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真空電子器件

發(fā)布時(shí)間:2019/6/27 22:24:45 訪問(wèn)次數(shù):792

   真空電子器件是當(dāng)代國(guó)防武器裝備和國(guó)民經(jīng)濟(jì)各部門都在使用的一類重要的電子器件,其進(jìn)一步發(fā)展方向是高功率、高頻率、高可靠、高效率和集成化。IDT71016S15PH其中集成化方向發(fā)展更為顯著,與傳統(tǒng)真空電子器件不同,集成化真空電子器件的研究主要是指W波段及以上頻率的微型真空電子功率器件基礎(chǔ)理論、關(guān)鍵技術(shù)及其系統(tǒng)集成等。一方面是通過(guò)將真空電子器件與微米級(jí)至納米級(jí)高精度的微加工技術(shù)相交叉與融合,制作出微型化的真空電子器件關(guān)鍵部件;另一方面是借鑒集成化電路的概念和方法,利用微加工技術(shù)和微組裝工藝將多個(gè)微型真空電子器件集成到一個(gè)芯片或組件上,形成高頻功率片上系統(tǒng)(RFPSOC),有效地解決真空電子器件在高頻段提高效率和輸出功率的關(guān)鍵科學(xué)問(wèn)題和瓶頸技術(shù)。另外,微加工技術(shù)在真空電子器件制造上的應(yīng)用和太赫茲真空電子器件的發(fā)展正在走向深入,兩者都使真空電子器件進(jìn)入一個(gè)嶄新的階段。


   隨著真空電子器件逐漸采用高精度平面高頻系統(tǒng)以及微加工和微組裝技術(shù),制作出的結(jié)構(gòu)緊湊、一致性好、頻帶寬、大功率亞毫米波以及太赫茲輻射源等器件,其高頻電路的色散特性、耦合阻抗等冷態(tài)參數(shù)測(cè)試方法和試驗(yàn)手段將是未來(lái)持續(xù)發(fā)展的方向和研究熱點(diǎn)。




   真空電子器件是當(dāng)代國(guó)防武器裝備和國(guó)民經(jīng)濟(jì)各部門都在使用的一類重要的電子器件,其進(jìn)一步發(fā)展方向是高功率、高頻率、高可靠、高效率和集成化。IDT71016S15PH其中集成化方向發(fā)展更為顯著,與傳統(tǒng)真空電子器件不同,集成化真空電子器件的研究主要是指W波段及以上頻率的微型真空電子功率器件基礎(chǔ)理論、關(guān)鍵技術(shù)及其系統(tǒng)集成等。一方面是通過(guò)將真空電子器件與微米級(jí)至納米級(jí)高精度的微加工技術(shù)相交叉與融合,制作出微型化的真空電子器件關(guān)鍵部件;另一方面是借鑒集成化電路的概念和方法,利用微加工技術(shù)和微組裝工藝將多個(gè)微型真空電子器件集成到一個(gè)芯片或組件上,形成高頻功率片上系統(tǒng)(RFPSOC),有效地解決真空電子器件在高頻段提高效率和輸出功率的關(guān)鍵科學(xué)問(wèn)題和瓶頸技術(shù)。另外,微加工技術(shù)在真空電子器件制造上的應(yīng)用和太赫茲真空電子器件的發(fā)展正在走向深入,兩者都使真空電子器件進(jìn)入一個(gè)嶄新的階段。


   隨著真空電子器件逐漸采用高精度平面高頻系統(tǒng)以及微加工和微組裝技術(shù),制作出的結(jié)構(gòu)緊湊、一致性好、頻帶寬、大功率亞毫米波以及太赫茲輻射源等器件,其高頻電路的色散特性、耦合阻抗等冷態(tài)參數(shù)測(cè)試方法和試驗(yàn)手段將是未來(lái)持續(xù)發(fā)展的方向和研究熱點(diǎn)。




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