程序存儲器

   片上的程序存儲器如下:CAT809MTBI-GT3

   1)32Κ×16位,FLASH,存放固化程序和重要參數(shù)。

   2)4Κ×16位,SARAM,存放調(diào)試程序。

   3)乃6×16位,DARAM,存放運算系數(shù)。

    上的32K×16位FLASH存儲器由兩塊相互獨立的16Κ×16位FLASH存儲器構(gòu)成,可獨立的對它們進行讀取、擦除、編程等操作。這兩塊FLASH工作模式的切換,分別由片上兩個I/O映射寄存器控制。這兩塊FLASH存儲器,一塊可以用于存放固化程序,另一塊存放重要參數(shù),實現(xiàn)FLASH存儲器在線編程。由于”06中斷向量從OO00H開始,所以用第一塊FLASH存放同化程序,第二塊FLASH存放重要參數(shù)。

   上的4Κ×16位SARAM通過片上一個I/O映射寄存器,既可配置為程序存儲器,也可配置成數(shù)據(jù)存儲器,或兩者皆是。FTU的CPU板上沒有外部程序存儲器,所以調(diào)試時將此4Κ×16位SARAM配置成程序/數(shù)據(jù)兩者皆是方式,將調(diào)試程序定位到此4Κ×16位SARAM上,便于實現(xiàn)程序加載、設(shè)置軟件斷點等仿真調(diào)試功能。調(diào)試完成后,程序重定位到FLASH存儲器上,通過仿真器將程序燒錄FLASH中,詳細操作稍后介紹。

    6×16位DARAM(B0塊)通過片上狀態(tài)/控制寄存器,既可配置成程序存儲器,也可配置為數(shù)據(jù)存儲器。用它存放相關(guān)和數(shù)字濾波器等D叩算法的系數(shù)非常合適,這是因為BCl塊為單周期-雙獲取存儲器。