SBC196NU40 低功耗和高速TTL器件
發(fā)布時(shí)間:2019/10/10 20:20:05 訪問(wèn)次數(shù):1114
SBC196NU40目前使用的兩種雙極型數(shù)字集成電路是TTL和ECL系列。TTL是應(yīng)用最早,技術(shù)比較成熟的集成電路,曾被廣泛使用。大規(guī)模集成電路的發(fā)展要求每個(gè)邏輯單元電路的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,并且功耗低。TTL電路不能滿足這個(gè)條件,因此逐漸被CMOs電路取代,退出其主導(dǎo)地位。由于TTL技術(shù)在整個(gè)數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域中的歷史地位和影響,很多數(shù)字系統(tǒng)設(shè)計(jì)技術(shù)仍采用TTL技術(shù),特別是從小規(guī)模到中規(guī)模數(shù)字系統(tǒng)的集成,因此推出了新型的低功耗和高速TTL器件,這種新型的TTL使用肖特基勢(shì)壘二極管(BSD①),以避免BJT工作在飽和狀態(tài),從而提高工作速度。
最早的TTL門(mén)電路是74系列。后來(lái)出現(xiàn)了改進(jìn)型的74H系列,其工作速度提高了,但功耗卻增加了。而74L系列的功耗降低了很多,但工作速度也降低了。為了解決功耗和速度之間的矛盾,推出了低功耗和高速的74S系列,它使用肖特基晶體三極管,使電路的工作速度和功耗均得到改善。之后又生產(chǎn)出74LS系列,其速度與74系列相當(dāng),但功耗卻降低到74系列的1/5.74LS系列廣泛應(yīng)用于中、小規(guī)模集成電路。隨著集成電路的發(fā)展,生產(chǎn)出進(jìn)一步改進(jìn)的TTL系列被廣泛使用。ECL電路主要用于高速或超高速數(shù)字系統(tǒng)或設(shè)各中.砷化鎵是繼鍺和硅之后發(fā)展起來(lái)的新一代半導(dǎo)體材料。由于砷化鎵器件中1BSD系SchottkIBarricroDiodc的縮寫(xiě)。
載流子的遷移率非常高,因而其工作速度比硅器件快得多,并且具有功耗低和抗輻射的特點(diǎn),已成為光纖通信、移動(dòng)通信以及全球定位系統(tǒng)等應(yīng)用的首選電路。
邏輯電路的一股特性,生產(chǎn)邏輯門(mén)電路的廠家,通常都要為用戶提供各種邏輯器件的數(shù)據(jù)手冊(cè),手冊(cè)中一般都要給出門(mén)電路的電壓傳輸特性矽1-v。,輸人和輸出的高、低電壓,噪聲容限,傳輸延遲時(shí)間,功耗等。除傳輸特性外,其他各項(xiàng)技術(shù)參數(shù)分別介紹如下:
輸入和輸出的高、低電平,前已討論,數(shù)字電路中的高、低電壓常用高、低電平來(lái)描述,并規(guī)定在正邏輯體制中,用邏輯1和0分別表示高、低電平。當(dāng)邏輯電路的輸人信號(hào)在一定范圍內(nèi)變化時(shí),輸出電壓并不會(huì)改變,因此邏輯1或0對(duì)應(yīng)一定的電壓范圍。對(duì)于典型工作電壓為5V的74HC系列CMOs邏輯電路,輸人電壓在3.5~5,0V范圍對(duì)應(yīng)高電平邏輯1,0~1.5V范圍對(duì)應(yīng)低電平邏輯0。不同系列的集成電路,輸人和輸出為邏輯1或0所對(duì)應(yīng)的電壓范圍也不同。生產(chǎn)廠家的數(shù)據(jù)手冊(cè)中一般都給出4種邏輯電平參數(shù):輸人低電平的上限值yIL(m ax)、輸入高電平的下限值ym(min)、輸出低電平的上限值%L(max)和輸出高電平的下限值y。“min)o表3.1,2所示為幾種CMOs集成電路在典型工作電壓時(shí)的高、低輸入和輸出電壓值。4000B、74HC和74HCT系列工作電壓為5V,低電壓74LVC系列典型工作電壓為3,3V,超低電壓74AUC系列典型工作電壓為1.8V。
SBC196NU40目前使用的兩種雙極型數(shù)字集成電路是TTL和ECL系列。TTL是應(yīng)用最早,技術(shù)比較成熟的集成電路,曾被廣泛使用。大規(guī)模集成電路的發(fā)展要求每個(gè)邏輯單元電路的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,并且功耗低。TTL電路不能滿足這個(gè)條件,因此逐漸被CMOs電路取代,退出其主導(dǎo)地位。由于TTL技術(shù)在整個(gè)數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域中的歷史地位和影響,很多數(shù)字系統(tǒng)設(shè)計(jì)技術(shù)仍采用TTL技術(shù),特別是從小規(guī)模到中規(guī)模數(shù)字系統(tǒng)的集成,因此推出了新型的低功耗和高速TTL器件,這種新型的TTL使用肖特基勢(shì)壘二極管(BSD①),以避免BJT工作在飽和狀態(tài),從而提高工作速度。
最早的TTL門(mén)電路是74系列。后來(lái)出現(xiàn)了改進(jìn)型的74H系列,其工作速度提高了,但功耗卻增加了。而74L系列的功耗降低了很多,但工作速度也降低了。為了解決功耗和速度之間的矛盾,推出了低功耗和高速的74S系列,它使用肖特基晶體三極管,使電路的工作速度和功耗均得到改善。之后又生產(chǎn)出74LS系列,其速度與74系列相當(dāng),但功耗卻降低到74系列的1/5.74LS系列廣泛應(yīng)用于中、小規(guī)模集成電路。隨著集成電路的發(fā)展,生產(chǎn)出進(jìn)一步改進(jìn)的TTL系列被廣泛使用。ECL電路主要用于高速或超高速數(shù)字系統(tǒng)或設(shè)各中.砷化鎵是繼鍺和硅之后發(fā)展起來(lái)的新一代半導(dǎo)體材料。由于砷化鎵器件中1BSD系SchottkIBarricroDiodc的縮寫(xiě)。
載流子的遷移率非常高,因而其工作速度比硅器件快得多,并且具有功耗低和抗輻射的特點(diǎn),已成為光纖通信、移動(dòng)通信以及全球定位系統(tǒng)等應(yīng)用的首選電路。
邏輯電路的一股特性,生產(chǎn)邏輯門(mén)電路的廠家,通常都要為用戶提供各種邏輯器件的數(shù)據(jù)手冊(cè),手冊(cè)中一般都要給出門(mén)電路的電壓傳輸特性矽1-v。,輸人和輸出的高、低電壓,噪聲容限,傳輸延遲時(shí)間,功耗等。除傳輸特性外,其他各項(xiàng)技術(shù)參數(shù)分別介紹如下:
輸入和輸出的高、低電平,前已討論,數(shù)字電路中的高、低電壓常用高、低電平來(lái)描述,并規(guī)定在正邏輯體制中,用邏輯1和0分別表示高、低電平。當(dāng)邏輯電路的輸人信號(hào)在一定范圍內(nèi)變化時(shí),輸出電壓并不會(huì)改變,因此邏輯1或0對(duì)應(yīng)一定的電壓范圍。對(duì)于典型工作電壓為5V的74HC系列CMOs邏輯電路,輸人電壓在3.5~5,0V范圍對(duì)應(yīng)高電平邏輯1,0~1.5V范圍對(duì)應(yīng)低電平邏輯0。不同系列的集成電路,輸人和輸出為邏輯1或0所對(duì)應(yīng)的電壓范圍也不同。生產(chǎn)廠家的數(shù)據(jù)手冊(cè)中一般都給出4種邏輯電平參數(shù):輸人低電平的上限值yIL(m ax)、輸入高電平的下限值ym(min)、輸出低電平的上限值%L(max)和輸出高電平的下限值y!癿in)o表3.1,2所示為幾種CMOs集成電路在典型工作電壓時(shí)的高、低輸入和輸出電壓值。4000B、74HC和74HCT系列工作電壓為5V,低電壓74LVC系列典型工作電壓為3,3V,超低電壓74AUC系列典型工作電壓為1.8V。
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