ZXMP6A17DN8 拼接管壓接后的可靠性檢查
發(fā)布時間:2020/1/7 12:35:37 訪問次數(shù):1762
ZXMP6A17DN8筒插人沒有去除絕緣的導(dǎo)線,壓緊壓接工具手柄使棘齒到達力矩時釋放,取下壓接完的拼接管,檢查絕緣壓緊情況;將導(dǎo)線向后、向外彎曲,導(dǎo)線絕緣應(yīng)緊壓在絕緣筒內(nèi);如果導(dǎo)線被拉出,調(diào)節(jié)絕緣調(diào)節(jié)釘?shù)骄o的位置(2位置),如果導(dǎo)線不能被拉出,壓接工具的絕緣壓接調(diào)節(jié)位置合適。按照壓接絕緣調(diào)節(jié)步驟完成拼接管壓線筒的壓接試驗,檢查壓線筒壓緊情況,不必將絕緣調(diào)節(jié)釘調(diào)節(jié)到最緊的位置。
壓接時從工具前面向上推動定位,將拼接管壓線筒插人壓接模塊,確保壓線筒的邊緣靠緊定位,如圖6-242所示。
經(jīng)過兩次壓接程序完成拼接管的壓接,然后執(zhí)行目視檢查程序,如圖6-243和表6-16所示。
工具后邊壓線筒邊,靠著位置壓線,導(dǎo)體穿過絕緣筒南到壓線筒,拼接管通過夾縫剖面歲,向上推使拼接,管通過夾縫,拼接管的壓接介紹,錯誤壓接后的拼接管檢查,拼接管壓接后的可靠性檢查.
正確錯誤,拼接管的絕緣筒壓住導(dǎo)線絕緣,導(dǎo)線芯線太長或?qū)Ь絕緣層裂開.
壓接在壓線筒中心且標記清楚.
標記不清楚,壓線筒出現(xiàn)撕裂痕跡.
導(dǎo)線的規(guī)格與拼接管和壓接配.
導(dǎo)線的規(guī)格與拼接管和壓接工具不匹配.
導(dǎo)線絕緣進人拼接管的絕緣筒位置合適.
導(dǎo)線絕緣進人拼接管的壓線筒.
在觀察孔看見芯線并到達止位.
導(dǎo)線沒有完全插人拼接管,芯線沒有到達止位,注:表中序號對應(yīng)圖6-243。
拼接管壓接完成后的標準,允許在壓接施工期間拼接管的壓線筒和導(dǎo)線有一定的彎曲。當拼接管壓接完成后,按照圖6-16所示對拼接管進行向上與向下彎曲目視檢查、側(cè)面與側(cè)面彎曲目視檢查,拼接管的壓線筒和導(dǎo)線以參考線為基準,允許的最大彎曲角度不能超過11°。按照圖所示對拼接管進行橫截面的檢查,出現(xiàn)圖所示左側(cè)的問題主要是由于壓接工具的壓接擋位.
ssRAM的基本結(jié)構(gòu),讀操作時,控制信號和地址輸人在CP的上升沿被取樣,當叢發(fā)使能控制ADy和片選CE為低電平時,地址線上的地址被鎖存到地址寄存器中,高電平的WE也被寄存到讀寫控制邏輯電路中。此時,讀寫控制邏輯電路使數(shù)據(jù)選擇器選擇地址寄存器中的地址進行譯碼,在下一個CP有效沿到來前,存儲陣列中的數(shù)據(jù)被送到數(shù)據(jù)線f/o上輸出。操作過程所示。
寫操作與讀操作類似,只是被取樣的WE為低電平。而輸人的數(shù)據(jù)在接下來的CP上升沿鎖存到輸人寄存器中,同時地址寄存器中的地址又傳至寫地址寄存器中。此時,讀寫控制邏輯電路使數(shù)據(jù)選擇器選擇寫地址寄存器中的地址進行譯碼,在輸入驅(qū)動電路的作用下,將輸人寄存器中的數(shù)據(jù)寫人存儲陣列。寫操作時,讀寫控制邏輯電路將自動屏蔽輸出使能信號oE,使三態(tài)輸出緩沖器呈現(xiàn)高阻態(tài)。操作過程所示。
叢發(fā)模式讀寫操作是sSRAM中特有的①。當叢發(fā)使能控制且D/為低電平時,A1A。可直接穿過叢發(fā)控制邏輯電路,按外部給定的地址進行讀/寫,此時就是上述的一般讀寫操作。但當叢發(fā)使能控制ADy為高電平時,地址寄存器不接收外部新地址而保持上一個時鐘周期輸人的地址,在CP下一個上升沿到不僅SSRAM中有叢發(fā)模式,而且sDRAM中也有該模式。
ssRAM典型的讀寫操作定時圖,(a)一般模式的讀寫操作 (b)叢發(fā)模式的讀寫操作,注:圖中假設(shè)輸出使能信號0E始終有效(低電平)。0(A1)表示Al地址單元中的數(shù)據(jù)被讀出,出現(xiàn)在r/o線上。I(A1)則表示向Al地址單元寫人的數(shù)據(jù)出現(xiàn)在io線上。實際上,J/o線上的數(shù)據(jù)是前一個CP沿作用的結(jié)果。A1+1表示在A1地址基礎(chǔ)上,由叢發(fā)計數(shù)器產(chǎn)生的第一個地址,A1+2表示由叢發(fā)計數(shù)器產(chǎn)生的第二個地址,余類推。來時,由叢發(fā)計數(shù)器在上一個A1⒕;A(chǔ)上,計數(shù)生成下一個地址的AIAO進行讀/寫。由于叢發(fā)計數(shù)器是2位計數(shù)器,所以在ADy保持高電平時,可以連續(xù)生成4個不同的地址。sSRAM的這種叢發(fā)模式,在連續(xù)讀/寫多個字時.
深圳市唯有度科技有限公司http://wydkj.51dzw.com/
ZXMP6A17DN8筒插人沒有去除絕緣的導(dǎo)線,壓緊壓接工具手柄使棘齒到達力矩時釋放,取下壓接完的拼接管,檢查絕緣壓緊情況;將導(dǎo)線向后、向外彎曲,導(dǎo)線絕緣應(yīng)緊壓在絕緣筒內(nèi);如果導(dǎo)線被拉出,調(diào)節(jié)絕緣調(diào)節(jié)釘?shù)骄o的位置(2位置),如果導(dǎo)線不能被拉出,壓接工具的絕緣壓接調(diào)節(jié)位置合適。按照壓接絕緣調(diào)節(jié)步驟完成拼接管壓線筒的壓接試驗,檢查壓線筒壓緊情況,不必將絕緣調(diào)節(jié)釘調(diào)節(jié)到最緊的位置。
壓接時從工具前面向上推動定位,將拼接管壓線筒插人壓接模塊,確保壓線筒的邊緣靠緊定位,如圖6-242所示。
經(jīng)過兩次壓接程序完成拼接管的壓接,然后執(zhí)行目視檢查程序,如圖6-243和表6-16所示。
工具后邊壓線筒邊,靠著位置壓線,導(dǎo)體穿過絕緣筒南到壓線筒,拼接管通過夾縫剖面歲,向上推使拼接,管通過夾縫,拼接管的壓接介紹,錯誤壓接后的拼接管檢查,拼接管壓接后的可靠性檢查.
正確錯誤,拼接管的絕緣筒壓住導(dǎo)線絕緣,導(dǎo)線芯線太長或?qū)Ь絕緣層裂開.
壓接在壓線筒中心且標記清楚.
標記不清楚,壓線筒出現(xiàn)撕裂痕跡.
導(dǎo)線的規(guī)格與拼接管和壓接配.
導(dǎo)線的規(guī)格與拼接管和壓接工具不匹配.
導(dǎo)線絕緣進人拼接管的絕緣筒位置合適.
導(dǎo)線絕緣進人拼接管的壓線筒.
在觀察孔看見芯線并到達止位.
導(dǎo)線沒有完全插人拼接管,芯線沒有到達止位,注:表中序號對應(yīng)圖6-243。
拼接管壓接完成后的標準,允許在壓接施工期間拼接管的壓線筒和導(dǎo)線有一定的彎曲。當拼接管壓接完成后,按照圖6-16所示對拼接管進行向上與向下彎曲目視檢查、側(cè)面與側(cè)面彎曲目視檢查,拼接管的壓線筒和導(dǎo)線以參考線為基準,允許的最大彎曲角度不能超過11°。按照圖所示對拼接管進行橫截面的檢查,出現(xiàn)圖所示左側(cè)的問題主要是由于壓接工具的壓接擋位.
ssRAM的基本結(jié)構(gòu),讀操作時,控制信號和地址輸人在CP的上升沿被取樣,當叢發(fā)使能控制ADy和片選CE為低電平時,地址線上的地址被鎖存到地址寄存器中,高電平的WE也被寄存到讀寫控制邏輯電路中。此時,讀寫控制邏輯電路使數(shù)據(jù)選擇器選擇地址寄存器中的地址進行譯碼,在下一個CP有效沿到來前,存儲陣列中的數(shù)據(jù)被送到數(shù)據(jù)線f/o上輸出。操作過程所示。
寫操作與讀操作類似,只是被取樣的WE為低電平。而輸人的數(shù)據(jù)在接下來的CP上升沿鎖存到輸人寄存器中,同時地址寄存器中的地址又傳至寫地址寄存器中。此時,讀寫控制邏輯電路使數(shù)據(jù)選擇器選擇寫地址寄存器中的地址進行譯碼,在輸入驅(qū)動電路的作用下,將輸人寄存器中的數(shù)據(jù)寫人存儲陣列。寫操作時,讀寫控制邏輯電路將自動屏蔽輸出使能信號oE,使三態(tài)輸出緩沖器呈現(xiàn)高阻態(tài)。操作過程所示。
叢發(fā)模式讀寫操作是sSRAM中特有的①。當叢發(fā)使能控制且D/為低電平時,A1A?芍苯哟┻^叢發(fā)控制邏輯電路,按外部給定的地址進行讀/寫,此時就是上述的一般讀寫操作。但當叢發(fā)使能控制ADy為高電平時,地址寄存器不接收外部新地址而保持上一個時鐘周期輸人的地址,在CP下一個上升沿到不僅SSRAM中有叢發(fā)模式,而且sDRAM中也有該模式。
ssRAM典型的讀寫操作定時圖,(a)一般模式的讀寫操作 (b)叢發(fā)模式的讀寫操作,注:圖中假設(shè)輸出使能信號0E始終有效(低電平)。0(A1)表示Al地址單元中的數(shù)據(jù)被讀出,出現(xiàn)在r/o線上。I(A1)則表示向Al地址單元寫人的數(shù)據(jù)出現(xiàn)在io線上。實際上,J/o線上的數(shù)據(jù)是前一個CP沿作用的結(jié)果。A1+1表示在A1地址基礎(chǔ)上,由叢發(fā)計數(shù)器產(chǎn)生的第一個地址,A1+2表示由叢發(fā)計數(shù)器產(chǎn)生的第二個地址,余類推。來時,由叢發(fā)計數(shù)器在上一個A1⒕;A(chǔ)上,計數(shù)生成下一個地址的AIAO進行讀/寫。由于叢發(fā)計數(shù)器是2位計數(shù)器,所以在ADy保持高電平時,可以連續(xù)生成4個不同的地址。sSRAM的這種叢發(fā)模式,在連續(xù)讀/寫多個字時.
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