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集電極射極飽和電壓電流

發(fā)布時間:2020/3/27 19:07:42 訪問次數(shù):1618

T494B684K050AS制造商:Infineon產(chǎn)品種類:IGBT 模塊RoHS:否商標(biāo):Infineon Technologies產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules配置:Dual集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V集電極—射極飽和電壓:1.95 V在25 C的連續(xù)集電極電流:180 A柵極—射極漏泄電流:400 nA最大工作溫度:+ 125 C封裝 / 箱體:34MM柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V最小工作溫度:- 40 C安裝風(fēng)格:ScrewPd-功率耗散:730 W工廠包裝數(shù)量:10

制造商:Infineon產(chǎn)品種類:IGBT 模塊RoHS: 詳細(xì)信息產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules配置:Dual集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1700 V集電極—射極飽和電壓:2.45 V在25 C的連續(xù)集電極電流:1070 A柵極—射極漏泄電流:400 nA最大工作溫度:+ 125 C封裝 / 箱體:62 mm封裝:Tray商標(biāo):Infineon Technologies柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V最小工作溫度:- 40 C安裝風(fēng)格:ScrewPd-功率耗散:3150 W工廠包裝數(shù)量:10

制造商:Infineon產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 詳細(xì)信息商標(biāo):Infineon Technologies安裝風(fēng)格:Through Hole封裝 / 箱體:TO-247-3晶體管極性:N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓:650 VId-連續(xù)漏極電流:60 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:45 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:20 V最大工作溫度:+ 150 C封裝:Tube通道模式:Enhancement配置:Single下降時間:10 ns最小工作溫度:- 55 CPd-功率耗散:431 W上升時間:20 ns系列:CoolMOS CP工廠包裝數(shù)量:240商標(biāo)名:CoolMOS典型關(guān)閉延遲時間:100 ns典型接通延遲時間:30 ns零件號別名:IPW60R045CPFKSA1 IPW60R045CPXK SP000067149

制造商:ON Semiconductor產(chǎn)品種類:開關(guān)控制器RoHS: 詳細(xì)信息商標(biāo):ON Semiconductor拓?fù)浣Y(jié)構(gòu):Boost, Flyback, Forward輸出端數(shù)量:1 Output開關(guān)頻率:500 kHz占空比 - 最大:96 %輸出電壓:4.9 V to 5.1 V輸出電流:1000 mA最大工作溫度:+ 105 C安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOIC-14封裝:Reel下降時間:50 ns最小工作溫度:- 40 C工作電源電壓:30 V上升時間:50 ns系列:UC3843B工廠包裝數(shù)量:2500

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: IGBT 模塊

RoHS: 符合RoHS 詳細(xì)信息

產(chǎn)品: IGBT Silicon Modules

配置: Hex

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1200 V

在25 C的連續(xù)集電極電流: 55 A

最大工作溫度: + 125 C

封裝 / 箱體: Econo 2

封裝: Tray

商標(biāo): Infineon Technologies

柵極/發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V

最小工作溫度: - 40 C

安裝風(fēng)格: Screw

工廠包裝數(shù)量: 10

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司http://cxly.51dzw.com/

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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制造商:Infineon產(chǎn)品種類:IGBT 模塊RoHS: 詳細(xì)信息產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules配置:Dual集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1700 V集電極—射極飽和電壓:2.45 V在25 C的連續(xù)集電極電流:1070 A柵極—射極漏泄電流:400 nA最大工作溫度:+ 125 C封裝 / 箱體:62 mm封裝:Tray商標(biāo):Infineon Technologies柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V最小工作溫度:- 40 C安裝風(fēng)格:ScrewPd-功率耗散:3150 W工廠包裝數(shù)量:10

制造商:Infineon產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 詳細(xì)信息商標(biāo):Infineon Technologies安裝風(fēng)格:Through Hole封裝 / 箱體:TO-247-3晶體管極性:N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓:650 VId-連續(xù)漏極電流:60 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:45 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:20 V最大工作溫度:+ 150 C封裝:Tube通道模式:Enhancement配置:Single下降時間:10 ns最小工作溫度:- 55 CPd-功率耗散:431 W上升時間:20 ns系列:CoolMOS CP工廠包裝數(shù)量:240商標(biāo)名:CoolMOS典型關(guān)閉延遲時間:100 ns典型接通延遲時間:30 ns零件號別名:IPW60R045CPFKSA1 IPW60R045CK SP000067149

制造商:ON Semiconductor產(chǎn)品種類:開關(guān)控制器RoHS: 詳細(xì)信息商標(biāo):ON Semiconductor拓?fù)浣Y(jié)構(gòu):Boost, Flyback, Forward輸出端數(shù)量:1 Output開關(guān)頻率:500 kHz占空比 - 最大:96 %輸出電壓:4.9 V to 5.1 V輸出電流:1000 mA最大工作溫度:+ 105 C安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOIC-14封裝:Reel下降時間:50 ns最小工作溫度:- 40 C工作電源電壓:30 V上升時間:50 ns系列:UC3843B工廠包裝數(shù)量:2500

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: IGBT 模塊

RoHS: 符合RoHS 詳細(xì)信息

產(chǎn)品: IGBT Silicon Modules

配置: Hex

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1200 V

在25 C的連續(xù)集電極電流: 55 A

最大工作溫度: + 125 C

封裝 / 箱體: Econo 2

封裝: Tray

商標(biāo): Infineon Technologies

柵極/發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V

最小工作溫度: - 40 C

安裝風(fēng)格: Screw

工廠包裝數(shù)量: 10

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