PCA9534DBR

   最大反向擊穿電壓:最大反向擊穿電壓是指晶體管工作時(shí)所允許施加的最高電壓,包括集電極一發(fā)射極反向擊穿電壓%:vα。、集電極一基極反向擊穿電壓。、發(fā)射極一基極反向擊穿電壓。

   頻率特性:當(dāng)晶體管應(yīng)用于高頻電路時(shí),必須考慮頻率特性參數(shù)。晶體管的頻率特性參數(shù)主要包括特征頻率為和最高振蕩頻率/.I等。

     特征頻率丘:特征頻率/T是指晶體管的'值下降為1時(shí)所對(duì)應(yīng)的頻率。通常將丘≤3MHz的晶體管稱為低頻管,將3MHz≤功≤30MHz的晶體管稱為中頻管,將為≥30MHZ的晶體管稱為高頻管。最高振蕩頻率/NI:最高振蕩頻率屁是指晶體管的功率增益下降為1時(shí)所對(duì)應(yīng)的頻率。

    晶體管的種類很多,下面僅就電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中較為常用的晶體管迸行介紹。

    低、中頻小功率晶體管。低、中頻小功率晶體管主要用于工作頻率較低,功率在1W以下的低頻放大和功率放大等電路中。低、中頻大功率晶體管。低、中頻大功率晶體管一般用在電視機(jī)、音響等家用電器中作為電源調(diào)整管、開關(guān)管、行輸出管、場輸出管、功率輸出管或用在汽車電子點(diǎn)火電路、不間斷電源(UPS)等系統(tǒng)中。

    高頻晶體管:高頻晶體管分為高頻小功率晶體管和高頻大功率晶體管。高頻小功率晶體管:高頻小功率晶體管一般用于工作頻率較高、功率不大于1W的放大、振蕩、混頻控制等電路中。集電極最大耗散功率PcM:集電極最大耗散功率PcM是指晶體管參數(shù)變化不超過規(guī)定允許 值時(shí)的最大集電極耗散功率。使用三極管時(shí),實(shí)際功耗不允許超過PcM值,否則會(huì)造成管子因過 熱而燒毀。所以,為了保證三極管的安全運(yùn)用,通常還應(yīng)留有一定的裕量。 反向飽和電流:晶體管的反向飽和電流包括集電極一基極之間的反向飽和電流rc:cl和集電極一 發(fā)射極之間的反向擊穿電流FcEc,。反向飽和電流對(duì)溫度較敏感,其值越小,晶體管的溫度穩(wěn)定性越好。