LQW18AN7N5C00D于制造工藝和電路功能的不同,有些BJT的b值可能小于10,如橫向PNP管,有些則可能高達(dá)數(shù)千,如超b管。

共基極交流電流放大系數(shù)α定義為

a=-Δic/ΔiE ucb=常數(shù) (4.1,14)

同樣,在輸出特性曲線較平坦,各曲線間距相等的條件下,可認(rèn)為α≈a。

極間反向電流，集電極一基極反向飽和電流icbo。

如前所述,icbo是集電結(jié)加上一定的反偏電壓時(shí),集電區(qū)和基區(qū)的平衡少子各自向?qū)Ψ狡菩纬傻姆聪螂娏鳌Ｋ鼘?shí)際上和單個(gè)PN結(jié)的反向電流是一樣的,因此,它只決定于溫度和少數(shù)載流子的濃度。在一定溫度下,這個(gè)反向電流基本上是個(gè)常數(shù),所以稱(chēng)為反向飽和電流。一般icbo的值很小,小功率硅管的icbo小于1uA,而小功率鍺管的icbo約為10uA。因icbo是隨溫度增加而增加的,因此在溫度變化范圍大的工作環(huán)境應(yīng)選用硅管.

測(cè)量icbo的電路如圖4.1.13所示。

集電極一發(fā)射極反向飽和電流iceo。

iceo是基極開(kāi)路時(shí),由集電區(qū)穿過(guò)基區(qū)流向發(fā)射區(qū)的反向飽和電流。測(cè)量rcEo的電路如圖4.1.14所示。如前所述,icEo=(1+b)icbo。

選用BJT時(shí),一般希望極間反向飽和電流盡量小些,以減小溫度對(duì)BJT性能的影響。小功率硅管的JcEo在幾微安以下,小功率鍺管的JcEo約在幾十微安以上。

極限參數(shù),集電極最大允許電流fcM,前已指出,當(dāng)jc過(guò)大時(shí),b值將下降。b值下降到一定值時(shí)的Jc即為fcM。當(dāng)工作電流jc大于IcM時(shí),BJT不一定會(huì)燒壞,但`值將過(guò)小,放大能力太差。

集電極最大允許耗散功率icM,BJT內(nèi)的兩個(gè)PN結(jié)上都會(huì)消耗功率,其大小分別等于流過(guò)結(jié)的電流與結(jié)上電壓降的乘積。一般情況下,集電結(jié)上的電壓降遠(yuǎn)大于發(fā)射結(jié)上的電壓降,因此與發(fā)射結(jié)相比,集電結(jié)上耗散的功率Pc要大得多。這個(gè)功率將使集電結(jié)發(fā)熱,結(jié)溫上升,當(dāng)結(jié)溫超過(guò)最高工作溫度(硅管為150℃,鍺管為70℃)時(shí),BJT性能下降,甚至?xí)䶮龎�。為�?Pc(≈icucE)值將受到限制,不得超過(guò)最大允許耗散功率PcM值。

PcM的大小與允許的最高結(jié)溫、環(huán)境溫度及管子的散熱方式有關(guān)。由給定的PcM值(對(duì)于確定型號(hào)的BJT,PcM是一個(gè)確定值),可以在BJT的輸出特性曲線中畫(huà)出允許的最大功率損耗線,如圖4.1.15所示,線上各點(diǎn)均滿(mǎn)足icucE=PcM的條件。

BJT的功率極限損耗線,反向擊穿電壓,當(dāng)BJT內(nèi)的兩個(gè)PN結(jié)上承受的反向電壓超過(guò)規(guī)定值時(shí),也會(huì)發(fā)生擊穿,其擊穿原理和二極管類(lèi)似,但BJT的反向擊穿電壓不僅與管子自身的特性有關(guān),而且還取決于外部電路的接法。下面分別加以介紹:

v(bR)Ebo是指集電極開(kāi)路時(shí),發(fā)射極一基極間的反向擊穿電壓。在正常放大狀態(tài)時(shí),發(fā)射結(jié)是正偏的。而在某些場(chǎng)合,例如工作在大信號(hào)或者開(kāi)關(guān)狀態(tài)時(shí),發(fā)射結(jié)上就有可能出現(xiàn)較大的反向電壓,所以要考慮發(fā)射結(jié)反向擊穿電壓的大小。小功率管的v(bR)Ebo一般為幾伏。

v(bR)cbo是指發(fā)射極開(kāi)路時(shí)集電極一基極間的反向擊穿電壓,它決定于集電結(jié)的雪崩擊穿電壓,其數(shù)值較高,通常為幾十伏,有些管子可達(dá)幾百伏。

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如何用雙向移位寄存器實(shí)現(xiàn)二進(jìn)制數(shù)據(jù)的×2n和△2刀運(yùn)算?

在4.6節(jié)和5.5節(jié)分別介紹了用Verilog描述組合電路和觸發(fā)器的方法,本節(jié)將在前幾節(jié)的理論和實(shí)踐基礎(chǔ)上討論時(shí)序電路的描述方法。

組合電路可以在邏輯門(mén)級(jí)通過(guò)調(diào)用內(nèi)置的邏輯門(mén)元件進(jìn)行描述,也可以使用數(shù)據(jù)流描述語(yǔ)句和行為級(jí)描述語(yǔ)句進(jìn)行描述,而觸發(fā)器通常使用行為級(jí)描述語(yǔ)句進(jìn)行描述。由于時(shí)序邏輯電路通常由觸發(fā)器和邏輯門(mén)構(gòu)成,所以可以將數(shù)據(jù)流描述語(yǔ)句和行為級(jí)描述語(yǔ)句結(jié)合起來(lái)對(duì)它的邏輯功能(即行為)進(jìn)行描述。下面通過(guò)幾個(gè)例子進(jìn)行介紹。

移位寄存器的Verilog建模,例6.6.1通過(guò)行為級(jí)描述語(yǔ)句always描述了一個(gè)4位雙向移位寄存器,它有兩個(gè)選擇輸入端、兩個(gè)串行數(shù)據(jù)輸人端、4個(gè)并行數(shù)據(jù)輸入端和4個(gè)并行輸出端,完成的功能與圖6.5.7所示74HCT194類(lèi)似。它有5種功能:異步置零、同步置數(shù)、左移、右移和保持原狀態(tài)不變。當(dāng)清零信號(hào)CR跳變到低電平時(shí),寄存器的輸出被異步置零;否則,當(dāng)CR=1時(shí),與時(shí)鐘信號(hào)有關(guān)的4種功能由case語(yǔ)句中的兩個(gè)選擇輸人信號(hào)s1、sO決定(在case后面S1、SO被拼接成2位矢量)。移位由串行輸入和3個(gè)觸發(fā)器的輸出拼接起來(lái)進(jìn)行描述.