MOS IC各引出線應(yīng)短接以保持等電位或安放在導(dǎo)電的容器中，器件要與容器緊密接觸并固定住，防止運輸時在容器內(nèi)晃動摩擦。

    在地球及外層空間中，輻射環(huán)境來自自然界和人造環(huán)境兩個方面。自然環(huán)境中存在著天然輻射帶、宇宙射線、太陽風和太陽光耀斑，它們都是一些帶電或不帶電的粒子，包括質(zhì)子、電子、中子、X射線和丫射線等，其中有的能量很高。

D25XB60

    中子不帶電，具有很強的穿透能力。當中子與硅材料中原子發(fā)生碰撞時，晶格原子在 碰撞中獲得能量而離開其原來位置進入品格間隙，在原來位置處留下一個空位，這種現(xiàn)象 稱為位移效應(yīng)，這是一種永久損傷。若晶格原子能量較高，它的運動還可使路徑上更多晶 格原子發(fā)生位移，在晶格內(nèi)形成局部的損傷區(qū)，這是一種缺陷。由于位移效應(yīng)破壞了半導(dǎo) 體品格的勢能，在禁帶中形成新的電子能級，起復(fù)合中心和散射中心的作用。復(fù)合中心可使半導(dǎo)體內(nèi)多子減少，使材料電阻率增大，向本征硅轉(zhuǎn)變（起雜質(zhì)補償作用>。這種多子減 少效應(yīng)是以多子為導(dǎo)電機理的半導(dǎo)體器件性能衰退的根本原因，它對雙極器件危害最大。 它增加發(fā)射結(jié)空間電荷區(qū)的產(chǎn)生一復(fù)合電流，縮短基區(qū)少子壽命，使電流放大系數(shù)下降，飽 和壓降增加，引起性能退化。其中少子壽命是中子輻照引起半導(dǎo)體材料特性變化最靈敏的 參數(shù)。

核輻射（在各種核反應(yīng)中，從原子核內(nèi)釋放出來的粒子或電磁輻射，都叫核輻射）和核電磁脈沖等。它們不僅在爆炸瞬間對電子系統(tǒng)及設(shè)備產(chǎn)生巨大破壞作用，爆炸過后在地磁場作用下形成人工輻射帶繼續(xù)其破壞作用。而且人工輻射帶（主要是高能電子）的強度比天然輻射帶強得多。此外核反應(yīng)堆附近也存在一定的核輻射，主要是中子和7射線。所以在輻射環(huán)境中，器件會受到這些粒子的傷害而叫輻射損傷。

   輻射對微電子器什的損傷，可分為永久、半永久及瞬時損傷等幾種情況。永久損傷就是指輻射源去除后，器件仍不能恢復(fù)其應(yīng)有的性能。半永久損傷是指輻射源去除后，在較短時間內(nèi)可逐漸自行恢復(fù)性能；而瞬時損傷是指在去除輻射源后，器件性能可立即自行恢復(fù)。輻照效應(yīng)主要包括位移效應(yīng)、電離效應(yīng)、瞬時輻照效應(yīng)和單粒子效應(yīng)。