晶體管特性參數(shù)

   (1)擊穿電壓:晶體管在工作中,反向輸出電流急劇增大時所對應(yīng)的反向電壓。EC9401-3.3-AF

   (2)飽和電壓:輸出的集電極電流IC只訣定于外部電路的參量而與輸入電流無關(guān)時對應(yīng)的電壓值。

   (3)截止電流(反向電流):當發(fā)射極(或集電極)開路,其反向電壓為規(guī)定值時,流過基極-集電極結(jié)(或基極一發(fā)射極結(jié))的反向電流。

   (4)開關(guān)晶體管的延遲時間:給開關(guān)晶體管的輸入端施加使其從非導通態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷☉B(tài)的脈沖開始,到由電荷載流子引起的脈沖在輸出端上出現(xiàn)為止的時間間隔。

   (5)開關(guān)晶體管的上升時間:當開關(guān)晶體管從非導通態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷☉B(tài)時,在輸出端子上脈沖的數(shù)值分別達到規(guī)定的上限和下限兩個瞬間的時間間隔。

   (6)開關(guān)晶體管的下降時間:當開關(guān)晶體管從導通態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榉菍☉B(tài)時,在輸出端子上脈沖的數(shù)值分別達到規(guī)定的上限和下限兩個瞬間的時間間隔。

   (7)最高振蕩頻率:在規(guī)定的條件下,晶體管振蕩的最高頻率。

   (8)特征頻率:共發(fā)射極小信號短路正向電流傳輸比的模數(shù)|九1e|和測量頻率(所選擇的測量頻率應(yīng)使|繞1c|以近似6dB/倍頻程遞減)的乘積。

   (9)小信號短路正向電流傳輸比:在小信號條件下,輸出對交流短路時,交流輸出電流與產(chǎn)生它的小的正弦輸入電流之比。

   (10)正向電流傳輸比的靜態(tài)值:輸出電壓保持不變時,輸出直流電流與輸入直流電流之比。

   (11)固有(大信號)正向電流傳輸比:當集電極一發(fā)射極電壓值為規(guī)定的常數(shù)時,集電極直流電流與集電極-基極截止電流的差除以基極直流電流與集電極一基極截止電流的和。

   (⒓)小信號開路反向電壓傳輸比:在小信號條件,下輸入端交流開路時輸入端上的交流電壓與施加在輸出端上的交流電壓之比。

   (13)開關(guān)晶體管的飽和瞬態(tài)電流比:晶體管的瞬態(tài)集電極電流與維持飽和所必須的最小基極電流之比。

   (14)阿萊電壓:在以基極電流作為參變量的集電極電流與集電極一發(fā)射極電壓的關(guān)系圖上,把輸出特性反向外推到電壓軸上,與此交點對應(yīng)的電壓稱為阿萊電壓,如圖5-11所示。