IRFR3704ZTRPBF

   結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的質(zhì)量判別:用萬(wàn)用表R×100擋,測(cè)量結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管柵極與其他兩個(gè)電極之間的正、反向電阻值。若測(cè)得正、反向電阻值均為0或均為無(wú)窮大,則說(shuō)明該管已擊穿或己開路損壞。

   要檢測(cè)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的放大能力,可用萬(wàn)用表R×100擋,紅表筆接源極s,黑表筆接漏極D,測(cè)出漏源極之間的電阻值RDs后,再用手捏住柵極G,萬(wàn)用表會(huì)向左或向右擺動(dòng)(多數(shù)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的RDs會(huì)增大,表針向左擺動(dòng);少數(shù)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的RDs會(huì)減小,表針向右擺動(dòng))。只要表針有較大的擺動(dòng),就說(shuō)明該管有較大的放大能力。

   晶閘管的種類很多,通常按電流容量、通斷及控制方式及關(guān)斷速度等分類。晶閘管的分類。正向阻斷電壓uDRM:是指晶問(wèn)管在正向阻斷時(shí),允許加在陽(yáng)-陰極間最大的峰值電壓。此電壓約為正向轉(zhuǎn)折電壓I/:。減去100V后的電壓值。反向擊穿電壓tJ:R:是指在額定結(jié)溫下,在陽(yáng)一陰極間加正弦半波反向電壓,當(dāng)其反向漏電流急劇增加時(shí)所對(duì)應(yīng)的峰值電壓。

    VMOs大功率場(chǎng)效應(yīng)管的質(zhì)量判別:用萬(wàn)用表R×1k擋或R×10k擋,測(cè)量VMOs場(chǎng)效應(yīng)管 任意兩個(gè)電極之間的正、反向電阻值。正常時(shí),除漏極與源極之間的正向電阻值較小外,其余各引 腳之間的正、反向電阻值均應(yīng)為無(wú)窮大。若測(cè)得某兩極之間的電阻值為0,則說(shuō)明該管已擊穿損壞。

   晶閘管俗稱可控硅,是一種“以小控大”的功率開關(guān)型半導(dǎo)體器件。具有硅整流器件的特性, 能在高電壓、大電流條件下工作,其工作過(guò)程可以控制,被廣泛應(yīng)用于調(diào)光、調(diào)速、調(diào)壓、溫控、 濕控、逆變及變頻等電子電路中。