外部功率開關(guān)管柵極的電荷泵

發(fā)布時(shí)間:2020/7/15 18:07:15 訪問(wèn)次數(shù):530

整合意法半導(dǎo)體的Nucleo-G071RB和 X-Nucleo-USBPDM1開發(fā)板。Nucleo-G071RB搭載業(yè)界首款集成USB Type-C PD控制器的通用微控制器STM32G0，可以實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)集成度，以及支持新的用例。X-Nucleo-USBPDM1板載意法半導(dǎo)體的TCPP01-M12端口保護(hù)配套芯片。

此外，客戶可以借助STM32生態(tài)系統(tǒng)的強(qiáng)大開發(fā)工具和軟件，快速、輕松地完成研發(fā)項(xiàng)目�，F(xiàn)有的基于老式5V USB充電功能的微控制器的產(chǎn)品，只需增加很少的外部組件即可升級(jí)到USB Type-C。

STM32G0 MCU 和 TCPP01-M12 可以實(shí)現(xiàn)一個(gè)高效且經(jīng)濟(jì)的雙片解決方案，能夠控制和保護(hù)具有USB PD功能的USB Type-C端口，并能夠滿足嵌入式應(yīng)用的需求。

TCPP01-M12高壓模擬前端配套芯片集成一個(gè)用于控制外部功率開關(guān)管柵極的電荷泵，使設(shè)計(jì)人員可以選擇經(jīng)濟(jì)劃算且導(dǎo)通電阻RDS(on)小低于P溝道開關(guān)管的N溝道MOSFET。在低功耗模式下，當(dāng)沒(méi)有連接電纜時(shí)，芯片功耗為0nA，從而可以延長(zhǎng)電池續(xù)航時(shí)間。

TCPP01-M12的內(nèi)部電保護(hù)功能包括VBUS引腳上的5V-22V可調(diào)過(guò)壓保護(hù)、配置通道引腳上的短接VBUS保護(hù)、無(wú)電電池管理、VBUS和CC引腳上高達(dá)±8kV的IEC 61000-4-2 ESD靜電保護(hù)。TCPP01-M12的QFN12封裝比分立器件方案少占電路板空間80%。

DCM2322低功耗系列隔離式穩(wěn)壓DC / DC轉(zhuǎn)換器模塊

Vicor 最小的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器，具有寬輸入范圍和高密度

Vicor 的 DCM2322 是一款低功率隔離穩(wěn)壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器，可在非穩(wěn)壓寬范圍輸入下工作，提供隔離 12.0 VDC 輸出。憑借高頻零電壓開關(guān) (ZVS) 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，DCM2322 轉(zhuǎn)換器能夠在整個(gè)輸入線路范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的高能效。模塊化 DCM 轉(zhuǎn)換器和下游 DC/DC 產(chǎn)品支持高效配電，為負(fù)載點(diǎn)提供優(yōu)異的電源系統(tǒng)性能以及與各種非穩(wěn)壓電源系統(tǒng)的連接。

特性

最高 120 W

最高峰值能效 90.8%

最高功率密度 482 W/in3

寬輸入范圍：9 V 至 154 V

應(yīng)用

鐵路運(yùn)輸

國(guó)防和航空航天

工業(yè)

工藝控制

30 V n溝道MOSFET半橋功率級(jí)模塊---SiZF300DT，將高邊TrenchFET®和低邊SkyFET® MOSFET與集成式肖特基二極管組合在一個(gè)小型PowerPAIR® 3.3 mm x 3.3 mm封裝中。Vishay Siliconix SiZF300DT提高了功率密度和效率，同時(shí)有助于減少元器件數(shù)量，簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，適用于計(jì)算和通信應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換。

日前發(fā)布器件中的兩個(gè)MOSFET采用半橋配置內(nèi)部連接。通道1 MOSFET在10 V和4.5 V條件下，最大導(dǎo)通電阻分別為4.5 mW和7.0 mW。通道2 MOSFET在10 V和4.5 V條件下，導(dǎo)通電阻分別為1.84 mW和2.57 mW。兩個(gè)MOSFET典型柵極電荷分別為6.9 nC和19.4 nC。

SiZF300DT比6mm x 5mm封裝類似導(dǎo)通電阻的雙片器件節(jié)省65 %的空間，是市場(chǎng)上最緊湊的集成產(chǎn)品之一。器件為設(shè)計(jì)人員提供節(jié)省空間的解決方案，適用于圖形加速卡、計(jì)算機(jī)、服務(wù)器以及通信和RF網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的負(fù)載點(diǎn)（POL）轉(zhuǎn)換、電源以及同步降壓和DC / DC轉(zhuǎn)換器。

雙MOSFET采用獨(dú)特的引腳配置結(jié)構(gòu)，電流相位輸出電流比相同占位面積的同類產(chǎn)品高11 %，此外，輸出電流超過(guò)20 A時(shí)具有更高的效率。器件引腳配置和大PGND 焊盤還可以增強(qiáng)散熱，優(yōu)化電路，簡(jiǎn)化PCB布局。