寬帶3 GHz至20 GHz SiGe無源混頻器。新巴倫結(jié)構(gòu)是實現(xiàn)寬RF帶寬的關(guān)鍵創(chuàng)新。針對IF頻段應用也采用相同的巴倫拓撲，支持300 MHz至9 GHz的寬IF。該高性能雙平衡混頻器可用于上變頻或下變頻。該混頻器采用2 mm × 3 mm、12引腳小型QFN封裝，提供23 dBm IIP3和14 dBm P1dB。采用3.3 V電源供電時，混頻器功耗為132 mA。

寬帶混頻器廣泛應用于多功能無線收發(fā)器、微波收發(fā)器、微波回程、雷達和測試設(shè)備。寬帶混頻器使得在具有各種無線電參數(shù)的動態(tài)可編程性的無線電架構(gòu)中使用單個混頻器成為可能。

CMOS和BiCMOS等先進硅技術(shù)能夠在相對窄帶應用中實現(xiàn)高性能混頻器。因此寬帶混頻器最期待的實現(xiàn)方式是使用集總元件或其他兼容IC制造技術(shù)和幾何形狀的結(jié)構(gòu)制成。平衡混頻器是首選拓撲結(jié)構(gòu)，因為與非平衡混頻器相比，它們在線性、噪聲系數(shù)和端口到端口隔離方面具有更好的整體性能。巴倫是單平衡混頻器和雙平衡混頻器中用于在平衡和非平衡配置之間轉(zhuǎn)換RF、LO和IF信號的關(guān)鍵組件。能夠在標準IC鑄造工藝中集成巴倫至關(guān)重要，這樣才能生產(chǎn)出寬帶集成混頻器。

可以在硅、GaAs或任何其他集成過程中輕松實現(xiàn)的創(chuàng)新巴倫結(jié)構(gòu)。這種巴倫拓撲的帶寬比傳統(tǒng)巴倫結(jié)構(gòu)更寬。在0.18 μm SiGe BiCMOS工藝中，使用寬帶巴倫設(shè)計一款3 GHz至20 GHz高性能混頻器。寬帶巴倫

混頻器最重要的性能參數(shù)包括轉(zhuǎn)換增益、線性度、噪聲系數(shù)和工作帶寬。集成混頻器中使用的巴倫對所有這些混頻器的性能都有重大影響。集成巴倫的關(guān)鍵性能包括工作頻率范圍、插入損耗、幅度/相位平衡、共模抑制比(CMRR)和物理尺寸。

集成電路應用中的兩種常見巴倫結(jié)構(gòu)是傳統(tǒng)平面變壓器巴倫1,2和Marchand巴倫。3,4這兩種巴倫在窄帶應用中都有良好的性能。平面變壓器巴倫由兩個緊密耦合的變壓器組成。電感的自感和諧振頻率是帶寬的兩個主要限制因素。自感限制低頻端的帶寬，非平衡和平衡終端的寄生電容和不對稱終端限制高頻端的帶寬。Marchand巴倫由四條四分之一波長傳輸線組成，通常需要在芯片上占用大量空間。在集成電路中利用交錯變壓器布局，演示了微型Marchand巴倫。每條線段的電氣長度要求限制了Marchand巴倫的帶寬。當電氣長度偏離所需的四分之一波長時，振幅和相位平衡就會降低。通常，設(shè)計良好的變壓器巴倫或Marchand巴倫可以覆蓋3×至4×最大-最小頻率比的頻率范圍，且性能合理。

制造商: Silicon Laboratories

產(chǎn)品種類: ARM微控制器 - MCU

RoHS: 詳細信息

系列: EFM32LG

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: QFN-64

核心: ARM Cortex M3

程序存儲器大小: 64 kB

數(shù)據(jù)總線寬度: 32 bit

ADC分辨率: 12 bit

最大時鐘頻率: 48 MHz

輸入/輸出端數(shù)量: 52 I/O

數(shù)據(jù) RAM 大小: 32 kB

工作電源電壓: 2 V to 3.8 V

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

封裝: Tray

產(chǎn)品: MCU

程序存儲器類型: Flash

商標: Silicon Labs

數(shù)據(jù) Ram 類型: RAM

數(shù)據(jù) ROM 大小: 256 kB

數(shù)據(jù) Rom 類型: Flash

接口類型: I2C, SPI, UART, USB

濕度敏感性: Yes

計時器/計數(shù)器數(shù)量: 5 Timer

處理器系列: EFM32

產(chǎn)品類型: ARM Microcontrollers - MCU

工廠包裝數(shù)量: 260

子類別: Microcontrollers - MCU

商標名: EFM32

單位重量: 206.300 mg

(素材來源：21IC和ttic和eechina.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）

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