晶閘管中通過(guò)的電流波形如圖⒈68所示,求晶閘管電流的有效值、平均值、波形系數(shù)及晶閘管額定電流。H55S1G22MFP-A3

    額定電流為10A的晶間管能否通過(guò)15A的直流電流?

   溫度升高后,使晶閘管導(dǎo)通的觸發(fā)電流、正反向漏電流、正向轉(zhuǎn)折電壓和反向擊穿電壓各如何變化?

   比較GTO與晶閘管的導(dǎo)通和關(guān)斷,說(shuō)明它們之間的不同之處。

   電力電子器件為何要設(shè)置緩沖電路?并說(shuō)明其作用。有哪些緩沖電路形式?

   簡(jiǎn)要說(shuō)明大功率晶體管BJT與小功率晶體管的作用有何不同。

   導(dǎo)致BJT二次擊穿的因素有哪些?可采取何種措施抑制二次擊穿出現(xiàn)?

    MOsFET會(huì)發(fā)生二次擊穿嗎?為什么?

    功率MOsFET是電壓控制器件,是否需要柵極驅(qū)動(dòng)電流?

    功率MOSFET的靜電保護(hù)措施有哪些?

    IGBT在何種情況下會(huì)出現(xiàn)擎住效應(yīng)?使用中如何避免出現(xiàn)該效應(yīng)?

    全控型器件的緩沖電路的主要作用是什么?試說(shuō)明RCD緩沖電路中各元件的作用。

   列表比較BJT、SCR、GTO、功率MOSFET、IGBT等開關(guān)器件觸發(fā)(或驅(qū)動(dòng))電流或電壓波形的要求及主要優(yōu)缺點(diǎn)。

   晶閘管并聯(lián)時(shí),引起電流不平衡的原因是什么?如何抑制?

   晶閘管串聯(lián)時(shí),引起電壓不平衡的原因是什么?如何抑制?

   21世紀(jì)電力電子開關(guān)器件最可能的重大技術(shù)發(fā)展是什么?(要求查閱相關(guān)文獻(xiàn))