電子感生電動勢像可以用來觀察半導(dǎo)體器件的電子電動勢像
發(fā)布時間:2019/4/22 21:07:00 訪問次數(shù):903
電子感生電動勢像可以用來觀察半導(dǎo)體器件的電子電動勢像,這對研究PN結(jié)內(nèi)部 和邊緣發(fā)生的各種現(xiàn)象很有效,特別是在加電情況下,對樣品可以進行動態(tài)現(xiàn)察,以確定 PN結(jié)的電性能與晶格缺陷及雜質(zhì)的關(guān)系。
掃描電鏡可安裝專用附件實現(xiàn)一機多用,達到快速、直觀、綜合功能的要求。其他常 用微觀失效分析設(shè)備,它們的工作原理、性質(zhì)及應(yīng)用范圍在表4.2中進行簡單說明。科學(xué) 技術(shù)的進步促使分析設(shè)備不斷出現(xiàn)和更新,大大地推進了失效分析技術(shù)的發(fā)展,新型的分 析設(shè)備層出不窮,關(guān)于失效分析的技術(shù)方法將結(jié)合具體元器件的分析技術(shù)加以介紹。 失效分析常使用各種微觀分析設(shè)備,它們廣泛地應(yīng)用于成分分析、結(jié)構(gòu)分析、表面形態(tài)分析等方面。其詳細工作原理、結(jié)構(gòu)可以在微觀分析課程中找到,這里只簡要加以介紹,目的在于使可靠性工作者會選擇適當?shù)姆制韮x器進行失效分析工作。
掃描電子顯微鏡(SEM)是采用最多的一種大型分析設(shè)備,它是通過高能人射電子束在樣品上逐點轟擊掃描,激發(fā)出各種有用的信息,分別收集這些二次電子、背射電子、透射電子等轉(zhuǎn)換而成像,可以研究三維表面結(jié)構(gòu)及其物理、化學(xué)性質(zhì)。根據(jù)掃描電鏡的電子圖像形成不同,可以有以下不同的用途。
利用二次電子像可以觀察復(fù)雜的表面形貌,研究元器件的工作狀態(tài)(如導(dǎo)通、短路、開路等)。例如,集成電路電阻器的二次電子像所顯示的電位分布,在短路處顯示的高電位。掃描透射電子像可以進行選區(qū)的元素分析。X射線影像顯微分析可用波長色散法通過X射線光譜儀及用能量色散法通過X射線能譜儀,進行元素分析。陰極熒光像可以分析晶體結(jié)構(gòu)缺陷及雜質(zhì)存在的情況。背散射電子像可以測得平均原子序數(shù)及表面凹凸情況的形貌,可以觀測元器件膜層 的均勻性、致密性和完整性。吸收電流像可以研究晶體管或集成電路PN結(jié)性能、晶格缺陷和雜質(zhì)的關(guān)系,檢查擴散區(qū)邊緣的完整性,確定載流子壽命。
電子感生電動勢像可以用來觀察半導(dǎo)體器件的電子電動勢像,這對研究PN結(jié)內(nèi)部 和邊緣發(fā)生的各種現(xiàn)象很有效,特別是在加電情況下,對樣品可以進行動態(tài)現(xiàn)察,以確定 PN結(jié)的電性能與晶格缺陷及雜質(zhì)的關(guān)系。
掃描電鏡可安裝專用附件實現(xiàn)一機多用,達到快速、直觀、綜合功能的要求。其他常 用微觀失效分析設(shè)備,它們的工作原理、性質(zhì)及應(yīng)用范圍在表4.2中進行簡單說明?茖W(xué) 技術(shù)的進步促使分析設(shè)備不斷出現(xiàn)和更新,大大地推進了失效分析技術(shù)的發(fā)展,新型的分 析設(shè)備層出不窮,關(guān)于失效分析的技術(shù)方法將結(jié)合具體元器件的分析技術(shù)加以介紹。 失效分析常使用各種微觀分析設(shè)備,它們廣泛地應(yīng)用于成分分析、結(jié)構(gòu)分析、表面形態(tài)分析等方面。其詳細工作原理、結(jié)構(gòu)可以在微觀分析課程中找到,這里只簡要加以介紹,目的在于使可靠性工作者會選擇適當?shù)姆制韮x器進行失效分析工作。
掃描電子顯微鏡(SEM)是采用最多的一種大型分析設(shè)備,它是通過高能人射電子束在樣品上逐點轟擊掃描,激發(fā)出各種有用的信息,分別收集這些二次電子、背射電子、透射電子等轉(zhuǎn)換而成像,可以研究三維表面結(jié)構(gòu)及其物理、化學(xué)性質(zhì)。根據(jù)掃描電鏡的電子圖像形成不同,可以有以下不同的用途。
利用二次電子像可以觀察復(fù)雜的表面形貌,研究元器件的工作狀態(tài)(如導(dǎo)通、短路、開路等)。例如,集成電路電阻器的二次電子像所顯示的電位分布,在短路處顯示的高電位。掃描透射電子像可以進行選區(qū)的元素分析。X射線影像顯微分析可用波長色散法通過X射線光譜儀及用能量色散法通過X射線能譜儀,進行元素分析。陰極熒光像可以分析晶體結(jié)構(gòu)缺陷及雜質(zhì)存在的情況。背散射電子像可以測得平均原子序數(shù)及表面凹凸情況的形貌,可以觀測元器件膜層 的均勻性、致密性和完整性。吸收電流像可以研究晶體管或集成電路PN結(jié)性能、晶格缺陷和雜質(zhì)的關(guān)系,檢查擴散區(qū)邊緣的完整性,確定載流子壽命。
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