內(nèi)部電壓基準(zhǔn)緩沖器
發(fā)布時(shí)間:2020/8/6 23:18:46 訪問(wèn)次數(shù):733
ADFS5758是單路16位電流電壓輸出數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC),工作電壓從AVSS的-33V到AVDD1的+33V,兩軌間最大工作電壓為60V,片上的動(dòng)態(tài)功率控制(DPC)最小化封裝的功率損耗,CHART引腳使得HART®信號(hào)能耦合到電流輸出.器件采用4線SPI,時(shí)鐘速率高達(dá)50MHz,和標(biāo)準(zhǔn)的SPI, QSPI™, MICROWIRE™, DSP和微控制器接口標(biāo)準(zhǔn)兼容,接口還具有可選擇的SPI循環(huán)冗余檢查(CRC)和視窗計(jì)時(shí)器.和以前的產(chǎn)品相比,器件提供改善診斷特性.
電流輸出范圍0 mA- 20 mA, 4 mA- 20 mA, 0 mA - 24 mA, ±20 mA, ±24 mA, 以及−1 mA - +22 mA,電壓輸出范圍0 V - 5 V, 0 V - 10 V, ±5 V和±10 V.工作溫度−40C到 +105C,32引腳5x5mm LFCSP封裝.主要用在過(guò)程控制,激勵(lì)器控制,通路絕緣模擬輸出,可編邏輯控制器(PLC)和分布控制系統(tǒng)(DCS).
整機(jī)或者音頻功放IC在有限的應(yīng)用條件下把功率做大是產(chǎn)品提升性能以及競(jìng)爭(zhēng)力的重要途徑。從功率計(jì)算公式P=U2/R可知,音頻功放提升功率兩大途徑:提高供電電壓或降低喇叭阻抗。內(nèi)置升壓的單節(jié)鋰電池3.7V供電音頻功放在拉桿音箱以及便攜式藍(lán)牙小音箱上應(yīng)用已非常廣泛,采用2歐姆低阻抗喇叭在拉桿音箱上也很常見(jiàn)。當(dāng)前電荷泵升壓至6.3V上下/功率3~5W/4歐以及電感Boost升壓至7V左右/功率6~8W/3歐較為常見(jiàn)。
3.7V單節(jié)鋰電內(nèi)置升壓音頻功放如果升壓值再往上提,尤其輸出又支持2歐低阻抗喇叭時(shí),面臨很多挑戰(zhàn)。升壓值越高壓差越大必然效率越低,喇叭阻抗越低音頻驅(qū)動(dòng)模塊效率也越低,對(duì)內(nèi)部驅(qū)動(dòng)管要求也越高,再加上升壓模塊,音頻模塊都集成在一個(gè)芯片上,對(duì)芯片封裝散熱相應(yīng)要求就更高。整個(gè)芯片工作效率就格外重要。
音頻功放隨溫升性能指標(biāo)下降或者芯片過(guò)溫保護(hù)無(wú)法正常工作。效率低等于對(duì)電池要求高,電池低電時(shí)愈明顯,關(guān)系到電池保護(hù)板放電電流大小、電池容量、續(xù)航時(shí)間等。應(yīng)用于單喇叭音箱的3.7V單節(jié)鋰電池保護(hù)板大多都是單MOS管/雙MOS管或者放電電流3A~6A。
STM32L4S5xx, STM32L4S7xx和STM32L4S9xx系列是超低功耗MCU,基于高性能Arm® Cortex®-M4 32位RISC核,工作頻率高達(dá)120MHz. Cortex-M4核具有單精度浮點(diǎn)單元(FPU),支持所有的Arm®單精度數(shù)據(jù)處理指令和所有的數(shù)據(jù)類型,還能實(shí)現(xiàn)全套DSP指令和存儲(chǔ)器保護(hù)單元(MPU),從而增強(qiáng)了應(yīng)用的安全性.
器件嵌入高速存儲(chǔ)器(2MB閃存和640KB SRAM,用于靜態(tài)存儲(chǔ)器的靈活存儲(chǔ)器控制器(FSMC),兩個(gè)OctoSPI閃存接口和廣泛的增強(qiáng)I/O和外設(shè),連接兩條APB總線,兩條AHB總線和32位多AHB總線矩陣.器件還提供快速12位ADC(5Mbps),兩個(gè)比較器,兩個(gè)運(yùn)算放大器,兩個(gè)DAC通路,內(nèi)部電壓基準(zhǔn)緩沖器,低功耗RTC,兩個(gè)通用16位計(jì)時(shí)器,專用于馬達(dá)控制的16位PWM計(jì)時(shí)器,七個(gè)通用16位計(jì)時(shí)器和兩個(gè)16位低功耗計(jì)時(shí)器.支持四個(gè)數(shù)字濾波器,用于Sigma-Delta調(diào)制器(DFSDM).此外還可提供多達(dá)24個(gè)電容性檢測(cè)通路.
(素材來(lái)源:elecfans.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
ADFS5758是單路16位電流電壓輸出數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC),工作電壓從AVSS的-33V到AVDD1的+33V,兩軌間最大工作電壓為60V,片上的動(dòng)態(tài)功率控制(DPC)最小化封裝的功率損耗,CHART引腳使得HART®信號(hào)能耦合到電流輸出.器件采用4線SPI,時(shí)鐘速率高達(dá)50MHz,和標(biāo)準(zhǔn)的SPI, QSPI™, MICROWIRE™, DSP和微控制器接口標(biāo)準(zhǔn)兼容,接口還具有可選擇的SPI循環(huán)冗余檢查(CRC)和視窗計(jì)時(shí)器.和以前的產(chǎn)品相比,器件提供改善診斷特性.
電流輸出范圍0 mA- 20 mA, 4 mA- 20 mA, 0 mA - 24 mA, ±20 mA, ±24 mA, 以及−1 mA - +22 mA,電壓輸出范圍0 V - 5 V, 0 V - 10 V, ±5 V和±10 V.工作溫度−40C到 +105C,32引腳5x5mm LFCSP封裝.主要用在過(guò)程控制,激勵(lì)器控制,通路絕緣模擬輸出,可編邏輯控制器(PLC)和分布控制系統(tǒng)(DCS).
整機(jī)或者音頻功放IC在有限的應(yīng)用條件下把功率做大是產(chǎn)品提升性能以及競(jìng)爭(zhēng)力的重要途徑。從功率計(jì)算公式P=U2/R可知,音頻功放提升功率兩大途徑:提高供電電壓或降低喇叭阻抗。內(nèi)置升壓的單節(jié)鋰電池3.7V供電音頻功放在拉桿音箱以及便攜式藍(lán)牙小音箱上應(yīng)用已非常廣泛,采用2歐姆低阻抗喇叭在拉桿音箱上也很常見(jiàn)。當(dāng)前電荷泵升壓至6.3V上下/功率3~5W/4歐以及電感Boost升壓至7V左右/功率6~8W/3歐較為常見(jiàn)。
3.7V單節(jié)鋰電內(nèi)置升壓音頻功放如果升壓值再往上提,尤其輸出又支持2歐低阻抗喇叭時(shí),面臨很多挑戰(zhàn)。升壓值越高壓差越大必然效率越低,喇叭阻抗越低音頻驅(qū)動(dòng)模塊效率也越低,對(duì)內(nèi)部驅(qū)動(dòng)管要求也越高,再加上升壓模塊,音頻模塊都集成在一個(gè)芯片上,對(duì)芯片封裝散熱相應(yīng)要求就更高。整個(gè)芯片工作效率就格外重要。
音頻功放隨溫升性能指標(biāo)下降或者芯片過(guò)溫保護(hù)無(wú)法正常工作。效率低等于對(duì)電池要求高,電池低電時(shí)愈明顯,關(guān)系到電池保護(hù)板放電電流大小、電池容量、續(xù)航時(shí)間等。應(yīng)用于單喇叭音箱的3.7V單節(jié)鋰電池保護(hù)板大多都是單MOS管/雙MOS管或者放電電流3A~6A。
STM32L4S5xx, STM32L4S7xx和STM32L4S9xx系列是超低功耗MCU,基于高性能Arm® Cortex®-M4 32位RISC核,工作頻率高達(dá)120MHz. Cortex-M4核具有單精度浮點(diǎn)單元(FPU),支持所有的Arm®單精度數(shù)據(jù)處理指令和所有的數(shù)據(jù)類型,還能實(shí)現(xiàn)全套DSP指令和存儲(chǔ)器保護(hù)單元(MPU),從而增強(qiáng)了應(yīng)用的安全性.
器件嵌入高速存儲(chǔ)器(2MB閃存和640KB SRAM,用于靜態(tài)存儲(chǔ)器的靈活存儲(chǔ)器控制器(FSMC),兩個(gè)OctoSPI閃存接口和廣泛的增強(qiáng)I/O和外設(shè),連接兩條APB總線,兩條AHB總線和32位多AHB總線矩陣.器件還提供快速12位ADC(5Mbps),兩個(gè)比較器,兩個(gè)運(yùn)算放大器,兩個(gè)DAC通路,內(nèi)部電壓基準(zhǔn)緩沖器,低功耗RTC,兩個(gè)通用16位計(jì)時(shí)器,專用于馬達(dá)控制的16位PWM計(jì)時(shí)器,七個(gè)通用16位計(jì)時(shí)器和兩個(gè)16位低功耗計(jì)時(shí)器.支持四個(gè)數(shù)字濾波器,用于Sigma-Delta調(diào)制器(DFSDM).此外還可提供多達(dá)24個(gè)電容性檢測(cè)通路.
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