飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布其性能先進的PowerTrench MOSFET工藝可實現(xiàn)極低的Miller電荷 (Qgd)、RDS(on)、總柵極電荷 (Qg)，并改善柵漏電荷對柵源電荷 (Qgd:Qgs) 的比率，在同步降壓應用中帶來超卓的開關性能和熱效率。低Qgd的優(yōu)勢在于減少開關損耗和縮短"死區(qū)時間"，以改善穩(wěn)壓性能。理想的Qgd:Qgs比率可以防止柵極誤觸發(fā)，這在MOSFET用作同步整流器時會在開關MOSFET 之間產(chǎn)生短路電流。低RDS(on)對于降低導通損耗非常重要，而低Qg可減少每次開關周期中導通和關斷MOSFET所消耗的功率。飛兆半導體所推出的兩種新型30V MOSFET -- FDS6294和FDS7288N3，具備改進型快速開關技術的優(yōu)勢，分別適用于筆記本電腦和POL (負荷點) 轉(zhuǎn)換器設計。

新型FDS6294具有非常低的Qgd，可為高頻、窄占空比開關應用提供優(yōu)良的性能。在筆記本電腦的高效同步降壓電源設計中，極快的開關速度是不可缺少的。在這種應用中，如果器件不能迅速導通和關斷，較大的輸入至輸出電壓比率和跨越高端MOSFET的大電壓擺動通常會引起過大的開關損耗。FDS6294具有3nC (典型值) 的超低Miller電荷值 (Qgd)，可以大幅縮短轉(zhuǎn)換時間，并結(jié)合最大值僅為3毫歐的低RDS(on)，性能凌駕現(xiàn)有的方案。FDS6294采用SO-8封裝。

除了具有低Miller電荷、低RDS(on)、低Qg和Qgd:Qgs比率 (少于1) 的出色性能外，新型FDS7288N3并采用SO-8 FLMP封裝 (倒裝引腳鑄模封裝) ，這種先進的無引線封裝技術提供極低的封裝結(jié)至外殼熱阻 ( JC)、低電氣阻抗，以及低封裝電感。低封裝結(jié)至外殼熱阻是通過從封裝底部直接散放熱量而實現(xiàn)，使得該器件的效率較傳統(tǒng)封裝MOSFET高出許多。較低的電氣封裝阻抗可減少靜態(tài)損耗，而封裝電感的降低也可減少開關損耗。FDS7288N3具有出色的熱性能，最適合用于高電流密度DC-DC電源應用，常見于計算機服務器、電信設備和互連網(wǎng)集線器及路由器的POL轉(zhuǎn)換器中。

FDS7288N3和FDS6294結(jié)合FAN5093雙相控制器和驅(qū)動器組合，構(gòu)成完整的POL解決方案。而FDS7096N3和FDS7288N3結(jié)合FAN5009驅(qū)動器和FAN5019控制器，可以構(gòu)成用于VRM服務器應用的高效系統(tǒng)解決方案。

FDS7288N3屬于無鉛產(chǎn)品，能達到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020B 標準要求，并符合將于2005年生效的歐盟標準。

飛兆半導體技術市務經(jīng)理David Grey稱："飛兆半導體的新型快速開關MOSFET硅產(chǎn)品技術加上創(chuàng)新的封裝，較前一代MOSFET產(chǎn)品大幅提升了高端開關的性能和同步整流功能。"
價格: FDS6294每個0.78美元，F(xiàn)DS7288N3每個1.52美元 (均以訂購1,000個計)
供貨:  現(xiàn)貨
交貨期: 收到訂單后8周內(nèi)