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由p型轉(zhuǎn)換為n型的氟取代有機(jī)半導(dǎo)體

發(fā)布時(shí)間:2019/4/12 21:21:33 訪問次數(shù):2369

  FAN1655MTF

  

   由p型轉(zhuǎn)換為n型的氟取代有機(jī)半導(dǎo)體

   在分子設(shè)計(jì)上,以電負(fù)性較大的氟原子代替分子中電負(fù)性小的氫原子,可以獲得電子親和能增大即LLrMO能級降低的材料,達(dá)到與惰性源漏電極匹配的目的,可作為n型半導(dǎo)體材料應(yīng)用于場效應(yīng)晶體管器件。這些材料包括十六氟酞菁銅、氟原子取代的噻吩齊聚物卩7,9:l、全氟并五苯㈣,如圖3.38所示。

   

   類似于并五苯,全氟并五苯也是平面型分子,在單晶堆疊上也里現(xiàn)出“魚骨型”模式,如圖3,39所示。二者的不同之處在于:相鄰兩個(gè)分子層之間并五苯分子的夾角為51.叨,小于全氟并五苯⑿1.2°),說明全氟并五苯可以更好地“站”在襯底上;另外,在同一分子層內(nèi),并五苯分子之間碳與碳的距離o,“勾大于全氟并五苯r3,”~3。乃匈,表示全氟并五苯晶體中分子排列比較緊密。呈電負(fù)性的氟基團(tuán)與呈電正性的并五苯基團(tuán)之間較強(qiáng)的靜電作用,可能是全氟并五苯堆積比較緊密的原因。為真空中測量的基于全氟并五苯的場效應(yīng)晶體管的電性能曲線,器件飽和區(qū)域的遷移率為0.11Gm

   

 

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   由p型轉(zhuǎn)換為n型的氟取代有機(jī)半導(dǎo)體

   在分子設(shè)計(jì)上,以電負(fù)性較大的氟原子代替分子中電負(fù)性小的氫原子,可以獲得電子親和能增大即LLrMO能級降低的材料,達(dá)到與惰性源漏電極匹配的目的,可作為n型半導(dǎo)體材料應(yīng)用于場效應(yīng)晶體管器件。這些材料包括十六氟酞菁銅、氟原子取代的噻吩齊聚物卩7,9:l、全氟并五苯㈣,如圖3.38所示。

   

   類似于并五苯,全氟并五苯也是平面型分子,在單晶堆疊上也里現(xiàn)出“魚骨型”模式,如圖3,39所示。二者的不同之處在于:相鄰兩個(gè)分子層之間并五苯分子的夾角為51.叨,小于全氟并五苯⑿1.2°),說明全氟并五苯可以更好地“站”在襯底上;另外,在同一分子層內(nèi),并五苯分子之間碳與碳的距離o,“勾大于全氟并五苯r3,”~3。乃匈,表示全氟并五苯晶體中分子排列比較緊密。呈電負(fù)性的氟基團(tuán)與呈電正性的并五苯基團(tuán)之間較強(qiáng)的靜電作用,可能是全氟并五苯堆積比較緊密的原因。為真空中測量的基于全氟并五苯的場效應(yīng)晶體管的電性能曲線,器件飽和區(qū)域的遷移率為0.11Gm。

   

 

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