ICS8535AI31L 反向擊穿時(shí)的電壓值

發(fā)布時(shí)間:2019/10/31 20:17:51 訪問(wèn)次數(shù):1062

ICS8535AI31L反向特性,P型半導(dǎo)體中的少數(shù)載流子――電子和N型半導(dǎo)體中的少數(shù)載流子――空穴,在反向電壓作用下很容易通過(guò)PN結(jié),形成反向飽和電流。但由于少數(shù)載流子的數(shù)目很少,所以反向電流是很小的,如圖3.3.3的第②段所示,一般硅管的反向電流比鍺管小得多。

溫度升高時(shí),半導(dǎo)體受熱激發(fā),少數(shù)載流子數(shù)目增加,反向電流將隨之明顯增加。

反向擊穿特性,當(dāng)增加反向電壓時(shí),因在一定溫度條件下,少數(shù)載流子數(shù)目有限,故起始一段反向電流沒(méi)有多大變化,當(dāng)反向電壓增加到一定大小(‰R)時(shí),反向電流劇增,這叫做二極管的反向擊穿,對(duì)應(yīng)于圖3.3.3的第③段,實(shí)際上就是二極

管中PN結(jié)反向擊穿。

二極管的主要參數(shù),最大整流電流rF是指管子長(zhǎng)期運(yùn)行時(shí),允許通過(guò)的最大正向平均電流。因?yàn)殡娏魍ㄟ^(guò)PN結(jié)要引起管子發(fā)熱,電流太大,發(fā)熱量超過(guò)限度,就會(huì)使PN結(jié)燒壞。例如2AP1最大整流電流為16mA。

反向擊穿電壓吒R 指管子反向擊穿時(shí)的電壓值。擊穿時(shí),反向電流劇增,二極管的單向?qū)щ娦员黄茐?甚至因過(guò)熱而燒壞。一般手冊(cè)上給出的最高反向工作電壓約為擊穿電壓的一半,以確保管子安全運(yùn)行。例如2AP1最高反向工作電壓規(guī)定為20Ⅴ,而反向擊穿電壓實(shí)際上大于40Ⅴ。

反向電流IR 指管子未擊穿時(shí)的反向電流,其值愈小,則管子的單向導(dǎo)電性愈好。由于溫度增加,反向電流會(huì)明顯增加,所以在使用二極管時(shí)要注意溫度的影響。

極間電容Cd,在討論P(yáng)N結(jié)時(shí)已知,PN結(jié)存在擴(kuò)散電容CD和勢(shì)壘電容CB,極間電容是反映二極管中PN結(jié)電容效應(yīng)的參數(shù),Cd=cD+CB。在高頻或開(kāi)關(guān)狀態(tài)運(yùn)用

時(shí),必須考慮極間電容的影響。

反向恢復(fù)時(shí)間TRR,由于二極管中PN結(jié)電容效應(yīng)的存在,原工作狀態(tài)不能在瞬間完全隨之變化。特別是外加電壓從正向偏置變成反向偏置時(shí),二極管中電流由正向變成反向,但其翻轉(zhuǎn)后瞬間有較大的反向電流,經(jīng)過(guò)一定時(shí)間后反向電流才會(huì)變得很小。二極管由正向?qū)ǖ椒聪蚪刂箷r(shí)電流的變化如圖3.3.4所示。其中fF為正向電流,JRM為最大反向恢復(fù)電流,TRR為反向恢復(fù)時(shí)間。

當(dāng)二極管外加電壓極性翻轉(zhuǎn)時(shí),其存在反向恢復(fù)時(shí)間的主要原因是擴(kuò)二極管由正向?qū)ǖ椒聪?/span>散電容CD的影響。由于二極管加正向電截止時(shí)電流的變化

壓時(shí),PN結(jié)兩側(cè)存在從對(duì)方區(qū)域擴(kuò)散過(guò)來(lái)的載流子的積累,如圖3.2.6中在P型區(qū)積累了自由電子,N型區(qū)積累了空穴。當(dāng)二極管外加電壓由正向變?yōu)榉?/span>向時(shí),外電場(chǎng)與PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)方向相同,有利于載流子的漂移運(yùn)動(dòng)。此時(shí)積累在PN結(jié)兩側(cè)的載流子數(shù)量較多,因此反向電流較大。隨著時(shí)間推移,積累的載流子逐漸消散,反向電流逐漸減小到正常值。由此看出,擴(kuò)散電容越小,反向J咴復(fù)時(shí)間越短,工作頻率越高。二極管由反向截止到正向?qū)▌t不存在積累載流子的消散過(guò)程,所以二極管從反向到正向的轉(zhuǎn)換時(shí)間較短。

二極管的參數(shù)是正確使用二極管的依據(jù),一般半導(dǎo)體器件手冊(cè)中都給出不同型號(hào)管子的參數(shù)。在使用時(shí),應(yīng)特別注意不要超過(guò)最大整流電流和最高反向工作電壓,否則管子容易損壞。