InGaAs短波紅外焦平面組件

   1.概述 K4B8G1646B-MIKO

   InGaAs短波紅外焦平面探測(cè)器可分為短波長(zhǎng)和長(zhǎng)波長(zhǎng)兩種類型。短波長(zhǎng)InGaAs探測(cè)器的響應(yīng)波段為09~17um,長(zhǎng)波長(zhǎng)InGaAs探測(cè)器的響應(yīng)波段為0.9~2.6um。當(dāng)入射光照射到光敏元上時(shí),將被InGaAs材料吸收,這時(shí)電子從InGaAs的價(jià)帶激發(fā)到導(dǎo)帶而產(chǎn)生光生載流子。當(dāng)PN結(jié)處于反向狀態(tài)時(shí),光生載流子在電場(chǎng)的作用下漂移通過耗盡層而在外電路形成光電流,從而實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換。

   InGaAs短波紅外焦平面組件可應(yīng)用于電子系統(tǒng)等領(lǐng)域。

  2.主要技術(shù)參數(shù)

  InGaAs短波紅外焦平面組件主要技術(shù)參數(shù)有響應(yīng)波段、靈敏面積、平均峰值探測(cè)率、響應(yīng)非均勻性、盲元率、工作溫度等。