光電晶體管的集電極一發(fā)射極飽和電壓
發(fā)布時間:2019/7/2 21:34:08 訪問次數(shù):1540
光電晶體管的集電極一發(fā)射極飽和電壓
1.測試電路圖(見圖10-20)H5PS1G63EFR-S6C
圖10-20 光電管飽和電壓測試電路圖
圖中,LS為光輻射源;
D為被測光電晶體管;
V為電壓表;
A為電流表;
G為電流源。
2.測量程序
(1)在規(guī)定的溫度條件下;
(2)將光輻射源穩(wěn)定在凡或民的規(guī)定值,并將集電極電流調(diào)到規(guī)定值,然后測量被測光電晶體管集電極一發(fā)射極飽和電壓。
3.注意事項(xiàng)
(1)應(yīng)避免由于光源的輻射事被測器件過熱,對于超過200W/亻議安裝隔熱板作為快門,以限制曝光的持續(xù)時間。
(2)應(yīng)保證光學(xué)面的清潔度。
(3)測量前應(yīng)使光源穩(wěn)定。
光電晶體管的集電極一發(fā)射極飽和電壓
1.測試電路圖(見圖10-20)H5PS1G63EFR-S6C
圖10-20 光電管飽和電壓測試電路圖
圖中,LS為光輻射源;
D為被測光電晶體管;
V為電壓表;
A為電流表;
G為電流源。
2.測量程序
(1)在規(guī)定的溫度條件下;
(2)將光輻射源穩(wěn)定在凡或民的規(guī)定值,并將集電極電流調(diào)到規(guī)定值,然后測量被測光電晶體管集電極一發(fā)射極飽和電壓。
3.注意事項(xiàng)
(1)應(yīng)避免由于光源的輻射事被測器件過熱,對于超過200W/亻議安裝隔熱板作為快門,以限制曝光的持續(xù)時間。
(2)應(yīng)保證光學(xué)面的清潔度。
(3)測量前應(yīng)使光源穩(wěn)定。
上一篇:電二極管和光電晶體管的暗電流
上一篇:光電耦合器的電流傳輸比
熱門點(diǎn)擊
- 置位和復(fù)位指令
- 功能塊圖(FBD)編程語言
- 雜波抑制度和諧波抑制度測試方法
- 特種元器件
- 取非觸點(diǎn)指令和空操作指令
- S7-200指令參數(shù)所用的基本數(shù)據(jù)類型有哪些
- 啟動過沖、啟動延遲測試
- 凸輪控制器
- 存儲器區(qū)域
- 輸出高低電平電壓測試
推薦技術(shù)資料
- 按鈕與燈的互動實(shí)例
- 現(xiàn)在趕快去看看這個目錄卞有什么。FGA15N120AN... [詳細(xì)]
- AMOLED顯示驅(qū)動芯片關(guān)鍵技
- CMOS圖像傳感器技術(shù)參數(shù)設(shè)計
- GB300 超級芯片應(yīng)用需求分
- 4NP 工藝NVIDIA Bl
- GB300 芯片、NVL72
- 首個最新高端芯片人工智能服務(wù)器
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究