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IDT7006L55J/S55J BJT的開關(guān)時間限制了BJT開關(guān)運用的速度

發(fā)布時間:2020/1/20 23:08:16 訪問次數(shù):1122

IDT7006L55J/S55JBACM15C、YHLzD-()和YHLzR-()接線塊的拆裝,BACM15C類型接線塊屬于連接接線塊,YHLZD-()和YHLzR-()接線塊屬于組件式接線塊;接線塊中每個分割區(qū)域的孔位是連通的;接線塊是安裝在導軌上的。

接線塊件號描述,BACM15C類型接線塊的件號,如表6-77和圖6-589~圖6-594所示,其中F型、G型和H型接線塊屬于標準密度連接接線塊,X型、Y型和Z型接線塊屬于高密度連接接線塊。

          

接線塊件號,接線塊類型(參考),8個插fL全部相連,類型H接線塊結(jié)構(gòu),接4個插孔,每2個相連,共2組,類型F接線塊結(jié)構(gòu),4個插孔全部相連,類型G接線塊結(jié)構(gòu)生產(chǎn)廠商,16個插孔,每4個相連共4組,類型X接線塊結(jié)構(gòu)16個插孔,何2個相連、共8組16個插孔,每8個相連,共2細類型Y接線塊結(jié)構(gòu),類型Z接線塊結(jié)構(gòu)密度件號,波音標準標準高.

                         

過程中,需要建立基區(qū)電荷以形成飽和電流。將roff=rs+rf稱為關(guān)閉時間,它反映了BJT從飽和簿截止所需的時間,即是基區(qū)存儲電荷消散所需要的時間。BJT這種滯后現(xiàn)象也可以利用發(fā)射結(jié)和集電結(jié)的結(jié)電容儲能效應(yīng)進行分析。開通時問和關(guān)閉時間總稱為BJT的開關(guān)時間,它隨管子類型不同而有很大差別,一般在幾十至幾百納秒之間,可以從手冊中葉聽查到。

           

BJT的開關(guān)時間限制了BJT開關(guān)運用的速度。開關(guān)時間越短,開關(guān)速度越高,因此,要設(shè)法減小開關(guān)時間,可以通過.改進管子內(nèi)部構(gòu)造和外電路的方法來提高BJT的開關(guān)速度。對管子內(nèi)部,可減小基區(qū)寬度和發(fā)射結(jié)、集電結(jié)的面積, BJT開關(guān)電路的波形使開關(guān)時間縮短。對外電路來說,可適 (a)輸人電壓波形(b)輸出電流波形,當選擇正向基極電流和反向基極電流,以輸出電壓波形及臨界飽和電流等,也可以改善動態(tài)特性,提高開關(guān)速度。

基本BJT反相器的動態(tài)性能,在上一節(jié)中,圖3.2.2(a)所示電路的輸出電壓與輸入電壓相位相反,因而可以作為基本的BJT反相器。由于BJT管子基區(qū)內(nèi)電荷的存入和消散需要一定的時間,因此開關(guān)速度受到限制。

                                

影響開關(guān)速度的另一個原因是,當基本反相器接電容性負載CL(電路如圖3.2.3所示),當反相器輸出電壓v。由低向高過渡時,電路由ycc通過Re對CL充電。反之,當p。由高向低過渡時,C1,又將通過BJT放電。這樣,CL的充、放電過程均需經(jīng)歷一定的時間,這必然會增加輸出電壓v()波形的上升時間和下降時間,導致基本的BJT反相器的開關(guān)速度不 圖3.2.3帶電容性負載的高。尋求更為實用的反相器電路結(jié)構(gòu),是下面所要討論的問題,TTL邏輯門電路.

                                     

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接線塊件號描述,BACM15C類型接線塊的件號,如表6-77和圖6-589~圖6-594所示,其中F型、G型和H型接線塊屬于標準密度連接接線塊,X型、Y型和Z型接線塊屬于高密度連接接線塊。

          

接線塊件號,接線塊類型(參考),8個插fL全部相連,類型H接線塊結(jié)構(gòu),接4個插孔,每2個相連,共2組,類型F接線塊結(jié)構(gòu),4個插孔全部相連,類型G接線塊結(jié)構(gòu)生產(chǎn)廠商,16個插孔,每4個相連共4組,類型X接線塊結(jié)構(gòu)16個插孔,何2個相連、共8組16個插孔,每8個相連,共2細類型Y接線塊結(jié)構(gòu),類型Z接線塊結(jié)構(gòu)密度件號,波音標準標準高.

                         

過程中,需要建立基區(qū)電荷以形成飽和電流。將roff=rs+rf稱為關(guān)閉時間,它反映了BJT從飽和簿截止所需的時間,即是基區(qū)存儲電荷消散所需要的時間。BJT這種滯后現(xiàn)象也可以利用發(fā)射結(jié)和集電結(jié)的結(jié)電容儲能效應(yīng)進行分析。開通時問和關(guān)閉時間總稱為BJT的開關(guān)時間,它隨管子類型不同而有很大差別,一般在幾十至幾百納秒之間,可以從手冊中葉聽查到。

           

BJT的開關(guān)時間限制了BJT開關(guān)運用的速度。開關(guān)時間越短,開關(guān)速度越高,因此,要設(shè)法減小開關(guān)時間,可以通過.改進管子內(nèi)部構(gòu)造和外電路的方法來提高BJT的開關(guān)速度。對管子內(nèi)部,可減小基區(qū)寬度和發(fā)射結(jié)、集電結(jié)的面積, BJT開關(guān)電路的波形使開關(guān)時間縮短。對外電路來說,可適 (a)輸人電壓波形(b)輸出電流波形,當選擇正向基極電流和反向基極電流,以輸出電壓波形及臨界飽和電流等,也可以改善動態(tài)特性,提高開關(guān)速度。

基本BJT反相器的動態(tài)性能,在上一節(jié)中,圖3.2.2(a)所示電路的輸出電壓與輸入電壓相位相反,因而可以作為基本的BJT反相器。由于BJT管子基區(qū)內(nèi)電荷的存入和消散需要一定的時間,因此開關(guān)速度受到限制。

                                

影響開關(guān)速度的另一個原因是,當基本反相器接電容性負載CL(電路如圖3.2.3所示),當反相器輸出電壓v。由低向高過渡時,電路由ycc通過Re對CL充電。反之,當p。由高向低過渡時,C1,又將通過BJT放電。這樣,CL的充、放電過程均需經(jīng)歷一定的時間,這必然會增加輸出電壓v()波形的上升時間和下降時間,導致基本的BJT反相器的開關(guān)速度不 圖3.2.3帶電容性負載的高。尋求更為實用的反相器電路結(jié)構(gòu),是下面所要討論的問題,TTL邏輯門電路.

                                     

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