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產(chǎn)品的漏源導(dǎo)通電阻降低

發(fā)布時(shí)間:2020/4/8 21:48:35 訪問(wèn)次數(shù):4940

CS5036E是一款采用CMOS工藝升壓型開關(guān)穩(wěn)壓器,其主要包括一個(gè)參考電壓源,一個(gè)振蕩電路,一個(gè)誤差放大器,一個(gè)相位補(bǔ)償電路,通過(guò)PWM/PFM切換控制電路。CS5036E內(nèi)置MOS的設(shè)計(jì),只需極簡(jiǎn)的外圍電路,可以大限度的保證電源模塊的可靠性以及避免電源模塊設(shè)計(jì)的復(fù)雜化。CS5036E高可提供13V恒定的電壓輸出;可保證9A的 均值電流下負(fù)載穩(wěn)定工作.低至2.5V的啟動(dòng)電壓,3~12V的寬工作電壓范圍,可大限度的適用于各種終端設(shè)備。

CS5036E提供了EQA16的封裝類型,其額定的工作溫度范圍為-40℃至85℃。

 

特征

輸入電壓范圍:3~12V

可調(diào)電壓輸出高至 13V

軟啟動(dòng)功能

高93%的效率

振蕩頻率: 350KHz

精準(zhǔn)的反饋參考電壓: 1V (±2%)

內(nèi)置17mΩ, 12A, 15V 的 MOSFET

關(guān)斷電流: <36μA

過(guò)溫保護(hù)

過(guò)壓保護(hù)

封裝: EQA16L

應(yīng)用

音箱產(chǎn)品、電動(dòng)工具、數(shù)碼相機(jī)、手持設(shè)備、移動(dòng)終端

 

CS8318C三節(jié)鋰電鉛酸電池供電 三種防破音模式,33W單聲道R類功放IC。管腳兼容CS8316C 性價(jià)比更好。

供電電壓:9V-14V

三種防破音模式可選

內(nèi)置BOOST模塊R類結(jié)構(gòu)至15.5V,集成AB類D類兩種模式

優(yōu)異的"噼噗-咔嗒"(pop-noise)雜音抑制能力

自適應(yīng)升壓功能

高84%的效率

CS8318C提供了纖小的的TSSOP24-PP封裝形式供客戶選擇,其額定的工作溫度范圍為-40℃至85℃

PWM頻率330KHZ

過(guò)流保護(hù),短路保護(hù)和過(guò)熱保護(hù)

符合Rohs標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)鉛封裝

 

新增采用其最新一代工藝制造而成的80V N溝道功率MOSFET--- TPH2R408QM和TPN19008QM。新款MOSFET適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站所用的工業(yè)設(shè)備的開關(guān)電源。

新增產(chǎn)品包括采用表面貼裝SOP Advance封裝的“TPH2R408QM”以及采用TSON Advance封裝的“TPN19008QM”。產(chǎn)品于今日開始出貨。

采用了其最新一代的工藝制造技術(shù),與當(dāng)前U-MOS Ⅷ-H系列中的80V產(chǎn)品相比,新款80V U-MOS X-H產(chǎn)品的漏源導(dǎo)通電阻降低了大約40%。通過(guò)優(yōu)化器件結(jié)構(gòu),漏源導(dǎo)通電阻與柵極電荷特性[1]之間的平衡也得到了進(jìn)一步的改善[2]。因此,新產(chǎn)品可提供業(yè)界最低[3]功耗。

東芝正在擴(kuò)展其降耗型產(chǎn)品線,從而為降低設(shè)備功耗提供幫助。

應(yīng)用:

開關(guān)電源(高效AC-DC轉(zhuǎn)換器、DC-DC轉(zhuǎn)換器等)

電機(jī)控制設(shè)備(電機(jī)驅(qū)動(dòng)等)

RDS(ON)=2.43mΩ(最大值)@VGS=10V(TPH2R40QM)

RDS(ON)=19mΩ(最大值)@VGS=10V(TPN19008QM)

高額定通道溫度:Tch=175℃

總柵極電荷(柵源+柵漏)、柵極開關(guān)電荷、輸出電荷。

與TPH4R008NH(U-MOS Ⅷ-H系列)進(jìn)行比較,TPH2R408QM的漏源導(dǎo)通電阻x總柵極電荷改善約為15%、漏源導(dǎo)通電阻 x 柵極開關(guān)電荷改善約為10%、漏源導(dǎo)通電阻x輸出電荷改善約為31%。

深圳市金嘉銳電子有限公司http://xczykj.51dzw.com/

(素材來(lái)源:ttic和eechina.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

 

CS5036E是一款采用CMOS工藝升壓型開關(guān)穩(wěn)壓器,其主要包括一個(gè)參考電壓源,一個(gè)振蕩電路,一個(gè)誤差放大器,一個(gè)相位補(bǔ)償電路,通過(guò)PWM/PFM切換控制電路。CS5036E內(nèi)置MOS的設(shè)計(jì),只需極簡(jiǎn)的外圍電路,可以大限度的保證電源模塊的可靠性以及避免電源模塊設(shè)計(jì)的復(fù)雜化。CS5036E高可提供13V恒定的電壓輸出;可保證9A的 均值電流下負(fù)載穩(wěn)定工作.低至2.5V的啟動(dòng)電壓,3~12V的寬工作電壓范圍,可大限度的適用于各種終端設(shè)備。

CS5036E提供了EQA16的封裝類型,其額定的工作溫度范圍為-40℃至85℃。

 

特征

輸入電壓范圍:3~12V

可調(diào)電壓輸出高至 13V

軟啟動(dòng)功能

高93%的效率

振蕩頻率: 350KHz

精準(zhǔn)的反饋參考電壓: 1V (±2%)

內(nèi)置17mΩ, 12A, 15V 的 MOSFET

關(guān)斷電流: <36μA

過(guò)溫保護(hù)

過(guò)壓保護(hù)

封裝: EQA16L

應(yīng)用

音箱產(chǎn)品、電動(dòng)工具、數(shù)碼相機(jī)、手持設(shè)備、移動(dòng)終端

 

CS8318C三節(jié)鋰電鉛酸電池供電 三種防破音模式,33W單聲道R類功放IC。管腳兼容CS8316C 性價(jià)比更好。

供電電壓:9V-14V

三種防破音模式可選

內(nèi)置BOOST模塊R類結(jié)構(gòu)至15.5V,集成AB類D類兩種模式

優(yōu)異的"噼噗-咔嗒"(pop-noise)雜音抑制能力

自適應(yīng)升壓功能

高84%的效率

CS8318C提供了纖小的的TSSOP24-PP封裝形式供客戶選擇,其額定的工作溫度范圍為-40℃至85℃

PWM頻率330KHZ

過(guò)流保護(hù),短路保護(hù)和過(guò)熱保護(hù)

符合Rohs標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)鉛封裝

 

新增采用其最新一代工藝制造而成的80V N溝道功率MOSFET--- TPH2R408QM和TPN19008QM。新款MOSFET適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站所用的工業(yè)設(shè)備的開關(guān)電源。

新增產(chǎn)品包括采用表面貼裝SOP Advance封裝的“TPH2R408QM”以及采用TSON Advance封裝的“TPN19008QM”。產(chǎn)品于今日開始出貨。

采用了其最新一代的工藝制造技術(shù),與當(dāng)前U-MOS Ⅷ-H系列中的80V產(chǎn)品相比,新款80V U-MOS X-H產(chǎn)品的漏源導(dǎo)通電阻降低了大約40%。通過(guò)優(yōu)化器件結(jié)構(gòu),漏源導(dǎo)通電阻與柵極電荷特性[1]之間的平衡也得到了進(jìn)一步的改善[2]。因此,新產(chǎn)品可提供業(yè)界最低[3]功耗。

東芝正在擴(kuò)展其降耗型產(chǎn)品線,從而為降低設(shè)備功耗提供幫助。

應(yīng)用:

開關(guān)電源(高效AC-DC轉(zhuǎn)換器、DC-DC轉(zhuǎn)換器等)

電機(jī)控制設(shè)備(電機(jī)驅(qū)動(dòng)等)

RDS(ON)=2.43mΩ(最大值)@VGS=10V(TPH2R40QM)

RDS(ON)=19mΩ(最大值)@VGS=10V(TPN19008QM)

高額定通道溫度:Tch=175℃

總柵極電荷(柵源+柵漏)、柵極開關(guān)電荷、輸出電荷。

與TPH4R008NH(U-MOS Ⅷ-H系列)進(jìn)行比較,TPH2R408QM的漏源導(dǎo)通電阻x總柵極電荷改善約為15%、漏源導(dǎo)通電阻 x 柵極開關(guān)電荷改善約為10%、漏源導(dǎo)通電阻x輸出電荷改善約為31%。

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