浓毛老太交欧美老妇热爱乱,蜜臀性色av免费,妺妺窝人体色www看美女,久久久久久久久久久大尺度免费视频,麻豆人妻无码性色av专区

位置:51電子網(wǎng) » 技術(shù)資料 » 嵌入式系統(tǒng)

存儲器的兩大基本原理

發(fā)布時間:2020/8/1 16:51:33 訪問次數(shù):1029

DS9094FS兩個障礙阻擋在你的面前——PDK和錢。

具有電感能力;

具有較高的片狀rho多晶硅電阻器;

可選的MiM電容器;

包括SONOS縮小的電池;

支持10V穩(wěn)壓電源;

高壓漏極擴展NMOS和PMOS。

SKY130是一種成熟的180nm-130nm混合技術(shù)。

存儲器概念基于兩大基本原理:(a)晶體管的模擬電流響應(yīng)基于其閾值電壓(Vt)和輸入數(shù)據(jù),(b)基爾霍夫電流定律,即在某個點交匯的多個導(dǎo)體網(wǎng)絡(luò)中,電流的代數(shù)和為零。了解這種多級存儲器架構(gòu)中的基本非易失性存儲器(NVM)位單元也十分重要。下圖(圖4)是兩個ESF3(第3代嵌入式SuperFlash)位單元,帶有共用的擦除門(EG)和源線(SL)。每個位單元有五個終端:控制門(CG)、工作線(WL)、擦除門(EG)、源線(SL)和位線(BL)。通過向EG施加高電壓執(zhí)行位單元的擦除操作。通過向WL、CG、BL和SL施加高/低電壓偏置信號執(zhí)行編程操作。通過向WL、CG、BL和SL施加低電壓偏置信號執(zhí)行讀操作。

利用這種存儲器架構(gòu),用戶可以通過微調(diào)編程操作,以不同Vt電壓對存儲器位單元進(jìn)行編程。存儲器技術(shù)利用智能算法調(diào)整存儲器單元的浮柵(FG)電壓,以從輸入電壓獲得特定的電流響應(yīng)。根據(jù)  終應(yīng)用的要求,可以在線性區(qū)域或閾下區(qū)域?qū)卧M(jìn)行編程。

存儲器單元中存儲多個電壓的功能。我們要在一個存儲器單元中存儲一個2位整數(shù)值。對于這種情況,我們需要使用4個2位整數(shù)值(00、01、10、11)中的一個對存儲器陣列中的每個單元進(jìn)行編程,我們需要使用四個具有足夠間隔的可能Vt值之一對每個單元進(jìn)行編程。下面的四條IV曲線分別對應(yīng)于四種可能的狀態(tài),單元的電流響應(yīng)取決于向CG施加的電壓。


人工智能  (AI)  現(xiàn)已進(jìn)入自主系統(tǒng)時代,這些系統(tǒng)將增強人類在計算密集型復(fù)雜任務(wù)領(lǐng)域的能力。AI 系統(tǒng)既便利又強大,有望解決人類社會面臨的各種重大挑戰(zhàn)。AI 系統(tǒng)包括三部分:大數(shù)據(jù)集、數(shù)據(jù)處理算法和處理數(shù)據(jù)的計算硬件。

為使  AI  系統(tǒng)切實可用,其必須快速處理大量數(shù)據(jù),這樣一來就需要強大的計算能力。AI 具有獨特的計算能力需求,這就導(dǎo)致 AI 芯片或 AI 加速器市場迅速增長且競爭激烈。能否在這個市場取得成功,取決于能否讓產(chǎn)品快速上市,因此就需要使用設(shè)計和測試解決方案來應(yīng)對新型  AI  芯片架構(gòu)的挑戰(zhàn)。本文將重點介紹 AI 硬件的設(shè)計,尤其是如何最佳地測試 AI 芯片。Tessent®層次化 DFT 和測試向量生成非常適合 AI 芯片。

它可在較低層級(核心級別)執(zhí)行 DFT 邏輯插入和測試向量生成,以進(jìn)行掃描和存儲器測試。它可復(fù)制  DFT  邏輯并將其與核心復(fù)制集成,還能自動將測試向量映射到芯片級別。與  RTL  級測試邏輯插入配合使用時,Tessent 工具相比于傳統(tǒng)方法可顯著減少DFT 所需的時間。用戶實現(xiàn)的掃描測試向量生成速度最多提高了  10  倍,測試向量減少了  2  倍,使用的系統(tǒng)存儲器減少了 10 倍。1,2 加速芯片調(diào)通方法論的采用,進(jìn)一步加速了不斷發(fā)展的  AI  芯片的上市時間。Tessent  SiliconInsight®可在DFT 和測試儀領(lǐng)域之間建立直接聯(lián)系,從而簡化了這項極其繁瑣的任務(wù)。本文闡述了 Mentor Tessent 系列的 IC 測試工具可如何幫助設(shè)計人員滿足大型先進(jìn)工藝 AI 芯片的質(zhì)量和上市時間要求。

openai.com 的數(shù)據(jù)顯示,AI 計算增長需求每  3.5  個月就會翻一倍,自  2012  年以來已增加  300,000  倍。3不同的公司會使用不同的硬件開發(fā)技術(shù)來滿足 AI 計算增長要求。

時間的 DFT 解決方案要求

 

為大幅縮短 AI 芯片的上市時間,DFT 解決方案有三個關(guān)鍵要求:

利用 AI 芯片的規(guī)則性

在 RTL 中執(zhí)行 DFT 插入

利用 AI 芯片的規(guī)則性

AI 芯片通常包含大量相同的核心。DFT 利用 AI 芯片的規(guī)則性意味著所有 DFT 工作—包括測試插入、測試向量生成和驗證—在核心級別都需只完成一次。然后會自動復(fù)制完整的Sign-off 核心,以完成芯片級 DFT 實施,如圖 2 所示。

實現(xiàn)一個核心的  Sign-off  并復(fù)制該核心以完成芯片的過程要比在芯片級別執(zhí)行 DFT 快得多。這種方法將 DFT 從流片的關(guān)鍵路徑中分離出來,避免其對項目計劃造成影響。

Tessent 層次化  DFT  是一種理想的解決方案,它能利用  AI  芯片的規(guī)則性,并允許在不同層級對模塊進(jìn)行完整的  DFT  Sign-off。如圖  3  中所示,共有三個層級:核心(重復(fù)單元)、模塊(超級重復(fù)單元)和芯片。核心(重復(fù)單元)會在模塊(超級重復(fù)單元)中經(jīng)多次實例調(diào)用,而后者又會在芯片級別經(jīng)多次實例調(diào)用。

來源:eepw.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

深圳市唯有度科技有限公司http://wydkj.51dzw.com/

 

DS9094FS兩個障礙阻擋在你的面前——PDK和錢。

具有電感能力;

具有較高的片狀rho多晶硅電阻器;

可選的MiM電容器;

包括SONOS縮小的電池;

支持10V穩(wěn)壓電源;

高壓漏極擴展NMOS和PMOS。

SKY130是一種成熟的180nm-130nm混合技術(shù)。

存儲器概念基于兩大基本原理:(a)晶體管的模擬電流響應(yīng)基于其閾值電壓(Vt)和輸入數(shù)據(jù),(b)基爾霍夫電流定律,即在某個點交匯的多個導(dǎo)體網(wǎng)絡(luò)中,電流的代數(shù)和為零。了解這種多級存儲器架構(gòu)中的基本非易失性存儲器(NVM)位單元也十分重要。下圖(圖4)是兩個ESF3(第3代嵌入式SuperFlash)位單元,帶有共用的擦除門(EG)和源線(SL)。每個位單元有五個終端:控制門(CG)、工作線(WL)、擦除門(EG)、源線(SL)和位線(BL)。通過向EG施加高電壓執(zhí)行位單元的擦除操作。通過向WL、CG、BL和SL施加高/低電壓偏置信號執(zhí)行編程操作。通過向WL、CG、BL和SL施加低電壓偏置信號執(zhí)行讀操作。

利用這種存儲器架構(gòu),用戶可以通過微調(diào)編程操作,以不同Vt電壓對存儲器位單元進(jìn)行編程。存儲器技術(shù)利用智能算法調(diào)整存儲器單元的浮柵(FG)電壓,以從輸入電壓獲得特定的電流響應(yīng)。根據(jù)  終應(yīng)用的要求,可以在線性區(qū)域或閾下區(qū)域?qū)卧M(jìn)行編程。

存儲器單元中存儲多個電壓的功能。我們要在一個存儲器單元中存儲一個2位整數(shù)值。對于這種情況,我們需要使用4個2位整數(shù)值(00、01、10、11)中的一個對存儲器陣列中的每個單元進(jìn)行編程,我們需要使用四個具有足夠間隔的可能Vt值之一對每個單元進(jìn)行編程。下面的四條IV曲線分別對應(yīng)于四種可能的狀態(tài),單元的電流響應(yīng)取決于向CG施加的電壓。


人工智能  (AI)  現(xiàn)已進(jìn)入自主系統(tǒng)時代,這些系統(tǒng)將增強人類在計算密集型復(fù)雜任務(wù)領(lǐng)域的能力。AI 系統(tǒng)既便利又強大,有望解決人類社會面臨的各種重大挑戰(zhàn)。AI 系統(tǒng)包括三部分:大數(shù)據(jù)集、數(shù)據(jù)處理算法和處理數(shù)據(jù)的計算硬件。

為使  AI  系統(tǒng)切實可用,其必須快速處理大量數(shù)據(jù),這樣一來就需要強大的計算能力。AI 具有獨特的計算能力需求,這就導(dǎo)致 AI 芯片或 AI 加速器市場迅速增長且競爭激烈。能否在這個市場取得成功,取決于能否讓產(chǎn)品快速上市,因此就需要使用設(shè)計和測試解決方案來應(yīng)對新型  AI  芯片架構(gòu)的挑戰(zhàn)。本文將重點介紹 AI 硬件的設(shè)計,尤其是如何最佳地測試 AI 芯片。Tessent®層次化 DFT 和測試向量生成非常適合 AI 芯片。

它可在較低層級(核心級別)執(zhí)行 DFT 邏輯插入和測試向量生成,以進(jìn)行掃描和存儲器測試。它可復(fù)制  DFT  邏輯并將其與核心復(fù)制集成,還能自動將測試向量映射到芯片級別。與  RTL  級測試邏輯插入配合使用時,Tessent 工具相比于傳統(tǒng)方法可顯著減少DFT 所需的時間。用戶實現(xiàn)的掃描測試向量生成速度最多提高了  10  倍,測試向量減少了  2  倍,使用的系統(tǒng)存儲器減少了 10 倍。1,2 加速芯片調(diào)通方法論的采用,進(jìn)一步加速了不斷發(fā)展的  AI  芯片的上市時間。Tessent  SiliconInsight®可在DFT 和測試儀領(lǐng)域之間建立直接聯(lián)系,從而簡化了這項極其繁瑣的任務(wù)。本文闡述了 Mentor Tessent 系列的 IC 測試工具可如何幫助設(shè)計人員滿足大型先進(jìn)工藝 AI 芯片的質(zhì)量和上市時間要求。

openai.com 的數(shù)據(jù)顯示,AI 計算增長需求每  3.5  個月就會翻一倍,自  2012  年以來已增加  300,000  倍。3不同的公司會使用不同的硬件開發(fā)技術(shù)來滿足 AI 計算增長要求。

時間的 DFT 解決方案要求

 

為大幅縮短 AI 芯片的上市時間,DFT 解決方案有三個關(guān)鍵要求:

利用 AI 芯片的規(guī)則性

在 RTL 中執(zhí)行 DFT 插入

利用 AI 芯片的規(guī)則性

AI 芯片通常包含大量相同的核心。DFT 利用 AI 芯片的規(guī)則性意味著所有 DFT 工作—包括測試插入、測試向量生成和驗證—在核心級別都需只完成一次。然后會自動復(fù)制完整的Sign-off 核心,以完成芯片級 DFT 實施,如圖 2 所示。

實現(xiàn)一個核心的  Sign-off  并復(fù)制該核心以完成芯片的過程要比在芯片級別執(zhí)行 DFT 快得多。這種方法將 DFT 從流片的關(guān)鍵路徑中分離出來,避免其對項目計劃造成影響。

Tessent 層次化  DFT  是一種理想的解決方案,它能利用  AI  芯片的規(guī)則性,并允許在不同層級對模塊進(jìn)行完整的  DFT  Sign-off。如圖  3  中所示,共有三個層級:核心(重復(fù)單元)、模塊(超級重復(fù)單元)和芯片。核心(重復(fù)單元)會在模塊(超級重復(fù)單元)中經(jīng)多次實例調(diào)用,而后者又會在芯片級別經(jīng)多次實例調(diào)用。

來源:eepw.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

深圳市唯有度科技有限公司http://wydkj.51dzw.com/

 

熱門點擊

 

推薦技術(shù)資料

DFRobot—玩的就是
    如果說新車間的特點是“靈動”,F(xiàn)QPF12N60C那么... [詳細(xì)]
版權(quán)所有:51dzw.COM
深圳服務(wù)熱線:13692101218  13751165337
粵ICP備09112631號-6(miitbeian.gov.cn)
公網(wǎng)安備44030402000607
深圳市碧威特網(wǎng)絡(luò)技術(shù)有限公司
付款方式


 復(fù)制成功!