LAN8720A

   具體擊穿過程一般認(rèn)為是一個熱、電過程。隧穿電流與陰極場強有關(guān)。這涉及Si-Si02（或Al- Si0：）界面不可能絕對平整，微觀上可能存在一些突起，使局部電場增強，也可能氧化層中某處存在一些雜質(zhì)或缺陷，使界面勢壘高度降低，這都使該薄弱處首先產(chǎn)生隧道電子流。在外場作用下，電流呈絲狀形式漂移穿過Si0：膜，這種絲狀電流直徑僅數(shù)納米，電流密度很大，而Si0。

    質(zhì)量良好的柵氧化層，在未加應(yīng)力前的I-V測試中，在產(chǎn)生F-N隧穿電流前，其電 流值很低，按面積歸一化后J一10-12 Alcm2。在施加電應(yīng)力后，F(xiàn)-N隧穿前的電流增加， 經(jīng)過多種測試分析，認(rèn)為是由于氧化層中產(chǎn)生了中性陷阱所致。

    氧化層中產(chǎn)生帶間碰撞電離所需能量約為氧化層禁帶寬度的1.5倍，氧化層禁帶寬 度約為9eV，所以電子需要能量約為13. 5eV，當(dāng)柵氧厚度降至22nm以下時，電離碰撞產(chǎn) 生電子一空穴對已不大可能。

大的焦耳熱使溫度升高，溫升又促進(jìn)F-N電流增加，這樣相互促進(jìn)的正反饋作用，最終形成局部高溫，如不能及時控制電流的增長，可使鋁膜、Si02膜和硅熔融，發(fā)生燒毀性擊穿。

   當(dāng)前，對柵氧擊穿主要是由負(fù)電荷的電子或正電荷的空穴起主要作用的問題，尚無明確結(jié)論，文獻(xiàn)報道中說明是正電荷空穴積累得很多。但也不能否定電子的作用，所以可能AXox是由于存在缺陷而使柵氧減薄的量，是等效柵氧厚度，ro為一常數(shù)。這樣?xùn)叛鯎舾F時間的統(tǒng)計分布就可并入AXox的統(tǒng)計分布中，而局部減

薄處的面積并不重要。當(dāng)某個局部處發(fā)生短路，整個柵氧就發(fā)生失效。根據(jù)這一思路，就可編制程序?qū)叛蹩煽啃约右阅M，這就是RERT（美國加州伯克利大學(xué)可靠性模擬工具）中CORS(電路氧化層可靠性模擬器)的數(shù)學(xué)基礎(chǔ)。

   20世紀(jì)90年代以來，一些研究者對柵氧擊穿的物理過程及統(tǒng)計方法提出了一種新的看法，還沒有正式名稱，這里稱為薄柵氧化層與高電場有關(guān)的物理／統(tǒng)計模型。