存儲器的兩大基本原理
發(fā)布時間:2020/8/1 16:51:33 訪問次數(shù):1029
DS9094FS兩個障礙阻擋在你的面前——PDK和錢。
具有電感能力;
具有較高的片狀rho多晶硅電阻器;
可選的MiM電容器;
包括SONOS縮小的電池;
支持10V穩(wěn)壓電源;
高壓漏極擴展NMOS和PMOS。
SKY130是一種成熟的180nm-130nm混合技術(shù)。
存儲器概念基于兩大基本原理:(a)晶體管的模擬電流響應(yīng)基于其閾值電壓(Vt)和輸入數(shù)據(jù),(b)基爾霍夫電流定律,即在某個點交匯的多個導(dǎo)體網(wǎng)絡(luò)中,電流的代數(shù)和為零。了解這種多級存儲器架構(gòu)中的基本非易失性存儲器(NVM)位單元也十分重要。下圖(圖4)是兩個ESF3(第3代嵌入式SuperFlash)位單元,帶有共用的擦除門(EG)和源線(SL)。每個位單元有五個終端:控制門(CG)、工作線(WL)、擦除門(EG)、源線(SL)和位線(BL)。通過向EG施加高電壓執(zhí)行位單元的擦除操作。通過向WL、CG、BL和SL施加高/低電壓偏置信號執(zhí)行編程操作。通過向WL、CG、BL和SL施加低電壓偏置信號執(zhí)行讀操作。

利用這種存儲器架構(gòu),用戶可以通過微調(diào)編程操作,以不同Vt電壓對存儲器位單元進(jìn)行編程。存儲器技術(shù)利用智能算法調(diào)整存儲器單元的浮柵(FG)電壓,以從輸入電壓獲得特定的電流響應(yīng)。根據(jù) 終應(yīng)用的要求,可以在線性區(qū)域或閾下區(qū)域?qū)卧M(jìn)行編程。
存儲器單元中存儲多個電壓的功能。我們要在一個存儲器單元中存儲一個2位整數(shù)值。對于這種情況,我們需要使用4個2位整數(shù)值(00、01、10、11)中的一個對存儲器陣列中的每個單元進(jìn)行編程,我們需要使用四個具有足夠間隔的可能Vt值之一對每個單元進(jìn)行編程。下面的四條IV曲線分別對應(yīng)于四種可能的狀態(tài),單元的電流響應(yīng)取決于向CG施加的電壓。

人工智能 (AI) 現(xiàn)已進(jìn)入自主系統(tǒng)時代,這些系統(tǒng)將增強人類在計算密集型復(fù)雜任務(wù)領(lǐng)域的能力。AI 系統(tǒng)既便利又強大,有望解決人類社會面臨的各種重大挑戰(zhàn)。AI 系統(tǒng)包括三部分:大數(shù)據(jù)集、數(shù)據(jù)處理算法和處理數(shù)據(jù)的計算硬件。
為使 AI 系統(tǒng)切實可用,其必須快速處理大量數(shù)據(jù),這樣一來就需要強大的計算能力。AI 具有獨特的計算能力需求,這就導(dǎo)致 AI 芯片或 AI 加速器市場迅速增長且競爭激烈。能否在這個市場取得成功,取決于能否讓產(chǎn)品快速上市,因此就需要使用設(shè)計和測試解決方案來應(yīng)對新型 AI 芯片架構(gòu)的挑戰(zhàn)。本文將重點介紹 AI 硬件的設(shè)計,尤其是如何最佳地測試 AI 芯片。Tessent®層次化 DFT 和測試向量生成非常適合 AI 芯片。
它可在較低層級(核心級別)執(zhí)行 DFT 邏輯插入和測試向量生成,以進(jìn)行掃描和存儲器測試。它可復(fù)制 DFT 邏輯并將其與核心復(fù)制集成,還能自動將測試向量映射到芯片級別。與 RTL 級測試邏輯插入配合使用時,Tessent 工具相比于傳統(tǒng)方法可顯著減少DFT 所需的時間。用戶實現(xiàn)的掃描測試向量生成速度最多提高了 10 倍,測試向量減少了 2 倍,使用的系統(tǒng)存儲器減少了 10 倍。1,2 加速芯片調(diào)通方法論的采用,進(jìn)一步加速了不斷發(fā)展的 AI 芯片的上市時間。Tessent SiliconInsight®可在DFT 和測試儀領(lǐng)域之間建立直接聯(lián)系,從而簡化了這項極其繁瑣的任務(wù)。本文闡述了 Mentor Tessent 系列的 IC 測試工具可如何幫助設(shè)計人員滿足大型先進(jìn)工藝 AI 芯片的質(zhì)量和上市時間要求。
openai.com 的數(shù)據(jù)顯示,AI 計算增長需求每 3.5 個月就會翻一倍,自 2012 年以來已增加 300,000 倍。3不同的公司會使用不同的硬件開發(fā)技術(shù)來滿足 AI 計算增長要求。
時間的 DFT 解決方案要求

為大幅縮短 AI 芯片的上市時間,DFT 解決方案有三個關(guān)鍵要求:
利用 AI 芯片的規(guī)則性
在 RTL 中執(zhí)行 DFT 插入
利用 AI 芯片的規(guī)則性
AI 芯片通常包含大量相同的核心。DFT 利用 AI 芯片的規(guī)則性意味著所有 DFT 工作—包括測試插入、測試向量生成和驗證—在核心級別都需只完成一次。然后會自動復(fù)制完整的Sign-off 核心,以完成芯片級 DFT 實施,如圖 2 所示。
實現(xiàn)一個核心的 Sign-off 并復(fù)制該核心以完成芯片的過程要比在芯片級別執(zhí)行 DFT 快得多。這種方法將 DFT 從流片的關(guān)鍵路徑中分離出來,避免其對項目計劃造成影響。
Tessent 層次化 DFT 是一種理想的解決方案,它能利用 AI 芯片的規(guī)則性,并允許在不同層級對模塊進(jìn)行完整的 DFT Sign-off。如圖 3 中所示,共有三個層級:核心(重復(fù)單元)、模塊(超級重復(fù)單元)和芯片。核心(重復(fù)單元)會在模塊(超級重復(fù)單元)中經(jīng)多次實例調(diào)用,而后者又會在芯片級別經(jīng)多次實例調(diào)用。
來源:eepw.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
深圳市唯有度科技有限公司http://wydkj.51dzw.com/
DS9094FS兩個障礙阻擋在你的面前——PDK和錢。
具有電感能力;
具有較高的片狀rho多晶硅電阻器;
可選的MiM電容器;
包括SONOS縮小的電池;
支持10V穩(wěn)壓電源;
高壓漏極擴展NMOS和PMOS。
SKY130是一種成熟的180nm-130nm混合技術(shù)。
存儲器概念基于兩大基本原理:(a)晶體管的模擬電流響應(yīng)基于其閾值電壓(Vt)和輸入數(shù)據(jù),(b)基爾霍夫電流定律,即在某個點交匯的多個導(dǎo)體網(wǎng)絡(luò)中,電流的代數(shù)和為零。了解這種多級存儲器架構(gòu)中的基本非易失性存儲器(NVM)位單元也十分重要。下圖(圖4)是兩個ESF3(第3代嵌入式SuperFlash)位單元,帶有共用的擦除門(EG)和源線(SL)。每個位單元有五個終端:控制門(CG)、工作線(WL)、擦除門(EG)、源線(SL)和位線(BL)。通過向EG施加高電壓執(zhí)行位單元的擦除操作。通過向WL、CG、BL和SL施加高/低電壓偏置信號執(zhí)行編程操作。通過向WL、CG、BL和SL施加低電壓偏置信號執(zhí)行讀操作。

利用這種存儲器架構(gòu),用戶可以通過微調(diào)編程操作,以不同Vt電壓對存儲器位單元進(jìn)行編程。存儲器技術(shù)利用智能算法調(diào)整存儲器單元的浮柵(FG)電壓,以從輸入電壓獲得特定的電流響應(yīng)。根據(jù) 終應(yīng)用的要求,可以在線性區(qū)域或閾下區(qū)域?qū)卧M(jìn)行編程。
存儲器單元中存儲多個電壓的功能。我們要在一個存儲器單元中存儲一個2位整數(shù)值。對于這種情況,我們需要使用4個2位整數(shù)值(00、01、10、11)中的一個對存儲器陣列中的每個單元進(jìn)行編程,我們需要使用四個具有足夠間隔的可能Vt值之一對每個單元進(jìn)行編程。下面的四條IV曲線分別對應(yīng)于四種可能的狀態(tài),單元的電流響應(yīng)取決于向CG施加的電壓。

人工智能 (AI) 現(xiàn)已進(jìn)入自主系統(tǒng)時代,這些系統(tǒng)將增強人類在計算密集型復(fù)雜任務(wù)領(lǐng)域的能力。AI 系統(tǒng)既便利又強大,有望解決人類社會面臨的各種重大挑戰(zhàn)。AI 系統(tǒng)包括三部分:大數(shù)據(jù)集、數(shù)據(jù)處理算法和處理數(shù)據(jù)的計算硬件。
為使 AI 系統(tǒng)切實可用,其必須快速處理大量數(shù)據(jù),這樣一來就需要強大的計算能力。AI 具有獨特的計算能力需求,這就導(dǎo)致 AI 芯片或 AI 加速器市場迅速增長且競爭激烈。能否在這個市場取得成功,取決于能否讓產(chǎn)品快速上市,因此就需要使用設(shè)計和測試解決方案來應(yīng)對新型 AI 芯片架構(gòu)的挑戰(zhàn)。本文將重點介紹 AI 硬件的設(shè)計,尤其是如何最佳地測試 AI 芯片。Tessent®層次化 DFT 和測試向量生成非常適合 AI 芯片。
它可在較低層級(核心級別)執(zhí)行 DFT 邏輯插入和測試向量生成,以進(jìn)行掃描和存儲器測試。它可復(fù)制 DFT 邏輯并將其與核心復(fù)制集成,還能自動將測試向量映射到芯片級別。與 RTL 級測試邏輯插入配合使用時,Tessent 工具相比于傳統(tǒng)方法可顯著減少DFT 所需的時間。用戶實現(xiàn)的掃描測試向量生成速度最多提高了 10 倍,測試向量減少了 2 倍,使用的系統(tǒng)存儲器減少了 10 倍。1,2 加速芯片調(diào)通方法論的采用,進(jìn)一步加速了不斷發(fā)展的 AI 芯片的上市時間。Tessent SiliconInsight®可在DFT 和測試儀領(lǐng)域之間建立直接聯(lián)系,從而簡化了這項極其繁瑣的任務(wù)。本文闡述了 Mentor Tessent 系列的 IC 測試工具可如何幫助設(shè)計人員滿足大型先進(jìn)工藝 AI 芯片的質(zhì)量和上市時間要求。
openai.com 的數(shù)據(jù)顯示,AI 計算增長需求每 3.5 個月就會翻一倍,自 2012 年以來已增加 300,000 倍。3不同的公司會使用不同的硬件開發(fā)技術(shù)來滿足 AI 計算增長要求。
時間的 DFT 解決方案要求

為大幅縮短 AI 芯片的上市時間,DFT 解決方案有三個關(guān)鍵要求:
利用 AI 芯片的規(guī)則性
在 RTL 中執(zhí)行 DFT 插入
利用 AI 芯片的規(guī)則性
AI 芯片通常包含大量相同的核心。DFT 利用 AI 芯片的規(guī)則性意味著所有 DFT 工作—包括測試插入、測試向量生成和驗證—在核心級別都需只完成一次。然后會自動復(fù)制完整的Sign-off 核心,以完成芯片級 DFT 實施,如圖 2 所示。
實現(xiàn)一個核心的 Sign-off 并復(fù)制該核心以完成芯片的過程要比在芯片級別執(zhí)行 DFT 快得多。這種方法將 DFT 從流片的關(guān)鍵路徑中分離出來,避免其對項目計劃造成影響。
Tessent 層次化 DFT 是一種理想的解決方案,它能利用 AI 芯片的規(guī)則性,并允許在不同層級對模塊進(jìn)行完整的 DFT Sign-off。如圖 3 中所示,共有三個層級:核心(重復(fù)單元)、模塊(超級重復(fù)單元)和芯片。核心(重復(fù)單元)會在模塊(超級重復(fù)單元)中經(jīng)多次實例調(diào)用,而后者又會在芯片級別經(jīng)多次實例調(diào)用。
來源:eepw.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
深圳市唯有度科技有限公司http://wydkj.51dzw.com/
上一篇:小晶體管電阻率柵極
上一篇:核心和模塊的測試向量
熱門點擊
- 高達(dá) 2.4 GHz/3 GHz 的發(fā)射/接
- 低電平電壓電路的電源驅(qū)動光耦
- 晶體振蕩器及外部時鐘輸入
- 集成驅(qū)動器無橋PFC級峰值效率半橋
- 體聲波濾波器的過渡帶寬
- 低線路或負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)數(shù)字
- 溫度傳感器和電源電壓監(jiān)視器
- Vicor DCM4623電源轉(zhuǎn)換模塊
- CMOS毫米波全集成4通道相控陣芯片
- 雙通道交錯式升壓PFC拓?fù)涞碾娫?/a>
推薦技術(shù)資料
- DFRobot—玩的就是
- 如果說新車間的特點是“靈動”,F(xiàn)QPF12N60C那么... [詳細(xì)]
- 電源管理 IC (PMIC)&
- I2C 接口和 PmBUS 以及 OTP/M
- MOSFET 和柵極驅(qū)動器單
- 數(shù)字恒定導(dǎo)通時間控制模式(CO
- Power Management Buck/
- 反激變換器傳導(dǎo)和輻射電磁干擾分析和抑制技術(shù)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究