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本試驗(yàn)的芯片試樣應(yīng)從其代表的最終器件中所使用的同一芯片母體中隨機(jī)抽取

發(fā)布時(shí)間:2019/5/23 21:03:10 訪問(wèn)次數(shù):2982

  當(dāng)?shù)寡b芯片所鍵合的基板不是最終器件的基板時(shí),應(yīng)該適用下列條件:GAL22V10D-20LJNI

    (l)本試驗(yàn)的芯片試樣應(yīng)從其代表的最終器件中所使用的同一芯片母體中隨機(jī)抽取。

    (2)在對(duì)最終器件進(jìn)行鍵合期間,本試驗(yàn)所用芯片鍵合試驗(yàn)設(shè)備應(yīng)與最終器件中使用的設(shè)備相同。

   (3)在對(duì)最終器件基板進(jìn)行處理的同一時(shí)期內(nèi),對(duì)試驗(yàn)芯片基板應(yīng)采用與最終器件基板一樣的處理、金屬化和加工。

   經(jīng)校準(zhǔn)的拉脫設(shè)備應(yīng)包括拉開(kāi)棒,其截面積為芯片表面積的70%~78%。該棒用高強(qiáng)度黏結(jié)劑材料(如具有高拉力強(qiáng)度的腈基丙烯酸脂或其他黏結(jié)劑)與倒裝芯片背面相連接;板應(yīng)剛性地安裝在拉開(kāi)夾具中,拉開(kāi)棒應(yīng)與黏結(jié)劑材料形成堅(jiān)固的機(jī)械連接,如圖4-142所示。應(yīng)以(4,9±098)N/s的速率在芯片表面法線方向5°范圍內(nèi)無(wú)沖擊的拉芯片,直到芯片與基板分離。當(dāng)出現(xiàn)失效時(shí),應(yīng)記錄失效時(shí)的力和失效類型。

  

  當(dāng)?shù)寡b芯片所鍵合的基板不是最終器件的基板時(shí),應(yīng)該適用下列條件:GAL22V10D-20LJNI

    (l)本試驗(yàn)的芯片試樣應(yīng)從其代表的最終器件中所使用的同一芯片母體中隨機(jī)抽取。

    (2)在對(duì)最終器件進(jìn)行鍵合期間,本試驗(yàn)所用芯片鍵合試驗(yàn)設(shè)備應(yīng)與最終器件中使用的設(shè)備相同。

   (3)在對(duì)最終器件基板進(jìn)行處理的同一時(shí)期內(nèi),對(duì)試驗(yàn)芯片基板應(yīng)采用與最終器件基板一樣的處理、金屬化和加工。

   經(jīng)校準(zhǔn)的拉脫設(shè)備應(yīng)包括拉開(kāi)棒,其截面積為芯片表面積的70%~78%。該棒用高強(qiáng)度黏結(jié)劑材料(如具有高拉力強(qiáng)度的腈基丙烯酸脂或其他黏結(jié)劑)與倒裝芯片背面相連接;板應(yīng)剛性地安裝在拉開(kāi)夾具中,拉開(kāi)棒應(yīng)與黏結(jié)劑材料形成堅(jiān)固的機(jī)械連接,如圖4-142所示。應(yīng)以(4,9±098)N/s的速率在芯片表面法線方向5°范圍內(nèi)無(wú)沖擊的拉芯片,直到芯片與基板分離。當(dāng)出現(xiàn)失效時(shí),應(yīng)記錄失效時(shí)的力和失效類型。

  

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