NCP15XW223K0SRC大節(jié)放環(huán)調(diào)節(jié),對象比較環(huán)節(jié),檢測環(huán)節(jié)被調(diào)節(jié)量.自動調(diào)節(jié)器.

飛機(jī)調(diào)壓系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖,調(diào)壓器中各環(huán)節(jié)的構(gòu)成有的是一個(gè)電路或元件構(gòu)成幾個(gè)環(huán)節(jié),也有幾個(gè)電路或元件構(gòu)成一個(gè)環(huán)節(jié)。

調(diào)壓方式,飛機(jī)調(diào)壓系統(tǒng)一般采用閉環(huán)自動控制系統(tǒng),所調(diào)節(jié)的參數(shù)決定于所檢測的參數(shù)。為保證大多數(shù)機(jī)載用電設(shè)各端電壓均能較穩(wěn)定,無論是直流供電系統(tǒng)還是交流供電系統(tǒng),其調(diào)壓器檢測電路的輸人端都是接在與發(fā)電機(jī)饋電線相聯(lián)接的主匯流條端。調(diào)壓系統(tǒng)將保持該點(diǎn)電壓(而不是發(fā)電機(jī)端電壓,也不是某一用電設(shè)各的端電壓)穩(wěn)定,此點(diǎn)稱之為調(diào)節(jié)點(diǎn)(POR)。

調(diào)節(jié)點(diǎn)的電壓值稱之為調(diào)定電壓。飛機(jī)供電系統(tǒng)由發(fā)電機(jī)端至調(diào)節(jié)點(diǎn)的距離較近,且用較粗截面的饋電線連接,正常工作情況下,它們之間的電壓差別很小。在本章范圍內(nèi),為了便于集中討論調(diào)壓系統(tǒng)工作原理及其穩(wěn)定性等問題,將忽略發(fā)電機(jī)端電壓與調(diào)節(jié)點(diǎn)電壓之間的差別。

飛機(jī)交流供電系統(tǒng)一般采用三相四線制,調(diào)節(jié)點(diǎn)電壓有三個(gè)相電壓與三個(gè)線電壓,選取什么電壓為被調(diào)量,被稱之為調(diào)壓方式。對應(yīng)不同的調(diào)壓方式,有不同的檢測方式。固定相(線)電壓調(diào)節(jié)應(yīng)檢測三相中某一相(或線)電壓;平均電壓調(diào)節(jié)應(yīng)檢測三個(gè)線電壓的平均值;最高相電壓調(diào)節(jié)應(yīng)檢測三個(gè)相(或線)電壓中最高的電壓;正序電壓調(diào)節(jié)則應(yīng)檢測三相(線)電壓的正序分量。以下分別對這四種調(diào)壓方式進(jìn)行討論,與它們相應(yīng)的四種檢測方式原理線路如圖5-2所示。

固定相(或線)電壓調(diào)節(jié),檢測某一固定相(或線)電壓,原理線路如圖5-2(a)所示。圖中檢測的是固定線電壓ucA。此線路之調(diào)壓器將保持仍cA為調(diào)定值,而不管仍ui、zBC如何變化,也不管各相電壓或調(diào)節(jié)點(diǎn)的正序電壓如何變化,只要uα為調(diào)定值,調(diào)壓器就不改變發(fā)電機(jī)的勵(lì)磁電流。

這種線路比較簡單,但若所檢測的A-C線產(chǎn)生短路故障,使仍α大大降低,則調(diào)壓器的調(diào)節(jié)作用將使正常相的電壓大大升高,造成設(shè)備的損壞。因此,這種調(diào)壓方式應(yīng)用得較少。

三相平均電壓調(diào)節(jié),圖5-2(b)所示為三相平均電壓檢測和比較線路。直流電壓%由三相變壓整流器取得,其大小并不單純地決定于某一相(或線)的電壓,而由三個(gè)線電壓共同決定。一相電壓的升高,如與另一相或另兩相電壓的降低同時(shí)出現(xiàn),整流電壓UJ仍有可能不變。因此,保基準(zhǔn)值,行節(jié)執(zhí)環(huán)低頻互導(dǎo)gm在vDs等于常數(shù)時(shí),漏極電流的微變量和引起這個(gè)變化的柵源電壓的微變量之比稱為互導(dǎo),即

ajo=gm=u|D     (5.⒈17)

互導(dǎo)反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力,它相當(dāng)于轉(zhuǎn)移特性上工作點(diǎn)的斜率�；�(dǎo)gm是表征FET放大能力的一個(gè)重要參數(shù),單位為ms或usogm-般在十分之幾至幾毫西的范圍內(nèi),特殊的可達(dá)100 ms,甚至更高。值得注意的是,互導(dǎo)隨管子的工作點(diǎn)不同而變,它是FET小信號建模的重要參數(shù)之一。以N溝道增強(qiáng)型MOSFET為例,如果手頭沒有FET的特性曲線,則可利用式(5.1.6)和式(5.1.17)近似估算gm值,即

g=u|=jk|=2Kn(us~7T) (⒌⒈18)

考慮到iD=Kn(ucs-ui)2和JDo=Kn礙,式(5,1.18)又可改寫為

gm=2√KnjD=2√rDojD      (5.1.19)

上式說明,JD越大,gm愈高,考慮到Kn=二萬苧″/L,所以,溝道寬長比∥/L愈大,gm也愈高。

因?yàn)間m=孟十|vDs,代表轉(zhuǎn)移特性曲線的斜率,因此,互導(dǎo)gm值也可由轉(zhuǎn)移特性曲線圖解確定。

極限參數(shù),最大漏極電流`DMJDM是管子正常工作時(shí)漏極電流允許的上限值。

最大耗散功率PDM,FET的耗散功率等于vDs和JD的乘積,即PDM=‰JD,這些耗散在管子中的功率將變?yōu)闊崮?使管子的溫度升高。為了限制它的溫度不要升得太高,就要限制它的耗散功率不能超過最大數(shù)值PDM。顯然,PDM受管子最高工作溫度的限制。最大漏源電壓y(bR)Dsy(bR)Ds是指發(fā)生雪崩擊穿、jI)開始急劇上升時(shí)的vDs值。

最大柵源電壓y(bR)Gsy(bR)cs是指柵源間反向電流開始急劇增加時(shí)的v cs值。

除以上參數(shù)外,還有極間電容、高頻參數(shù)等其他參數(shù)。表5,1.1列出了幾種FET的主要參數(shù)。金屬一氧化物一半導(dǎo)體rMOS場效應(yīng)管.