AI處理器與存儲(chǔ)器之間實(shí)現(xiàn)低延遲
發(fā)布時(shí)間:2020/7/4 17:12:16 訪問次數(shù):7219
VI-22K-IW作為先進(jìn)的特色工藝半導(dǎo)體代工廠,格芯® (GF®) 近日宣布其先進(jìn)的FinFET解決方案12LP+已完成技術(shù)認(rèn)證,準(zhǔn)備投入生產(chǎn)。
12LP+是格芯推出的差異化解決方案,針對(duì)人工智能(AI)訓(xùn)練和推理應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。12LP+采用已驗(yàn)證的平臺(tái),依托穩(wěn)健的生產(chǎn)生態(tài)系統(tǒng),為芯片設(shè)計(jì)師提供高效的開發(fā)體驗(yàn),助力產(chǎn)品快速上市。
12LP+引入了多項(xiàng)新特性,包括更新后的標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)、用于2.5D封裝的中介層、低功耗0.5V Vmin SRAM位單元等。這些特性有助于在AI處理器與存儲(chǔ)器之間實(shí)現(xiàn)低延遲、低功耗數(shù)據(jù)傳輸,在性能、功率和面積方面的綜合表現(xiàn)也非常出色,從而滿足快速增長(zhǎng)的AI市場(chǎng)的特定需求。
人工智能正成為我們一生中最具顛覆性的技術(shù)。日益明晰的是,AI系統(tǒng)的能效,也就是每瓦特功率可進(jìn)行的運(yùn)算次數(shù),將成為公司投資數(shù)據(jù)中心或邊緣AI應(yīng)用時(shí)的關(guān)鍵考慮因素。而格芯新的12LP+解決方案就直面這一挑戰(zhàn),它的設(shè)計(jì)、優(yōu)化均以AI為出發(fā)點(diǎn)。

12LP+基于格芯成熟的14nm/ 12LP平臺(tái) ,利用此平臺(tái)格芯已經(jīng)交付了100多萬片晶圓。格芯的12LP解決方案已被多家公司用于AI加速器應(yīng)用,包括 燧原科技(Enflame) 、 Tenstorrent 等公司。通過與AI客戶緊密合作并借鑒學(xué)習(xí),格芯開發(fā)出12LP+,為AI領(lǐng)域的設(shè)計(jì)師提供更多差異化和更高價(jià)值,同時(shí)最大限度地降低他們的開發(fā)和生產(chǎn)成本。
12LP+的性能提升包括SoC級(jí)邏輯性能相比12LP提升20%,邏輯區(qū)面積微縮10%。12LP+的進(jìn)步得益于它的下一代標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)、面積優(yōu)化的高性能組件、單鰭片單元、新的低電壓SRAM位單元,以及改良的模擬版圖設(shè)計(jì)規(guī)則。
12LP+是專業(yè)應(yīng)用解決方案,結(jié)合格芯的AI設(shè)計(jì)參考包和格芯的聯(lián)合開發(fā)、封裝及晶圓廠后端交鑰匙服務(wù),共同構(gòu)成完整體驗(yàn),設(shè)計(jì)出針對(duì)AI應(yīng)用優(yōu)化的低功耗、高性價(jià)比電路。除了12LP的現(xiàn)有IP組合外,格芯還將擴(kuò)展12LP+的IP驗(yàn)證,包括面向主機(jī)處理器的PCIe 3/4/5和USB 2/3、面向外部存儲(chǔ)器的HBM2/2e、DDR/LPDDR4/4x和GDDR6,以及有助設(shè)計(jì)師和客戶實(shí)現(xiàn)小芯片架構(gòu)的芯片到芯片互連功能。

格芯12LP+解決方案已經(jīng)通過認(rèn)證,即將在紐約州馬耳他的格芯8號(hào)晶圓廠投入生產(chǎn)。2020年下半年將安排多次12LP+投片。格芯最近宣布8號(hào)晶圓廠將貫徹美國(guó)國(guó)際武器貿(mào)易條例(ITAR)標(biāo)準(zhǔn)及出口管制條例(EAR)。這些全新的管制保證將于今年晚些時(shí)候生效,以保護(hù)8號(hào)晶圓廠生產(chǎn)制造的國(guó)防相關(guān)應(yīng)用、設(shè)備或組件的保密性和完整性。
靜電放電路徑1:在后級(jí)電路引入靜電等高能量的沖擊,電荷釋放路徑1 是通過跨接初次級(jí)之間安規(guī)電容,將電荷直接通過初級(jí)電解電容釋放。放電路徑及設(shè)計(jì)走線。
靜電放電路徑2:在后級(jí)電路引入靜電等高能量的沖擊,電荷釋放路徑2 是通過高頻變壓器初次級(jí)耦合路徑傳輸。放電路徑及設(shè)計(jì)走線。
按企標(biāo)主板整機(jī)ESD測(cè)試方案對(duì)主板進(jìn)行ESD測(cè)試并對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)發(fā)現(xiàn)在主板ESD測(cè)試靜電水平達(dá)到15000 V,會(huì)出現(xiàn)一定概率的放電現(xiàn)象,放電點(diǎn)經(jīng)過確認(rèn)是開關(guān)電源次級(jí)輸出給開關(guān)芯片供電電路片狀電阻R100對(duì)反饋電路片狀電容C79進(jìn)行瞬間放電。
(素材來源:21IC和ttic和eechina.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
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12LP+是格芯推出的差異化解決方案,針對(duì)人工智能(AI)訓(xùn)練和推理應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。12LP+采用已驗(yàn)證的平臺(tái),依托穩(wěn)健的生產(chǎn)生態(tài)系統(tǒng),為芯片設(shè)計(jì)師提供高效的開發(fā)體驗(yàn),助力產(chǎn)品快速上市。
12LP+引入了多項(xiàng)新特性,包括更新后的標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)、用于2.5D封裝的中介層、低功耗0.5V Vmin SRAM位單元等。這些特性有助于在AI處理器與存儲(chǔ)器之間實(shí)現(xiàn)低延遲、低功耗數(shù)據(jù)傳輸,在性能、功率和面積方面的綜合表現(xiàn)也非常出色,從而滿足快速增長(zhǎng)的AI市場(chǎng)的特定需求。
人工智能正成為我們一生中最具顛覆性的技術(shù)。日益明晰的是,AI系統(tǒng)的能效,也就是每瓦特功率可進(jìn)行的運(yùn)算次數(shù),將成為公司投資數(shù)據(jù)中心或邊緣AI應(yīng)用時(shí)的關(guān)鍵考慮因素。而格芯新的12LP+解決方案就直面這一挑戰(zhàn),它的設(shè)計(jì)、優(yōu)化均以AI為出發(fā)點(diǎn)。

12LP+基于格芯成熟的14nm/ 12LP平臺(tái) ,利用此平臺(tái)格芯已經(jīng)交付了100多萬片晶圓。格芯的12LP解決方案已被多家公司用于AI加速器應(yīng)用,包括 燧原科技(Enflame) 、 Tenstorrent 等公司。通過與AI客戶緊密合作并借鑒學(xué)習(xí),格芯開發(fā)出12LP+,為AI領(lǐng)域的設(shè)計(jì)師提供更多差異化和更高價(jià)值,同時(shí)最大限度地降低他們的開發(fā)和生產(chǎn)成本。
12LP+的性能提升包括SoC級(jí)邏輯性能相比12LP提升20%,邏輯區(qū)面積微縮10%。12LP+的進(jìn)步得益于它的下一代標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)、面積優(yōu)化的高性能組件、單鰭片單元、新的低電壓SRAM位單元,以及改良的模擬版圖設(shè)計(jì)規(guī)則。
12LP+是專業(yè)應(yīng)用解決方案,結(jié)合格芯的AI設(shè)計(jì)參考包和格芯的聯(lián)合開發(fā)、封裝及晶圓廠后端交鑰匙服務(wù),共同構(gòu)成完整體驗(yàn),設(shè)計(jì)出針對(duì)AI應(yīng)用優(yōu)化的低功耗、高性價(jià)比電路。除了12LP的現(xiàn)有IP組合外,格芯還將擴(kuò)展12LP+的IP驗(yàn)證,包括面向主機(jī)處理器的PCIe 3/4/5和USB 2/3、面向外部存儲(chǔ)器的HBM2/2e、DDR/LPDDR4/4x和GDDR6,以及有助設(shè)計(jì)師和客戶實(shí)現(xiàn)小芯片架構(gòu)的芯片到芯片互連功能。

格芯12LP+解決方案已經(jīng)通過認(rèn)證,即將在紐約州馬耳他的格芯8號(hào)晶圓廠投入生產(chǎn)。2020年下半年將安排多次12LP+投片。格芯最近宣布8號(hào)晶圓廠將貫徹美國(guó)國(guó)際武器貿(mào)易條例(ITAR)標(biāo)準(zhǔn)及出口管制條例(EAR)。這些全新的管制保證將于今年晚些時(shí)候生效,以保護(hù)8號(hào)晶圓廠生產(chǎn)制造的國(guó)防相關(guān)應(yīng)用、設(shè)備或組件的保密性和完整性。
靜電放電路徑1:在后級(jí)電路引入靜電等高能量的沖擊,電荷釋放路徑1 是通過跨接初次級(jí)之間安規(guī)電容,將電荷直接通過初級(jí)電解電容釋放。放電路徑及設(shè)計(jì)走線。
靜電放電路徑2:在后級(jí)電路引入靜電等高能量的沖擊,電荷釋放路徑2 是通過高頻變壓器初次級(jí)耦合路徑傳輸。放電路徑及設(shè)計(jì)走線。
按企標(biāo)主板整機(jī)ESD測(cè)試方案對(duì)主板進(jìn)行ESD測(cè)試并對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)發(fā)現(xiàn)在主板ESD測(cè)試靜電水平達(dá)到15000 V,會(huì)出現(xiàn)一定概率的放電現(xiàn)象,放電點(diǎn)經(jīng)過確認(rèn)是開關(guān)電源次級(jí)輸出給開關(guān)芯片供電電路片狀電阻R100對(duì)反饋電路片狀電容C79進(jìn)行瞬間放電。
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