C-sAM聲學(xué)掃描顯微鏡檢查分析
發(fā)布時(shí)間:2019/5/28 20:34:03 訪問(wèn)次數(shù):2244
C-sAM聲學(xué)掃描顯微鏡檢查分析H27U2G8T2MTP-BC
聲學(xué)掃描顯微鏡不僅可以檢測(cè)原裝塑封器件的多種缺陷,如鍵合區(qū)域面分層、塑封材料內(nèi)部空洞和裂紋、引線框架分層、芯片粘接區(qū)域分層等阝剁,而且也可以用于判定塑封器件是否經(jīng)歷過(guò)熱應(yīng)力。由于材料的熱膨脹系數(shù)不同,焊接使用時(shí)溫度會(huì)加熱到245℃,熱應(yīng)力可能導(dǎo)致內(nèi)部界面出現(xiàn)分層現(xiàn)象,由此通過(guò)聲學(xué)掃描判斷塑封器件是否假冒翻新(如圖5-13所示)。
圖5-13 塑封層分層比對(duì)
塑封器件假冒翻新鑒別的破壞性分析程序
通過(guò)上述無(wú)損性的外觀分析、X射線檢測(cè)分析及聲學(xué)掃描顯微鏡檢查,在基本判定試樣為翻新器件后,采用破壞性(有損的)分析迸一步認(rèn)定。使用濃硫酸腐蝕塑封表面進(jìn)行化學(xué)開(kāi)封,對(duì)除金鍵合絲完整保留外,其它材料鍵合絲,如銅絲或鋁絲在開(kāi)封過(guò)程中均被腐蝕,由此可以判定鍵合絲材料是否與原裝塑封器件一致,從而定性鑒別塑封器件是否存在假冒翻新現(xiàn)象。同時(shí)在開(kāi)封后比對(duì)測(cè)量芯片尺寸差異,觀察芯片上廠家標(biāo)識(shí)以及型號(hào)批次信息與塑料外殼表面信息是否一致,并觀察芯片版圖的差異(如圖5-14、圖5-14所示)。最后對(duì)芯片表面鈍化層和金屬化層進(jìn)行檢查(如圖5-16所示)。
C-sAM聲學(xué)掃描顯微鏡檢查分析H27U2G8T2MTP-BC
聲學(xué)掃描顯微鏡不僅可以檢測(cè)原裝塑封器件的多種缺陷,如鍵合區(qū)域面分層、塑封材料內(nèi)部空洞和裂紋、引線框架分層、芯片粘接區(qū)域分層等阝剁,而且也可以用于判定塑封器件是否經(jīng)歷過(guò)熱應(yīng)力。由于材料的熱膨脹系數(shù)不同,焊接使用時(shí)溫度會(huì)加熱到245℃,熱應(yīng)力可能導(dǎo)致內(nèi)部界面出現(xiàn)分層現(xiàn)象,由此通過(guò)聲學(xué)掃描判斷塑封器件是否假冒翻新(如圖5-13所示)。
圖5-13 塑封層分層比對(duì)
塑封器件假冒翻新鑒別的破壞性分析程序
通過(guò)上述無(wú)損性的外觀分析、X射線檢測(cè)分析及聲學(xué)掃描顯微鏡檢查,在基本判定試樣為翻新器件后,采用破壞性(有損的)分析迸一步認(rèn)定。使用濃硫酸腐蝕塑封表面進(jìn)行化學(xué)開(kāi)封,對(duì)除金鍵合絲完整保留外,其它材料鍵合絲,如銅絲或鋁絲在開(kāi)封過(guò)程中均被腐蝕,由此可以判定鍵合絲材料是否與原裝塑封器件一致,從而定性鑒別塑封器件是否存在假冒翻新現(xiàn)象。同時(shí)在開(kāi)封后比對(duì)測(cè)量芯片尺寸差異,觀察芯片上廠家標(biāo)識(shí)以及型號(hào)批次信息與塑料外殼表面信息是否一致,并觀察芯片版圖的差異(如圖5-14、圖5-14所示)。最后對(duì)芯片表面鈍化層和金屬化層進(jìn)行檢查(如圖5-16所示)。
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