功率場效應(yīng)晶體管的串并聯(lián)

    1 功率MOSFET的串聯(lián)H55S1222EFP-60M

   一般來說,因為功率MOSFET經(jīng)常工作在高頻開關(guān)電路中,在解決動態(tài)均壓時,由于分布參數(shù)的影響,常用的電阻與電容串聯(lián)難以做到十分滿意,所以通常不將它們串聯(lián)工作。

   2功率MOsFET的并聯(lián)

   由于功率MOsFET的導(dǎo)通電阻是單極載流子承載的,具有正的電阻溫度系數(shù)。當(dāng)電流意外增大時,附加發(fā)熱使導(dǎo)通電阻自行增大,對電流的正增量有抑制作用,所以功率MOSFET對電流有一定的自限流能力,比較適合于并聯(lián)使用而不必采用并聯(lián)均流措施。功率MOSFET不會出現(xiàn)電流集中而引起器件損壞,因為功率MC)sFET具有正的溫度系數(shù)。當(dāng)某一部分的漏極電流增加時,由于損耗增大,會引起該區(qū)域的溫度升高,漏極電流又降下來,這種特性消除了因電流集中出現(xiàn)局部熱點的可能性。