溫度傳感器和光線傳感器的功能
發(fā)布時(shí)間:2020/6/2 18:03:05 訪問次數(shù):857
SMCJ78CATR-13開發(fā)安全和資產(chǎn)監(jiān)控?zé)o線傳感器網(wǎng)絡(luò)的公司面臨諸多技術(shù)挑戰(zhàn),而基于Web的智能傳感器HDK能夠協(xié)助解決。開發(fā)人員現(xiàn)在可以把標(biāo)準(zhǔn)化的主動RFID與其它的無線網(wǎng)絡(luò)和GPS功能以及增強(qiáng)型感應(yīng)功能融為一體,以充分利用內(nèi)置的MEMS運(yùn)動傳感器、溫度傳感器和光線傳感器的功能;赪eb的智能傳感器HDK還可以延長電池的使用壽命,縮小產(chǎn)品的尺寸。
基于Web的智能傳感器HDK包括樣品板和一個(gè)Windows應(yīng)用軟件,用戶可以通過應(yīng)用軟件為新的主動RFID產(chǎn)品快速設(shè)置傳感器和無線通信功能。該開發(fā)平臺還讓用戶在工業(yè)、醫(yī)療和交通用ISO 18000-7 主動RFID產(chǎn)品中整合自主開發(fā)的硬件和固件的功能,包括新的RFID命令和數(shù)據(jù)段。
VIPerPlus全系列產(chǎn)品均以一個(gè)封裝內(nèi)集成控制器、啟動電路和一個(gè)800V抗雪崩的功率MOSFET。新的集成功能和高擊穿電壓有助于提高電源的耐用性和可靠性,減少外部元器件的數(shù)量,提供更高的工作能效和超低的待機(jī)功耗,在265V時(shí)待機(jī)功耗小于50mW;如果優(yōu)化變壓器設(shè)計(jì),待機(jī)功耗可更降低至30mW。
其中的800V抗雪崩功率MOSFET是專門為VIPerPlus系列產(chǎn)品優(yōu)化的。固定頻率PWM控制器具有頻率抖動技術(shù),采用創(chuàng)新的準(zhǔn)諧振拓?fù),在最大化工作能效的同時(shí),還能降低EMI濾波器成本。VIPerPlus系列擁有同類產(chǎn)品中最好的待機(jī)功耗,使客戶的產(chǎn)品可以符合最嚴(yán)格的節(jié)能法規(guī)(能源之星、80+ 銅級、銀級、金級認(rèn)證),VIPerPlus系列的保護(hù)功能包括精確的可調(diào)過壓和超載保護(hù)、滯后過熱保護(hù)、兩級過流保護(hù)和開環(huán)失效斷開保護(hù)。
功率MOSFET晶體管,擊穿電壓更高,抗涌流能力更強(qiáng),電能損耗更低,特別適用于設(shè)計(jì)液晶顯示器、電視機(jī)和節(jié)能燈鎮(zhèn)流器等產(chǎn)品的高能效電源。
STx7N95K3系列為功率MOSFET新增一個(gè)950V的擊穿電壓級別產(chǎn)品,此一新級別的產(chǎn)品特別適用于通過把工作電壓提高到400V或更高來降低能耗的系統(tǒng)。與競爭品牌的900V產(chǎn)品相比,意法半導(dǎo)體全新950V功率MOSFET的安全工作面積更大,可靠性更高。高壓電源設(shè)計(jì)人員還可以使用一個(gè) 單一950V MOSFET取代雙晶體管電路,從而簡化電路設(shè)計(jì),縮減尺寸,減少元器件數(shù)量。
此外,STx7N95K3系列的額定雪崩電流高于競爭產(chǎn)品,這個(gè)優(yōu)勢可確保產(chǎn)品能夠承受高于擊穿電壓的電涌,因?yàn)檫^高的浪涌電流會燒毀器件。新產(chǎn)品的額定雪崩電流為9A,而實(shí)力最接近的競爭品牌的900V產(chǎn)品的額定雪崩電流大約只有1A。
除更強(qiáng)的耐高壓能力外,STx7N95K3系列還實(shí)現(xiàn)了導(dǎo)通損耗最小化,導(dǎo)通電阻RDS(ON)被降至1.35歐姆以下。新產(chǎn)品的單位芯片面積導(dǎo)通電阻RDS(ON)比前一代MOSFET降低30%,設(shè)計(jì)人員可以提高功率密度及能效。
因?yàn)檫_(dá)成低柵電荷量(QG)和低本征電容,這些新的MOSFET還能提供優(yōu)異的開關(guān)性能,這個(gè)特性讓設(shè)計(jì)人員可以使用更高的開關(guān)頻率、尺寸更小的元器件,以進(jìn)一步提高能效和功率密度。
STx7N95K3 MOSFET實(shí)現(xiàn)這些性能優(yōu)勢歸功于意法半導(dǎo)體的最新一代SuperMESH3技術(shù)。新產(chǎn)品采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝:STF7N95K3采用 TO-220FP封裝;STP7N95K3采用標(biāo)準(zhǔn)的TO-220封裝;STW7N95K3采用TO-247封裝。
(素材來源:21IC和ttic和eechina.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)深圳市斌能達(dá)電子科技有限公司http://jkic888.51dzw.com/
SMCJ78CATR-13開發(fā)安全和資產(chǎn)監(jiān)控?zé)o線傳感器網(wǎng)絡(luò)的公司面臨諸多技術(shù)挑戰(zhàn),而基于Web的智能傳感器HDK能夠協(xié)助解決。開發(fā)人員現(xiàn)在可以把標(biāo)準(zhǔn)化的主動RFID與其它的無線網(wǎng)絡(luò)和GPS功能以及增強(qiáng)型感應(yīng)功能融為一體,以充分利用內(nèi)置的MEMS運(yùn)動傳感器、溫度傳感器和光線傳感器的功能;赪eb的智能傳感器HDK還可以延長電池的使用壽命,縮小產(chǎn)品的尺寸。
基于Web的智能傳感器HDK包括樣品板和一個(gè)Windows應(yīng)用軟件,用戶可以通過應(yīng)用軟件為新的主動RFID產(chǎn)品快速設(shè)置傳感器和無線通信功能。該開發(fā)平臺還讓用戶在工業(yè)、醫(yī)療和交通用ISO 18000-7 主動RFID產(chǎn)品中整合自主開發(fā)的硬件和固件的功能,包括新的RFID命令和數(shù)據(jù)段。
VIPerPlus全系列產(chǎn)品均以一個(gè)封裝內(nèi)集成控制器、啟動電路和一個(gè)800V抗雪崩的功率MOSFET。新的集成功能和高擊穿電壓有助于提高電源的耐用性和可靠性,減少外部元器件的數(shù)量,提供更高的工作能效和超低的待機(jī)功耗,在265V時(shí)待機(jī)功耗小于50mW;如果優(yōu)化變壓器設(shè)計(jì),待機(jī)功耗可更降低至30mW。
其中的800V抗雪崩功率MOSFET是專門為VIPerPlus系列產(chǎn)品優(yōu)化的。固定頻率PWM控制器具有頻率抖動技術(shù),采用創(chuàng)新的準(zhǔn)諧振拓?fù),在最大化工作能效的同時(shí),還能降低EMI濾波器成本。VIPerPlus系列擁有同類產(chǎn)品中最好的待機(jī)功耗,使客戶的產(chǎn)品可以符合最嚴(yán)格的節(jié)能法規(guī)(能源之星、80+ 銅級、銀級、金級認(rèn)證),VIPerPlus系列的保護(hù)功能包括精確的可調(diào)過壓和超載保護(hù)、滯后過熱保護(hù)、兩級過流保護(hù)和開環(huán)失效斷開保護(hù)。
功率MOSFET晶體管,擊穿電壓更高,抗涌流能力更強(qiáng),電能損耗更低,特別適用于設(shè)計(jì)液晶顯示器、電視機(jī)和節(jié)能燈鎮(zhèn)流器等產(chǎn)品的高能效電源。
STx7N95K3系列為功率MOSFET新增一個(gè)950V的擊穿電壓級別產(chǎn)品,此一新級別的產(chǎn)品特別適用于通過把工作電壓提高到400V或更高來降低能耗的系統(tǒng)。與競爭品牌的900V產(chǎn)品相比,意法半導(dǎo)體全新950V功率MOSFET的安全工作面積更大,可靠性更高。高壓電源設(shè)計(jì)人員還可以使用一個(gè) 單一950V MOSFET取代雙晶體管電路,從而簡化電路設(shè)計(jì),縮減尺寸,減少元器件數(shù)量。
此外,STx7N95K3系列的額定雪崩電流高于競爭產(chǎn)品,這個(gè)優(yōu)勢可確保產(chǎn)品能夠承受高于擊穿電壓的電涌,因?yàn)檫^高的浪涌電流會燒毀器件。新產(chǎn)品的額定雪崩電流為9A,而實(shí)力最接近的競爭品牌的900V產(chǎn)品的額定雪崩電流大約只有1A。
除更強(qiáng)的耐高壓能力外,STx7N95K3系列還實(shí)現(xiàn)了導(dǎo)通損耗最小化,導(dǎo)通電阻RDS(ON)被降至1.35歐姆以下。新產(chǎn)品的單位芯片面積導(dǎo)通電阻RDS(ON)比前一代MOSFET降低30%,設(shè)計(jì)人員可以提高功率密度及能效。
因?yàn)檫_(dá)成低柵電荷量(QG)和低本征電容,這些新的MOSFET還能提供優(yōu)異的開關(guān)性能,這個(gè)特性讓設(shè)計(jì)人員可以使用更高的開關(guān)頻率、尺寸更小的元器件,以進(jìn)一步提高能效和功率密度。
STx7N95K3 MOSFET實(shí)現(xiàn)這些性能優(yōu)勢歸功于意法半導(dǎo)體的最新一代SuperMESH3技術(shù)。新產(chǎn)品采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝:STF7N95K3采用 TO-220FP封裝;STP7N95K3采用標(biāo)準(zhǔn)的TO-220封裝;STW7N95K3采用TO-247封裝。
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