安森美半導(dǎo)體推出業(yè)界最高電壓額定值和
發(fā)布時(shí)間:2007/8/30 0:00:00 訪問(wèn)次數(shù):345
NCP346在外置交流-直流適配器、汽車(chē)充電器附件和/或電池充電器應(yīng)用中能承受高達(dá)30伏的電壓瞬變和25伏的穩(wěn)態(tài)電壓。
安森美半導(dǎo)體(美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ONNN),不斷推出令設(shè)計(jì)者能設(shè)計(jì)出相異便攜產(chǎn)品的電源管理器件,現(xiàn)推出NCP346過(guò)壓保護(hù)電路,優(yōu)化了其在外置交流-直流適配器、汽車(chē)充電器附件和/或電池可充電器中的應(yīng)用。此器件具優(yōu)良的電壓能力且關(guān)斷速度比標(biāo)準(zhǔn)CMOS監(jiān)測(cè)電路更快,極為適合應(yīng)用于手機(jī)、數(shù)字相機(jī)、便攜計(jì)算機(jī)、PDA和便攜CD播放機(jī)中。
NCP346過(guò)壓保護(hù)電路是電池充電系統(tǒng)中的一個(gè)關(guān)鍵元件,專(zhuān)門(mén)用來(lái)保護(hù)敏感的充電電子產(chǎn)品,通過(guò)迅速將其從適配器斷開(kāi),使其免受輸入中檢測(cè)出的高壓影響。NCP346采用強(qiáng)化BiCMOS工藝制造,可在少于1微秒內(nèi)關(guān)斷一系列PFET且承受高達(dá)30伏(V)的過(guò)壓瞬變(或25V穩(wěn)態(tài)電壓)。相對(duì)NCP346的唯一競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手器件選擇是低電壓CMOS監(jiān)測(cè)電路,在相應(yīng)的電容負(fù)載下,但電壓額定值只達(dá)12V,關(guān)斷時(shí)間在200微秒范圍。
由于NCP346能承受高達(dá)30V的電壓瞬變,所以可避免許多適配器故障。過(guò)壓關(guān)斷時(shí)間少于1微秒有助防止損害保護(hù)電路。此器件的檢測(cè)臨界為4.45V 或5.5V,適用于大部分充鋰離子或鋰聚合物電池的交流-直流適配器中。如使用外置電阻分割器,此器件可調(diào)整至其他電壓電平。 安森美半導(dǎo)體便攜產(chǎn)品市場(chǎng)總監(jiān)Andy Khayat說(shuō):“根據(jù)適配器的復(fù)雜程度,其輸出的電壓瞬變可遠(yuǎn)高于目前便攜產(chǎn)品中的敏感電子元件的最大電壓。由于亞微米硅平版刻法的進(jìn)步,許多集成電路的工作電壓已降低,所以電路保護(hù)變得更為關(guān)鍵!
封裝
NCP346采用薄型SOT-23封裝。
(轉(zhuǎn)自 中國(guó)元器件在線)
NCP346在外置交流-直流適配器、汽車(chē)充電器附件和/或電池充電器應(yīng)用中能承受高達(dá)30伏的電壓瞬變和25伏的穩(wěn)態(tài)電壓。
安森美半導(dǎo)體(美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ONNN),不斷推出令設(shè)計(jì)者能設(shè)計(jì)出相異便攜產(chǎn)品的電源管理器件,現(xiàn)推出NCP346過(guò)壓保護(hù)電路,優(yōu)化了其在外置交流-直流適配器、汽車(chē)充電器附件和/或電池可充電器中的應(yīng)用。此器件具優(yōu)良的電壓能力且關(guān)斷速度比標(biāo)準(zhǔn)CMOS監(jiān)測(cè)電路更快,極為適合應(yīng)用于手機(jī)、數(shù)字相機(jī)、便攜計(jì)算機(jī)、PDA和便攜CD播放機(jī)中。
NCP346過(guò)壓保護(hù)電路是電池充電系統(tǒng)中的一個(gè)關(guān)鍵元件,專(zhuān)門(mén)用來(lái)保護(hù)敏感的充電電子產(chǎn)品,通過(guò)迅速將其從適配器斷開(kāi),使其免受輸入中檢測(cè)出的高壓影響。NCP346采用強(qiáng)化BiCMOS工藝制造,可在少于1微秒內(nèi)關(guān)斷一系列PFET且承受高達(dá)30伏(V)的過(guò)壓瞬變(或25V穩(wěn)態(tài)電壓)。相對(duì)NCP346的唯一競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手器件選擇是低電壓CMOS監(jiān)測(cè)電路,在相應(yīng)的電容負(fù)載下,但電壓額定值只達(dá)12V,關(guān)斷時(shí)間在200微秒范圍。
由于NCP346能承受高達(dá)30V的電壓瞬變,所以可避免許多適配器故障。過(guò)壓關(guān)斷時(shí)間少于1微秒有助防止損害保護(hù)電路。此器件的檢測(cè)臨界為4.45V 或5.5V,適用于大部分充鋰離子或鋰聚合物電池的交流-直流適配器中。如使用外置電阻分割器,此器件可調(diào)整至其他電壓電平。 安森美半導(dǎo)體便攜產(chǎn)品市場(chǎng)總監(jiān)Andy Khayat說(shuō):“根據(jù)適配器的復(fù)雜程度,其輸出的電壓瞬變可遠(yuǎn)高于目前便攜產(chǎn)品中的敏感電子元件的最大電壓。由于亞微米硅平版刻法的進(jìn)步,許多集成電路的工作電壓已降低,所以電路保護(hù)變得更為關(guān)鍵。”
封裝
NCP346采用薄型SOT-23封裝。
(轉(zhuǎn)自 中國(guó)元器件在線)
熱門(mén)點(diǎn)擊
- VC0928:64和弦MIDI音頻處理芯片
- LTPS-TFT LCD未來(lái)四大趨勢(shì)
- 臺(tái)灣的微電子技術(shù)及產(chǎn)業(yè)(二)
- TI最新3.3V PECL/TTL轉(zhuǎn)換器適于
- ADI最新有源射頻分路器IC使有線電視和計(jì)算
- ASMI在新加坡設(shè)立晶圓加工設(shè)備廠
- 周立功公司成為Sipex半導(dǎo)體產(chǎn)品代理商
- HLMP-CWxx/FWxx:超亮度白光LE
- 微電子封裝技術(shù)對(duì)SMT的促進(jìn)作用
- 英飛凌推出功率MOSFET和智能功率開(kāi)關(guān)全新
推薦技術(shù)資料
- 自制智能型ICL7135
- 表頭使ff11CL7135作為ADC,ICL7135是... [詳細(xì)]
- MOSFET 電感單片降壓開(kāi)關(guān)模式變換器優(yōu)勢(shì)
- SiC MOSFET 和 IG
- 新型 電隔離無(wú)芯線性霍爾效應(yīng)電
- 業(yè)界超小絕對(duì)位置編碼器技術(shù)參數(shù)設(shè)計(jì)
- 高帶寬、更高分辨率磁角度傳感技術(shù)應(yīng)用探究
- MagAlpha 角度位置傳感
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究