CY7C3751-100AC 電阻值的減小引起門電路的功耗增加
發(fā)布時間:2020/2/9 16:15:50 訪問次數(shù):1713
CY7C3751-100AC電路就稱為抗飽和電路,它能使電路的開關(guān)時間大為縮短。
肖特基TTL電路,圖3.2.13所示為肖特基TTL與非門的電路結(jié)構(gòu)圖,與圖3.2.7所示的基本的TTL與非門電路相比,該電路做了若干改進(jìn)。在基本的TTL電路中,T1、T2和T3工作在深度飽和區(qū),管內(nèi)電荷存儲效應(yīng)對電路的開關(guān)速度影響很大,F(xiàn)在除T4外,其余的BJT均采用SBD鉗位,以達(dá)到明顯的抗飽和效果。其次,基本電路中的所有電阻值這里幾乎都減半。這兩項(xiàng)改進(jìn)導(dǎo)致門電路的開關(guān)時間大為縮短。由于電阻值的減小也必然會引起門電路的功耗增加。
肖特基TTL門電路對基本TTL電路(圖3.2.7)的性能做的改進(jìn)還有以下三點(diǎn):
基本TTL電路中的二極管D和T4由T4和T5所組成的復(fù)合管所代替,當(dāng)輸出由低電平向高電平過渡時,由于復(fù)合管電路的電流增益很大,輸出電阻很小,從而減小了電路對負(fù)載 圖3.3.1 肖特基TTL與非門電路的電容的充電時間。
典型電路,電路輸人端所加的SBD DA和Du,用來減小門電路之間的連線而引起的雜散信號,并防止輸人信號反向過沖使T1電流過大而損壞。
由T6與j6、Rb6組成的有源電路代替了基本TTL電路中的Re2(1kΩ)。當(dāng)與非門的全部輸入端由低電平轉(zhuǎn)向高電平時,T2飽和導(dǎo)通,由于T6的基極回路串接了電阻Rb6,T6的導(dǎo)通滯后T3,使T2以較大的電流驅(qū)動T3,從而加快了T3的飽和過程。隨后,T6開始導(dǎo)通,將對T3的基極電流產(chǎn)生分流作用,減輕了T3飽和程度,當(dāng)電路再次翻轉(zhuǎn)時,T3能很快地截止。因而,有源電阻縮短了門電路的轉(zhuǎn)換時間,使其電壓傳輸特性得到改善。與TTL反相器的傳輸特性相比,C點(diǎn)不再存在了,由B點(diǎn)直接下降到D點(diǎn),即傳輸特性變化非常陡峭。有源非線性電路稱為有源下拉電路①,它與有源上拉電路是對應(yīng)的。
除典型的肖特基型TTL(74S系列)外,還有其他類型的改進(jìn)電路,它們的技術(shù)參數(shù)各有特點(diǎn),是在TTL工藝的發(fā)展過程中逐步形成的。表3.2.2所示為有源下拉電路系active pul⒈down circuit的譯稱,它與有源上拉電路是對應(yīng)的電路,RL1和RI。為外接負(fù)載或下一級門電路的輸人電阻。電路的供電電源為-5.2V,%為牽引電源,可以取=5.2Ⅴ或一2V等數(shù)值。輸人信號的高低電平分別為‰=-0,9Ⅴ,yIL=-1.75V。射極輸出器的作用是移動電平值,使得輸出端的高、低電平與輸入端的高、低電平電壓匹配,并提高了帶負(fù)載能力。
ECL門基本電路,當(dāng)輸人端A、B都接低電平時,由于T3的基極電位比Tl的高,因此T3優(yōu)先導(dǎo)通,使發(fā)射極的電位vE=REF-ui=-2V。這時T1、T2管發(fā)射結(jié)壓降只有0.25V,因此T1、T2同時截止。若忽略T4基極電流在Rel上的壓降,則vc1=0Ⅴ1=-7E4=-0,7Ⅴ,即出1輸出為ECL邏輯高電平。
T3導(dǎo)通,流過Re的電流由T3提供,jE=(vE-uE)/Re≈4.1 mA。忽略T5基極電流,可以求得T3集電極電位vc3=-u3=-1Ⅴ2=v c3-uE5=-1.7V,即L2為邏輯低電平。
另外,導(dǎo)通的T3管集電結(jié)反偏,所以T3處于放大狀態(tài),而不是飽和狀態(tài)。
當(dāng)輸入端a、B中有一個接高電平(設(shè)A接高電平)時由于vA)yRw,所以T1優(yōu)先導(dǎo)通,使vE=vA-7E1=-1.6V,此時加到T3管發(fā)射結(jié)壓降只有0.3V,故T3截止。忽略Rc3上的壓降,uj=-0.7V,E2為高電平輸出。TI導(dǎo)通使Rc的電流為uE=(vE-uE)Re=4.6 mA,該電流在Rcl上產(chǎn)生壓降,使Tl集電極電位tc1=-EFc1=-1V,jk=-1,7V,L1為低電平輸出。同樣,T1的集電結(jié)近似為零偏,也未工作在飽和狀態(tài)。
由于T1和T2管是并聯(lián)在一起的,只要處、B中有一個接高電平,都會使u1為低電平,而出2為高電平。因此u=a+B 或非輸出
E2=A+B 或輸出或非輸出,射極耦合邏輯電路
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CY7C3751-100AC電路就稱為抗飽和電路,它能使電路的開關(guān)時間大為縮短。
肖特基TTL電路,圖3.2.13所示為肖特基TTL與非門的電路結(jié)構(gòu)圖,與圖3.2.7所示的基本的TTL與非門電路相比,該電路做了若干改進(jìn)。在基本的TTL電路中,T1、T2和T3工作在深度飽和區(qū),管內(nèi)電荷存儲效應(yīng)對電路的開關(guān)速度影響很大,F(xiàn)在除T4外,其余的BJT均采用SBD鉗位,以達(dá)到明顯的抗飽和效果。其次,基本電路中的所有電阻值這里幾乎都減半。這兩項(xiàng)改進(jìn)導(dǎo)致門電路的開關(guān)時間大為縮短。由于電阻值的減小也必然會引起門電路的功耗增加。
肖特基TTL門電路對基本TTL電路(圖3.2.7)的性能做的改進(jìn)還有以下三點(diǎn):
基本TTL電路中的二極管D和T4由T4和T5所組成的復(fù)合管所代替,當(dāng)輸出由低電平向高電平過渡時,由于復(fù)合管電路的電流增益很大,輸出電阻很小,從而減小了電路對負(fù)載 圖3.3.1 肖特基TTL與非門電路的電容的充電時間。
典型電路,電路輸人端所加的SBD DA和Du,用來減小門電路之間的連線而引起的雜散信號,并防止輸人信號反向過沖使T1電流過大而損壞。
由T6與j6、Rb6組成的有源電路代替了基本TTL電路中的Re2(1kΩ)。當(dāng)與非門的全部輸入端由低電平轉(zhuǎn)向高電平時,T2飽和導(dǎo)通,由于T6的基極回路串接了電阻Rb6,T6的導(dǎo)通滯后T3,使T2以較大的電流驅(qū)動T3,從而加快了T3的飽和過程。隨后,T6開始導(dǎo)通,將對T3的基極電流產(chǎn)生分流作用,減輕了T3飽和程度,當(dāng)電路再次翻轉(zhuǎn)時,T3能很快地截止。因而,有源電阻縮短了門電路的轉(zhuǎn)換時間,使其電壓傳輸特性得到改善。與TTL反相器的傳輸特性相比,C點(diǎn)不再存在了,由B點(diǎn)直接下降到D點(diǎn),即傳輸特性變化非常陡峭。有源非線性電路稱為有源下拉電路①,它與有源上拉電路是對應(yīng)的。
除典型的肖特基型TTL(74S系列)外,還有其他類型的改進(jìn)電路,它們的技術(shù)參數(shù)各有特點(diǎn),是在TTL工藝的發(fā)展過程中逐步形成的。表3.2.2所示為有源下拉電路系active pul⒈down circuit的譯稱,它與有源上拉電路是對應(yīng)的電路,RL1和RI。為外接負(fù)載或下一級門電路的輸人電阻。電路的供電電源為-5.2V,%為牽引電源,可以取=5.2Ⅴ或一2V等數(shù)值。輸人信號的高低電平分別為‰=-0,9Ⅴ,yIL=-1.75V。射極輸出器的作用是移動電平值,使得輸出端的高、低電平與輸入端的高、低電平電壓匹配,并提高了帶負(fù)載能力。
ECL門基本電路,當(dāng)輸人端A、B都接低電平時,由于T3的基極電位比Tl的高,因此T3優(yōu)先導(dǎo)通,使發(fā)射極的電位vE=REF-ui=-2V。這時T1、T2管發(fā)射結(jié)壓降只有0.25V,因此T1、T2同時截止。若忽略T4基極電流在Rel上的壓降,則vc1=0Ⅴ1=-7E4=-0,7Ⅴ,即出1輸出為ECL邏輯高電平。
T3導(dǎo)通,流過Re的電流由T3提供,jE=(vE-uE)/Re≈4.1 mA。忽略T5基極電流,可以求得T3集電極電位vc3=-u3=-1Ⅴ2=v c3-uE5=-1.7V,即L2為邏輯低電平。
另外,導(dǎo)通的T3管集電結(jié)反偏,所以T3處于放大狀態(tài),而不是飽和狀態(tài)。
當(dāng)輸入端a、B中有一個接高電平(設(shè)A接高電平)時由于vA)yRw,所以T1優(yōu)先導(dǎo)通,使vE=vA-7E1=-1.6V,此時加到T3管發(fā)射結(jié)壓降只有0.3V,故T3截止。忽略Rc3上的壓降,uj=-0.7V,E2為高電平輸出。TI導(dǎo)通使Rc的電流為uE=(vE-uE)Re=4.6 mA,該電流在Rcl上產(chǎn)生壓降,使Tl集電極電位tc1=-EFc1=-1V,jk=-1,7V,L1為低電平輸出。同樣,T1的集電結(jié)近似為零偏,也未工作在飽和狀態(tài)。
由于T1和T2管是并聯(lián)在一起的,只要處、B中有一個接高電平,都會使u1為低電平,而出2為高電平。因此u=a+B 或非輸出
E2=A+B 或輸出或非輸出,射極耦合邏輯電路
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