片式膜固定電阻器的電阻值測(cè)試方法
發(fā)布時(shí)間:2019/6/30 17:56:05 訪問(wèn)次數(shù):1100
電阻值 GBLC08CI-LF-T7
片式膜固定電阻器的電阻值測(cè)試方法依據(jù)GJB1zI32B-2009《片式膜固定電阻器通用規(guī)范》第4.52條進(jìn)行,環(huán)境溫度要求為25℃夕℃,加在被試電阻器上的能量不應(yīng)超過(guò)25℃下額定功耗值與1s∶的乘積的10%,測(cè)試電壓應(yīng)該加在電阻器的引出端上,最大直流測(cè)試電壓見(jiàn)表⒐5。
表⒐5 片式膜固定電阻器直流電阻測(cè)試電壓要求
精密固定電阻器的電阻值測(cè)試方法依據(jù)GJB1862―%《有可靠性指標(biāo)的精密固定電阻器總規(guī)范》進(jìn)行,環(huán)境溫度要求為25℃±2℃,測(cè)試電壓不應(yīng)使電阻器產(chǎn)生明顯的溫升,直流測(cè)試電壓見(jiàn)表9-6。
測(cè)試儀器的精度應(yīng)不超過(guò)被測(cè)電阻器精度的1/10,比如,電阻器精度為±1%,則測(cè)試儀器的精度不得低于±0,1%;對(duì)于阻值精度高±0,1%的電阻器,則測(cè)試儀器的精度允許為其精度的1抑,比如,電阻精度為±0。l%,則測(cè)試儀器的精度應(yīng)高于±0.隴5%。在對(duì)高精密合金箔
電阻器進(jìn)行“直流電阻”測(cè)量時(shí),建議使用不低于七位半的數(shù)字表,并采用四端法測(cè)量,以保證阻值測(cè)量的準(zhǔn)確性。測(cè)試電壓應(yīng)使用直流電壓,在保證靈敏度的情況下測(cè)試電壓應(yīng)盡量低,時(shí)間應(yīng)盡量短。對(duì)于高阻的電阻器測(cè)量必須注意周圍電磁場(chǎng)的影響,測(cè)試夾具中的支撐架要有良好的絕緣及屏蔽性能,測(cè)試儀器還應(yīng)有良好的接地。對(duì)于低阻值電阻器的測(cè)量必須采用四端測(cè)量法。
電阻值 GBLC08CI-LF-T7
片式膜固定電阻器的電阻值測(cè)試方法依據(jù)GJB1zI32B-2009《片式膜固定電阻器通用規(guī)范》第4.52條進(jìn)行,環(huán)境溫度要求為25℃夕℃,加在被試電阻器上的能量不應(yīng)超過(guò)25℃下額定功耗值與1s∶的乘積的10%,測(cè)試電壓應(yīng)該加在電阻器的引出端上,最大直流測(cè)試電壓見(jiàn)表⒐5。
表⒐5 片式膜固定電阻器直流電阻測(cè)試電壓要求
精密固定電阻器的電阻值測(cè)試方法依據(jù)GJB1862―%《有可靠性指標(biāo)的精密固定電阻器總規(guī)范》進(jìn)行,環(huán)境溫度要求為25℃±2℃,測(cè)試電壓不應(yīng)使電阻器產(chǎn)生明顯的溫升,直流測(cè)試電壓見(jiàn)表9-6。
測(cè)試儀器的精度應(yīng)不超過(guò)被測(cè)電阻器精度的1/10,比如,電阻器精度為±1%,則測(cè)試儀器的精度不得低于±0,1%;對(duì)于阻值精度高±0,1%的電阻器,則測(cè)試儀器的精度允許為其精度的1抑,比如,電阻精度為±0。l%,則測(cè)試儀器的精度應(yīng)高于±0.隴5%。在對(duì)高精密合金箔
電阻器進(jìn)行“直流電阻”測(cè)量時(shí),建議使用不低于七位半的數(shù)字表,并采用四端法測(cè)量,以保證阻值測(cè)量的準(zhǔn)確性。測(cè)試電壓應(yīng)使用直流電壓,在保證靈敏度的情況下測(cè)試電壓應(yīng)盡量低,時(shí)間應(yīng)盡量短。對(duì)于高阻的電阻器測(cè)量必須注意周圍電磁場(chǎng)的影響,測(cè)試夾具中的支撐架要有良好的絕緣及屏蔽性能,測(cè)試儀器還應(yīng)有良好的接地。對(duì)于低阻值電阻器的測(cè)量必須采用四端測(cè)量法。
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