器件的電學(xué)性能曲線
發(fā)布時(shí)間:2019/4/12 22:04:49 訪問(wèn)次數(shù):4818
與全氟并五苯類似,基于氟取代噻吩齊聚物(圖3,38,DFH巧T DFH-5TDFH叫Tl的n型載流子場(chǎng)效應(yīng)遷移特性也是在真空下獲得。其中,含噻吩環(huán)最少的DFH砰T表現(xiàn)出的場(chǎng)效應(yīng)遷移率較大,為0.⒄8cm2/(V・Θo可能的原因是噻吩環(huán)較少的分子鏈中,烷基所占的比例較大,易形成較好的長(zhǎng)程有序結(jié)構(gòu)。通過(guò)器件優(yōu)化,DFH砰T的場(chǎng)效應(yīng)遷移率可達(dá)0.⒛cm2。最早被發(fā)現(xiàn)能夠在大氣環(huán)境下工作的n型有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管是基于F16-CuPc的器件,器件載流子遷移率達(dá)到0。O3cm2。該工作報(bào)道于1998年,圖3,41是器件的電學(xué)性能曲線。作者認(rèn)為器件可以在大氣環(huán)境下穩(wěn)定工作的原因在于,F1⒍CuPc薄膜中暴露在外邊、與大氣接觸的是氟原子,它們可以有效地阻擋空氣中的水汽等活性成分向薄膜內(nèi)部的侵入。
與全氟并五苯類似,基于氟取代噻吩齊聚物(圖3,38,DFH巧T DFH-5TDFH叫Tl的n型載流子場(chǎng)效應(yīng)遷移特性也是在真空下獲得。其中,含噻吩環(huán)最少的DFH砰T表現(xiàn)出的場(chǎng)效應(yīng)遷移率較大,為0.⒄8cm2/(V・Θo可能的原因是噻吩環(huán)較少的分子鏈中,烷基所占的比例較大,易形成較好的長(zhǎng)程有序結(jié)構(gòu)。通過(guò)器件優(yōu)化,DFH砰T的場(chǎng)效應(yīng)遷移率可達(dá)0.⒛cm2。最早被發(fā)現(xiàn)能夠在大氣環(huán)境下工作的n型有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管是基于F16-CuPc的器件,器件載流子遷移率達(dá)到0。O3cm2。該工作報(bào)道于1998年,圖3,41是器件的電學(xué)性能曲線。作者認(rèn)為器件可以在大氣環(huán)境下穩(wěn)定工作的原因在于,F1⒍CuPc薄膜中暴露在外邊、與大氣接觸的是氟原子,它們可以有效地阻擋空氣中的水汽等活性成分向薄膜內(nèi)部的侵入。
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