VI-2NX-EZ芯片測(cè)試程序是基于自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)自帶軟件開(kāi)發(fā)的針對(duì)芯片測(cè)試規(guī)范的一套代碼 [3] ，是整個(gè)芯片量產(chǎn)測(cè)試的重要環(huán)節(jié)。開(kāi)發(fā)初期需要與相關(guān)設(shè)計(jì)工程師一起確定測(cè)試項(xiàng)目及測(cè)試結(jié)果范圍，然后制定測(cè)試計(jì)劃，根據(jù)測(cè)試計(jì)劃編寫(xiě)測(cè)試代碼，校驗(yàn)代碼是否正確。當(dāng)測(cè)試程序校準(zhǔn)無(wú)誤后，需要用樣片進(jìn)行逐項(xiàng)調(diào)試，直到所有測(cè)試項(xiàng)目全部通過(guò)。最后測(cè)試多個(gè)不同批次的芯片，記錄一些測(cè)試值，根據(jù)統(tǒng)計(jì)學(xué)方法計(jì)算出這些項(xiàng)目測(cè)試值的平均范圍，以此確定測(cè)試程序的最終測(cè)試結(jié)果范圍。

此芯片的測(cè)試項(xiàng)目如下：

開(kāi)短路測(cè)試

漏電流測(cè)試

工作電流的每種狀態(tài)測(cè)試

數(shù)字部分相關(guān)的DFT測(cè)試，包括SCAN,ATPG各種芯片內(nèi)部寄存器鏈

射頻部分功耗測(cè)試

LDO/SMPS模塊測(cè)試

射頻LB/HB 發(fā)射功率參數(shù)測(cè)試

射頻LB/HB接收靈敏度等參數(shù)測(cè)試

射頻LB/HB接收ADC code、SNR、THD測(cè)試

PLL LB/HB測(cè)試

X-TAL 測(cè)試

一顆雙頻Wi-Fi芯片量產(chǎn)測(cè)試開(kāi)發(fā)的流程及相關(guān)技術(shù)問(wèn)題。實(shí)際生產(chǎn)中開(kāi)發(fā)的過(guò)程會(huì)更加具體，一般一款芯片的開(kāi)發(fā)周期大概是1年左右，從設(shè)計(jì)、流片，到驗(yàn)證量產(chǎn)，測(cè)試工程師都應(yīng)該全程參與，這樣才能提高開(kāi)發(fā)效率。開(kāi)發(fā)成功后還需要一些工程批次的不斷驗(yàn)證，來(lái)找到測(cè)試程序限值與芯片設(shè)計(jì)要求之間的平衡點(diǎn)，以此來(lái)提升芯片量產(chǎn)測(cè)試良率。同時(shí)也可以通過(guò)量產(chǎn)測(cè)試發(fā)現(xiàn)設(shè)計(jì)及制造過(guò)程中產(chǎn)生的缺陷，不斷修改設(shè)計(jì)及制造參數(shù)，最后使芯片的量產(chǎn)良率達(dá)到一個(gè)較高的水平。

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