AA2214CGSK

   氧化層在施加高電場(chǎng)應(yīng)力后，其I-V特性中發(fā)生隧穿前的電流比施加高場(chǎng)應(yīng)力前增加，在電壓脈沖移去后，其瞬態(tài)電流正比于氧化層中產(chǎn)生的陷阱數(shù)，反比于時(shí)間￡，而且陷阱的產(chǎn)生是均勻隨機(jī)分布的。如電子注入的界面處粗糙不平，可能伴隨較高的陷阱產(chǎn)生速率，從而導(dǎo)致較短的擊穿時(shí)間。利用隧穿波陣分析，可確定陷阱產(chǎn)生與電壓、應(yīng)力流、極性及時(shí)間的關(guān)系。實(shí)測(cè)表明：體陷阱產(chǎn)生數(shù)與應(yīng)力流的1／3次方程正比，界面態(tài)的產(chǎn)生數(shù)與應(yīng)力流的1／2次方成正比，而與電壓極性及襯底類(lèi)型無(wú)關(guān)。陷阱的產(chǎn)生與極性無(wú)關(guān)，表明熱載流子或碰撞電離不涉及薄氧化層中陷阱的產(chǎn)生。方次的不同說(shuō)明界面態(tài)的陷阱是二雛的，而體陷阱本質(zhì)上是三維的。當(dāng)體（界面）陷阱密度在l019／cm3(1012 /Cl'l'12．eV)范圍時(shí)，氧化物就引發(fā)擊穿。

   高場(chǎng)下氧化層內(nèi)部產(chǎn)生陷阱。隨著陷阱密度的增加，有更高的電流流過(guò)。當(dāng)某個(gè)局部區(qū)域陷阱密度超過(guò)某一臨界值時(shí)，觸發(fā)的局部電流密度上升，若沿局部路徑足以促使熱燒毀，即發(fā)生擊穿。據(jù)此提出的統(tǒng)計(jì)（擊穿）模型。氧化層面積為A-LW，厚度為d，氧化層被劃分為N個(gè)面積為n的本征小單元，陷阱隨機(jī)地分布其中，當(dāng)某個(gè)小單元的陷阱數(shù)超過(guò)臨界值K時(shí)，引發(fā)該單元擊穿，整個(gè)氧化層燒毀。