器件引出端觀察
發(fā)布時(shí)間:2019/5/28 20:31:42 訪問次數(shù):4922
器件引出端觀察H27U2G8F2CTR-BI
原廠塑封器件的引腳末端經(jīng)過切筋工藝后金屬本體沒有鍍層。而翻新塑封器件則需對(duì)引腳表面進(jìn)行鍍錫處理,卻由于引腳不夠長(zhǎng)不能再進(jìn)行切筋I(lǐng)藝,所以引腳末端斷面通常有完整連續(xù)的鍍層與原廠器件形成差異。
尺寸及重量測(cè)試
假冒翻新的塑封器件是將原標(biāo)志打磨處理,然后進(jìn)行噴涂一層物質(zhì)將研磨痕跡覆蓋,最后在減薄的器件上打上新的標(biāo)志,因此在尺寸上會(huì)出現(xiàn)厚度減薄,高度降低等現(xiàn)象。針對(duì)這一特點(diǎn)采用精密影像測(cè)量?jī)x首先對(duì)塑封器件的高度進(jìn)行測(cè)量,重量也較輕。
X射線分析
在通過初步的外觀分析發(fā)現(xiàn)疑似的翻新器件后,接下來町以采用儀器進(jìn)一步進(jìn)行無損性檢測(cè)分析。運(yùn)用X射線測(cè)試儀對(duì)塑封器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)比對(duì),如芯片尺寸以及鍵合引線的材料、互連方式等于原裝塑封器件之間的差異(內(nèi)部結(jié)構(gòu)對(duì)比如圖5-12所示)。
器件引出端觀察H27U2G8F2CTR-BI
原廠塑封器件的引腳末端經(jīng)過切筋工藝后金屬本體沒有鍍層。而翻新塑封器件則需對(duì)引腳表面進(jìn)行鍍錫處理,卻由于引腳不夠長(zhǎng)不能再進(jìn)行切筋I(lǐng)藝,所以引腳末端斷面通常有完整連續(xù)的鍍層與原廠器件形成差異。
尺寸及重量測(cè)試
假冒翻新的塑封器件是將原標(biāo)志打磨處理,然后進(jìn)行噴涂一層物質(zhì)將研磨痕跡覆蓋,最后在減薄的器件上打上新的標(biāo)志,因此在尺寸上會(huì)出現(xiàn)厚度減薄,高度降低等現(xiàn)象。針對(duì)這一特點(diǎn)采用精密影像測(cè)量?jī)x首先對(duì)塑封器件的高度進(jìn)行測(cè)量,重量也較輕。
X射線分析
在通過初步的外觀分析發(fā)現(xiàn)疑似的翻新器件后,接下來町以采用儀器進(jìn)一步進(jìn)行無損性檢測(cè)分析。運(yùn)用X射線測(cè)試儀對(duì)塑封器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)比對(duì),如芯片尺寸以及鍵合引線的材料、互連方式等于原裝塑封器件之間的差異(內(nèi)部結(jié)構(gòu)對(duì)比如圖5-12所示)。
熱門點(diǎn)擊
- 振動(dòng)試驗(yàn)的試驗(yàn)條件應(yīng)包括以下幾個(gè)方面
- 器件引出端觀察
- 碰撞試驗(yàn)是為了確定重復(fù)性沖擊所引起的累積損傷
- sEM技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)
- 去包封層時(shí)應(yīng)注意以下方面
推薦技術(shù)資料
- DFRobot—玩的就是
- 如果說新車間的特點(diǎn)是“靈動(dòng)”,F(xiàn)QPF12N60C那么... [詳細(xì)]
- 高性能CMOS模擬四通道SPDT多路復(fù)用器應(yīng)
- 頂級(jí)汽車壓力傳感器信號(hào)調(diào)理芯片 (SSC)
- 通用電源管理集成電路 (PMI
- 2.4Ω低導(dǎo)通電阻
- Arm Cortex-M0+微控制器產(chǎn)品組合
- 硅絕緣體(SOI)工藝8位數(shù)字
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究