MOSFET原理(以N溝增強(qiáng)型為例)

   由圖5-18可以看出,MOsFET襯底材料為P型硅,源區(qū)和漏區(qū)均為N+區(qū),在柵極電壓為零時(shí),由于氧化層中正電荷的作用使半導(dǎo)體表面耗盡但未形成導(dǎo)電溝道,當(dāng)在柵極加上正電壓時(shí),表面有耗盡層變?yōu)榉葱蛯?當(dāng)/Gf/T(閾值電壓)表面發(fā)生強(qiáng)反型,即形成N型溝道,則此時(shí)加在柵極上的電壓/T即為MOs管的開啟電壓,在此時(shí)如果在漏源之間加正電壓,電子能夠從源極流向漏極,形成漏極向源極的電流。ECCT3F470JG

   MOsFET的源區(qū)和漏區(qū)在結(jié)構(gòu)上是對稱的,工作中的器件的源極和漏極由外加電壓極性確定。但是一些分立器件和集成電路中的部分晶體管在圖形設(shè)計(jì)時(shí)常常將源極和襯底連接在一起,這類器件的源極和漏極是固定的。

   功率MOSFET

   功率場效應(yīng)管(Powcr MOSFET)是一種單極型的電壓控制器件,不但有自關(guān)斷能力,而且有驅(qū)動(dòng)功率小、開關(guān)速度高、無二次擊穿、安全工作區(qū)寬等特點(diǎn)。由于其易于驅(qū)動(dòng)和開關(guān)頻率可高達(dá)5OOkHz,特別適于高頻化電力電子裝置,如應(yīng)用于DC/DC變換、開關(guān)電源、便攜式電子設(shè)備、航空航天以及汽車等電子電器設(shè)備中。

   功率場效應(yīng)晶體管導(dǎo)電機(jī)理與小功率絕緣柵MOS管相同,但結(jié)構(gòu)有很大區(qū)別。小功率絕緣柵MOs管是一次擴(kuò)散形成的器件,導(dǎo)電溝道平行于芯片表面,橫向?qū)щ�。電力場效�?yīng)晶體管大多采用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu),提高了器件的耐電壓和耐電流的能力。按垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的不同,又可分為2種:Ⅴ形槽VVMOs和雙擴(kuò)散VDMOS。功率場效應(yīng)管采用多單元集成結(jié)構(gòu),一個(gè)器件由成千上萬個(gè)小的MOSFET組成。N溝道增強(qiáng)型雙擴(kuò)散電力場效應(yīng)晶體管一個(gè)單元的部面圖,如圖5-19(a)所示。電氣符號如圖5-19(b)所示。