XC2V20-5FF896I太松合適導(dǎo)線拼接管,絕緣套管,拼接管橫截面檢查.

如果想更詳細(xì)地對(duì)壓接后的導(dǎo)線終端進(jìn)行可靠性測(cè)試,使用原制造廠商的電子拉力測(cè)試系統(tǒng)MPT-250B測(cè)試導(dǎo)線終端的拉力測(cè)試數(shù)值。

波音系列飛機(jī)導(dǎo)線的修理,對(duì)于波音系列飛機(jī)上允許修理的導(dǎo)線,導(dǎo)線芯線損傷20%及以上時(shí),必須進(jìn)行永久性修理;發(fā)動(dòng)機(jī)及APU部分發(fā)電機(jī)的電源饋線,導(dǎo)線芯線損傷20%及以上時(shí),不允許修理的必須更換;如果導(dǎo)線芯線損傷沒有達(dá)到20%時(shí),只需要進(jìn)行絕緣層修理工作。

絕緣層修理,在導(dǎo)線絕緣損傷區(qū)域去除多余的絕緣層且確保絕緣層表面平滑;使用異丙醇清潔導(dǎo)線絕緣損傷位置每側(cè)大約3in的區(qū)域,保持清潔區(qū)域干燥,如圖所示。

如果在絕緣損傷區(qū)域出現(xiàn)空洞,使用溫度等級(jí)D類的薄膜膠帶或TFE膠帶進(jìn)行填充,同時(shí)確保絕緣層表面平滑,如圖所示。在空洞處最少纏繞兩層膠帶,確保膠帶纏繞時(shí)最小重疊50%,第二層需要與第一層纏繞方向相反;多層薄膜膠帶的每一側(cè)末端超出空洞損傷邊緣最小距離是0.25in。

選擇溫度等級(jí)D類的TFE膠帶或溫度等級(jí)C類的硅樹脂膠帶或相同溫度等級(jí)的熱縮管;在絕緣損傷區(qū)域纏上兩層膠帶,確保膠帶纏繞時(shí)最小重疊50%,第二層需要與第一層纏繞方向相反,如圖所示;每一側(cè)膠帶末端超出填充空洞使用的多層薄膜膠帶末端最小距離是0.75in;每一側(cè)膠帶末端超出損傷邊緣最小距離是1in太緊.

減少外部地址總線的占用時(shí)間,提高讀寫效率。讀/寫時(shí),每4個(gè)字一組,外部只需提供首地址,其余3個(gè)地址由ssRAM內(nèi)部叢發(fā)計(jì)數(shù)器產(chǎn)生。如果超過4個(gè)時(shí)鐘周期仍保持叢發(fā)模式(不讀人新的外部地址),則按叢發(fā)計(jì)數(shù)器循環(huán)產(chǎn)生的地址進(jìn)行讀/寫操作。叢發(fā)模式的讀寫操作過程所示。

在由sSRAM構(gòu)成的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中,由于在時(shí)鐘有效沿到來時(shí),地址、數(shù)據(jù)、控制等信號(hào)被鎖存到ssRAM內(nèi)部的寄存器中,因此讀寫過程的延時(shí)等待均在時(shí)鐘作用下由sSRAM內(nèi)部控制完成。此時(shí),系統(tǒng)中的微處理器在讀寫sSRAM的同時(shí),可以處理其他任務(wù),從而提高了整個(gè)系統(tǒng)的工作速度。另外,由于sSRAM采用與時(shí)鐘同步的方式工作,因此可以將讀寫過程的各種延時(shí)進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì),且限制在芯片內(nèi)部,使得sSRAM的讀寫速度高于SRAM。

sSRAM的這種同步工作方式也使其應(yīng)用更簡(jiǎn)便。用戶使用時(shí),所有的輸人信號(hào)只要圍繞時(shí)鐘的有效沿進(jìn)行設(shè)計(jì)即可。因此,目前ssRAM已廣泛應(yīng)用于各種同步工作的數(shù)字系統(tǒng)中,特別是與處理器一同工作的系統(tǒng),例如個(gè)人電腦中的超高速緩沖存儲(chǔ)器(Cache)。

其他SSRAM,隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)及相關(guān)行業(yè)(例如互聯(lián)網(wǎng))的快速發(fā)展,對(duì)存儲(chǔ)器提出了更高的要求。高速、高密度、低功耗早已成為RAM發(fā)展的永恒主題。在ss-RAM之后,各大RAM廠商又先后開發(fā)出雙倍數(shù)據(jù)傳輸率靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DDR①SRAM)和四倍數(shù)據(jù)傳輸率靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(QDR②SRAM)。

上述sSRAM只在時(shí)鐘的上升沿傳輸數(shù)據(jù),并且共用讀/寫數(shù)據(jù)總線,讀和寫只能分時(shí)進(jìn)行。這種sSRAM也稱為單倍數(shù)據(jù)傳輸率靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SDR③SRAM)。DDR SRAM是在ssRAM基礎(chǔ)上經(jīng)過改進(jìn),在每個(gè)時(shí)鐘周期的上升沿和下降沿各傳輸一次數(shù)據(jù),這樣數(shù)據(jù)傳輸效率提高了一倍,但是讀寫仍不能同時(shí)進(jìn)行。

QDR SRAM進(jìn)一步改進(jìn)了結(jié)構(gòu),為讀和寫操作分別提供獨(dú)立的接口,不但在每個(gè)時(shí)鐘周期的上升沿和下降沿共傳輸兩次數(shù)據(jù),而且每次讀寫能夠同時(shí)進(jìn)行,避免了數(shù)據(jù)總線的爭(zhēng)搶,使數(shù)據(jù)傳輸效率相對(duì)于ssRAM提高了兩倍。

對(duì)DDR和QDR某些性能進(jìn)行改善后的產(chǎn)品稱為DDR Ⅱ和QDR Ⅱ SRAM。目前,采用0.09 um工藝技術(shù)生產(chǎn)的SRAM最高容量已達(dá)72 Mbit,最高時(shí)鐘工作頻率達(dá)到333 MHz。

為幾種SRAM產(chǎn)品的幾個(gè)主要指標(biāo),系Double Data Rate的縮寫,系Quad Data Rate的縮寫,系Singlc Data Rate的縮寫。