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開關(guān)具有高輸出電容的負(fù)載

發(fā)布時(shí)間:2020/6/10 22:47:59 訪問次數(shù):3074

內(nèi)置麥克風(fēng)的需求不斷提高,但機(jī)殼內(nèi)的空間卻十分有限。產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員需要能讓麥克風(fēng)變得更小且必要接口電路可安裝在印刷電路板上的解決方案。意法半導(dǎo)體的EMIF02-MIC07F3是下一代麥克風(fēng)接口器件,單片集成麥克風(fēng)正常工作所需的噪聲濾波器、靜電放電(ESD)保護(hù)和偏壓電路三大功能,芯片占板面積僅為 1.37mm2,設(shè)計(jì)人員僅用一顆EMIF02-MIC07F3芯片,即可替代占位至少20.8mm2的多個(gè)分立器件解決方案。


設(shè)計(jì)機(jī)頂盒、超移動(dòng)PC、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備和電子書(eBook)等復(fù)雜性較高的消費(fèi)電子應(yīng)用產(chǎn)品時(shí),設(shè)計(jì)人員需要能夠解決電池管理和綠色能源難題的功率開關(guān)解決方案,而它們又每每與這些應(yīng)用產(chǎn)品中較高的負(fù)載電流、較低的供電電壓、較大的電池和更復(fù)雜多變的運(yùn)作狀況有關(guān)聯(lián)。

先進(jìn)負(fù)載管理開關(guān)產(chǎn)品FPF1038 / FPF1039,這兩款單一芯片解決方案在開關(guān)用于斷開具有高輸出電容(>100μF)的負(fù)載時(shí),能夠幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對(duì)降低浪涌電流或高di/dt的挑戰(zhàn)。如果使用傳統(tǒng)的MOSFET/分立式解決方案將負(fù)載直接連接至電池或電源,當(dāng)開關(guān)開啟并消耗大量的電流時(shí),分立元件的容差則可能造成過多的電壓下降,從而引致電壓軌超出規(guī)范要求。


全新20V NPN及PNP雙極晶體管,它們采用超小型DFN1411-3表面貼裝封裝,能大大提升電源管理電路的功率密度和效率。該器件采用了Diodes第五代矩陣射極雙極工藝設(shè)計(jì) (5 matrix emitter Bipolar process)。

這對(duì)互補(bǔ)性器件ZXTN26020DMF和ZXTP26020DMF的占位面積只有1.1 x 1.4毫米,離版高度為0.5毫米,有助于設(shè)計(jì)出極其纖巧的便攜式產(chǎn)品,還可改善產(chǎn)品的電性能及熱特性。

這些微型晶體管適用于MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換及一般開關(guān)工作,比體積更大的SOT23封裝元件更能節(jié)省空間,并體現(xiàn)盡善盡美的熱性能,其在占位面積最小的FR-4 PCB上的額定耗散功率僅為0.38W。

最新雙極器件的特點(diǎn)包括高增益、低飽和度及快速開關(guān),并具有極高的連續(xù)電流處理能力。NPN和PNP器件的最大額定集電極電流分別為1.5A和–1.25A,超過目前所有封裝體積更小的器件。


深圳市永拓豐科技有限公司http://ytf02.51dzw.com/

(素材來源:21IC和ttic和eechina.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)





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設(shè)計(jì)機(jī)頂盒、超移動(dòng)PC、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備和電子書(eBook)等復(fù)雜性較高的消費(fèi)電子應(yīng)用產(chǎn)品時(shí),設(shè)計(jì)人員需要能夠解決電池管理和綠色能源難題的功率開關(guān)解決方案,而它們又每每與這些應(yīng)用產(chǎn)品中較高的負(fù)載電流、較低的供電電壓、較大的電池和更復(fù)雜多變的運(yùn)作狀況有關(guān)聯(lián)。

先進(jìn)負(fù)載管理開關(guān)產(chǎn)品FPF1038 / FPF1039,這兩款單一芯片解決方案在開關(guān)用于斷開具有高輸出電容(>100μF)的負(fù)載時(shí),能夠幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對(duì)降低浪涌電流或高di/dt的挑戰(zhàn)。如果使用傳統(tǒng)的MOSFET/分立式解決方案將負(fù)載直接連接至電池或電源,當(dāng)開關(guān)開啟并消耗大量的電流時(shí),分立元件的容差則可能造成過多的電壓下降,從而引致電壓軌超出規(guī)范要求。


全新20V NPN及PNP雙極晶體管,它們采用超小型DFN1411-3表面貼裝封裝,能大大提升電源管理電路的功率密度和效率。該器件采用了Diodes第五代矩陣射極雙極工藝設(shè)計(jì) (5 matrix emitter Bipolar process)。

這對(duì)互補(bǔ)性器件ZXTN26020DMF和ZXTP26020DMF的占位面積只有1.1 x 1.4毫米,離版高度為0.5毫米,有助于設(shè)計(jì)出極其纖巧的便攜式產(chǎn)品,還可改善產(chǎn)品的電性能及熱特性。

這些微型晶體管適用于MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換及一般開關(guān)工作,比體積更大的SOT23封裝元件更能節(jié)省空間,并體現(xiàn)盡善盡美的熱性能,其在占位面積最小的FR-4 PCB上的額定耗散功率僅為0.38W。

最新雙極器件的特點(diǎn)包括高增益、低飽和度及快速開關(guān),并具有極高的連續(xù)電流處理能力。NPN和PNP器件的最大額定集電極電流分別為1.5A和–1.25A,超過目前所有封裝體積更小的器件。


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