測(cè)試技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)

   外殼的發(fā)展圍繞著兩個(gè)方面進(jìn)行。一是封裝形式和封裝密度,隨著小型化、多引腳、 H5PS5162FFR-S5C高密高可靠、耐惡劣環(huán)境、長(zhǎng)壽命的需求提高,外殼從最初的單列葺插發(fā)展到如今的面陣列形如圖13-8所示。板上芯片、帶上芯片和KGD一段時(shí)間是封裝的熱點(diǎn),受元器件芯片本身防護(hù)工藝水平的限制,這些封裝工藝目前處于發(fā)展瓶頸期;二是外殼材料的發(fā)展。隨著外殼應(yīng)用環(huán)境惡劣性以及對(duì)輕型質(zhì)量的需求,要求外殼所用材料的性能提升和創(chuàng)新,從而使得新材料或納米材料等應(yīng)用到了外殼領(lǐng)域。典型的HTCC(高溫共燒陶瓷)、LTCc(低溫共燒陶瓷)、微晶玻璃、氮化鋁陶瓷的技術(shù)參數(shù)不斷提升,鎢銅材料和制備工藝的提升解決了大熱導(dǎo)率問(wèn)題,高硅鋁材料解決了航天航空對(duì)輕型管殼的需求,還有在抗輻照方面的管殼材料等。

   圖13⒙ 外殼封裝形式發(fā)展方向圖

   目前外殼測(cè)試技術(shù)面臨的主要技術(shù)難點(diǎn)是大陣列管殼引線電阻的測(cè)試方法和一致性要求,這需要開(kāi)發(fā)飛針測(cè)試系統(tǒng),引線選擇、測(cè)試算法和校準(zhǔn)都能夠自動(dòng)完成。外殼封裝體積和封裝密度的提高對(duì)管殼共面性、平面度、形位公差等尺寸提出了更高的要求,這些參數(shù)需要規(guī)范測(cè)試標(biāo)準(zhǔn),并形成帶自動(dòng)掃描測(cè)量的影像測(cè)試系統(tǒng)才能夠?qū)崿F(xiàn),優(yōu)化測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)和算法是提高測(cè)試效率行之有效的方法。高密度封裝導(dǎo)致內(nèi)部焊點(diǎn)和焊盤(pán)的尺寸越來(lái)越小,焊盤(pán)鍍層的評(píng)價(jià)技術(shù)遇到了瓶頸,原來(lái)的X射線熒光測(cè)試設(shè)備已經(jīng)很難再把光斑縮小,需要開(kāi)發(fā)新的測(cè)試方法和測(cè)試手段。小腔體內(nèi)部氣體保證技術(shù)是提升元器件可靠性的關(guān)鍵因素,但小腔體內(nèi)部殘存氣體的測(cè)試技術(shù)是個(gè)棘手的問(wèn)題,原有的四極質(zhì)譜能保證測(cè)試0,01cc腔體氣體的精度,更小腔體內(nèi)的氣體測(cè)試則需發(fā)展類(lèi)似TOP質(zhì)譜分析系統(tǒng)。新型材料和大體積封裝凸顯出熱應(yīng)力的作用,發(fā)展熱翹曲形變測(cè)量技術(shù)是對(duì)該類(lèi)型管殼參數(shù)評(píng)價(jià)的核心。