它在芯片內(nèi)部是漏極開路輸出端,低電平有效。Vcc、Vss:芯片供電電源連接端,Vcc接正電源,而Vss接電源地。


IR2130在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的應(yīng)用  本文將IR2130作為信號(hào)的前級驅(qū)動(dòng),將其應(yīng)用在三相混合式步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中做驅(qū)動(dòng)信號(hào)的轉(zhuǎn)換。三相逆變橋中的一個(gè)橋的典型連接如圖2所示,系統(tǒng)主供電電壓為220VAC,經(jīng)整流濾波得到的近310V的直流母線電壓,圖中C1是自舉電容,為上橋臂功率管驅(qū)動(dòng)的懸浮電源存儲(chǔ)能量,當(dāng)開關(guān)頻率大于5kHz 時(shí), 該電容值應(yīng)不小于0.1UF, 且選低漏電流的瓷片電容為好;D1為自舉二極管,其作用是防止上橋臂導(dǎo)通時(shí)的直流電壓母線電壓加到IR2130的電源上而使器件損壞,因此D1應(yīng)有足夠的反向耐壓,為了滿足主電路功率管開關(guān)頻率的要求,D1還應(yīng)選超快速恢復(fù)型二極管。R1和R2是IGBT的柵極限流電阻, 一般可采用十幾到幾十歐。不同電阻值對IGBT的動(dòng)態(tài)特性將產(chǎn)生極大的影響,數(shù)值較小的柵極電阻使柵極電容充放電較快,但同時(shí)它只能承受較小的柵極噪聲,并導(dǎo)致柵極-發(fā)射極之間電容同驅(qū)動(dòng)電路引線的寄生電感產(chǎn)生振蕩問題。不同電流容量的IGBT器件的柵極限流電阻有不同的取值 ,功率越大的管子?xùn)艠O電阻應(yīng)越小。

IR2130引腳功能



IR2130驅(qū)動(dòng)芯片的特點(diǎn)

IR2130可用來驅(qū)動(dòng)工作在母電壓不高于600V的電路中的功率MOS門器件,其可輸出的最大正向峰值驅(qū)動(dòng)電流為250mA,而反向峰值驅(qū)動(dòng)電流為500mA。它內(nèi)部設(shè)計(jì)有過流、過壓及欠壓保護(hù)、封鎖和指示網(wǎng)絡(luò),使用戶可方便的用來保護(hù)被驅(qū)動(dòng)的MOS門功率管,加之內(nèi)部自舉技術(shù)的巧妙運(yùn)用使其可用于高壓系統(tǒng),它還可對同一橋臂上下2個(gè)功率器件的門極驅(qū)動(dòng)信導(dǎo)產(chǎn)生2μs互鎖延時(shí)時(shí)間。它自身工作和電源電壓的范圍較寬(3~20V),在它的內(nèi)部還設(shè)計(jì)有與被驅(qū)動(dòng)的功率器件所通過的電流成線性關(guān)系的電流放大器,電路設(shè)計(jì)還保證了內(nèi)部的3個(gè)通道的高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器和低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器可單獨(dú)使用,亦可只用其內(nèi)部的3個(gè)低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器,并且輸入信號(hào)與TTL及COMS電平兼容。IR2130管腳如圖1所示。

VB1~VB3:是懸浮電源連接端,通過自舉電容為3個(gè)上橋臂功率管的驅(qū)動(dòng)器提供內(nèi)部懸浮電源,VS1~VC3是其對應(yīng)的懸浮電源地端。 HIN1~HIN3、LIN1~LIN3:逆變器上橋臂和下橋臂功率管的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸入端,低電平有效。

ITRIP:過流信號(hào)檢測輸入端,可通過輸入電流信號(hào)來完成過流或直通保護(hù)

CA-、CAO、Vso:內(nèi)部放大器的反相端、輸出端和同相端,可用來完成電流信號(hào)檢測。

HO1~HO3、LO1~L03:逆變器上下橋臂功率開關(guān)器件驅(qū)動(dòng)器信號(hào)輸出端。

FAULT:過流、直通短路、過壓、欠壓保護(hù)輸出端,該端提供一個(gè)故障保護(hù)的指示信號(hào)。它在芯片內(nèi)部是漏極開路輸出端,低電平有效。Vcc、Vss:芯片供電電源連接端,Vcc接正電源,而Vss接電源地。


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